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硅酸锌的电子结构(英文) 被引量：4
1
作者 张华 冯夏 康俊勇 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期750-754,共5页
采用局域密度泛函理论和第一性原理的方法,计算四方结构和六角结构硅酸锌的平衡晶格常数、电子态密度和能带结构。计算结果表明,四方结构硅酸锌的平衡晶格常数为0.71048nm,六角结构为1.40877nm,两者与实验值的误差均在1%左右。态密度图... 采用局域密度泛函理论和第一性原理的方法,计算四方结构和六角结构硅酸锌的平衡晶格常数、电子态密度和能带结构。计算结果表明,四方结构硅酸锌的平衡晶格常数为0.71048nm,六角结构为1.40877nm,两者与实验值的误差均在1%左右。态密度图显示,主要电子态分布在-7.18～0.00eV和2.79～10.50eV两个能量区域;同时,不同元素电子对导带和价带有不同贡献,其中氧的p态电子对价带顶贡献最大,锌的s态电子对导带底贡献最大。能带计算表明,四方与六角结构硅酸锌均为直接带隙半导体,禁带宽度分别为2.66,2.89eV。 展开更多
关键词 硅酸锌 电子态密度 能带结构
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掺氟钨酸铅晶体的电子结构研究 被引量：1
2
作者 陶琨 张启仁 +1 位作者 刘廷禹 张飞武 《上海理工大学学报》 CAS 北大核心 2004年第6期512-514,共3页
用密度泛函的方法计算了掺氟钨酸铅晶体(F-∶PbWO4)的电子结构.结果表明,杂质F-离子的掺入使得部分O的2p态和W的5d态分裂并进入到禁带中,使得禁带宽度变窄.F的2p态距离价带顶6.0eV左右,因而不会影响晶体的蓝发光.F-离子替位氧离子O2-可... 用密度泛函的方法计算了掺氟钨酸铅晶体(F-∶PbWO4)的电子结构.结果表明,杂质F-离子的掺入使得部分O的2p态和W的5d态分裂并进入到禁带中,使得禁带宽度变窄.F的2p态距离价带顶6.0eV左右,因而不会影响晶体的蓝发光.F-离子替位氧离子O2-可以部分地补偿由于铅空位VPb所造成的局域电荷失衡,阻止铅空位VPb抓住空穴形成复合色心.因此,可以减弱420nm吸收带,有效地增加光产额. 展开更多
关键词 F^-离子 态密度 PBWO4
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RbH_2PO_4不同相的铁电性和光学特性(英文) 被引量：1
3
作者 韩红培 徐斌 +2 位作者 余功奇 张现周 孙金峰 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第5期909-914,共6页
利用第一性原理系统地研究了RbH_2PO_4晶格优化结构、总的和分的态密度、电荷密度分布.我们发现氧原子和Rb,H原子的杂化形成了两种离子群,在铁电相离子键和PO_4四面体的耦合强度比顺电相更强.结果,通过P-O和H-O的距离改变电荷密度的再... 利用第一性原理系统地研究了RbH_2PO_4晶格优化结构、总的和分的态密度、电荷密度分布.我们发现氧原子和Rb,H原子的杂化形成了两种离子群,在铁电相离子键和PO_4四面体的耦合强度比顺电相更强.结果,通过P-O和H-O的距离改变电荷密度的再分布和PO_4四面体的顺序旋转导致了铁电性的产生.两种类型粒子群的运动和自动成型畴壁导致了可以观测的焦热电流. 展开更多
关键词 铁电体 电子带结构 态密度
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EHMO方法对KI晶体电子结构的研究 被引量：1
4
作者 崔玉亭 《河南科学》 1998年第1期40-44,共5页
ＥＨＭＯ方法结合特殊点方案，利用自包容子程序，计算了ＫＩ晶体的态密度，确定了价级位置，得出了其能隙和价带宽度。
关键词 态密度 能隙 EHMO法 KI晶体 电子结构
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反常弛豫的CuCl(110)表面电子态研究
5
作者 徐小树 姚乾凯 +2 位作者 魏英耐 贾瑜 胡行 《郑州大学学报（自然科学版）》 CAS 2000年第4期37-42,共6页
采用考虑 d电子相互作用的 spd紧束缚模型描述具有闪矿结构的半导体 Cu Cl的体能带 ,用形势散射理论方法计算了弛豫的 Cu Cl(110 )表面电子结构 ,给出了表面投影能带结构和表面波矢分辨的层态密度 .计算结果表明 :表面弛豫主要是表面层 ... 采用考虑 d电子相互作用的 spd紧束缚模型描述具有闪矿结构的半导体 Cu Cl的体能带 ,用形势散射理论方法计算了弛豫的 Cu Cl(110 )表面电子结构 ,给出了表面投影能带结构和表面波矢分辨的层态密度 .计算结果表明 :表面弛豫主要是表面层 p- p和 p- 展开更多
关键词 紧束缚模型 散射理论 弛豫 投影能带结构 态密度(110)表面
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NaI晶体能态密度的研究
6
作者 崔玉亭 谢凤萍 《菏泽师专学报》 1998年第4期32-35,共4页
EHMO方法结合特殊点方案,利用自包容子程序,计算了NaI晶体的态密度,确定了价级位置,得出了其能隙和价带宽度。
关键词 态密度 能隙 碘化钠晶体 能态密度 离子晶体
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应变Si_（1－x）Ge_x层本征载流子浓度和有效态密度的解析计算 被引量：6
7
作者 张万荣 曾峥 罗晋生 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1996年第4期314-318,共5页
计算了应变Ｓｉ１－ｘＧｅｘ层的本征载流子浓度及导带和价带有效态密度。用解析方法研究了它们与Ｇｅ组分ｘ和温度Ｔ的依赖关系。发现随Ｇｅ组分ｘ的增加，导带和价带有效态密度随之快速减小，而本征载流于浓度却随之而近乎指数式地增... 计算了应变Ｓｉ１－ｘＧｅｘ层的本征载流子浓度及导带和价带有效态密度。用解析方法研究了它们与Ｇｅ组分ｘ和温度Ｔ的依赖关系。发现随Ｇｅ组分ｘ的增加，导带和价带有效态密度随之快速减小，而本征载流于浓度却随之而近乎指数式地增加。而且，温度Ｔ越低，导带和价带有效态密度随Ｇｅ组分ｘ的增加而减小得越快，而本征载流于浓度上升得越快。同时还发现，具有大Ｇｅ组分ｘ的应变Ｓｉ１－ｘＧｅｘ层，其用Ｓｉ相应参数归一化的导带和价带有效态密度及它们的积对温度Ｔ的依赖关系弱，而具有小Ｇｅ组分ｘ的应变Ｓｉ１－ｘＧｅｘ层，上述归一化参数对温度Ｔ的依赖关系强，这和目前仅有的文献［８］中，它们与温度依赖关系的定性研究结果相一致。 展开更多
关键词 硅锗合金 应变 有效态密度 本征载流子浓度
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应变Si/(001)Si_(1-x)Ge_x本征载流子浓度模型 被引量：3
8
作者 宋建军 张鹤鸣 +2 位作者 胡辉勇 戴显英 宣荣喜 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期2064-2067,共4页
利用应变SiCMOS技术提高载流子迁移率是当前研究发展的重点,本征载流子浓度是应变Si材料的重要物理参数,也是决定应变Si器件电学特性的重要参量.本文基于K.P理论框架,从分析应变Si/(001)Si1-xGex材料能带结构出发,详细推导建立了300K时... 利用应变SiCMOS技术提高载流子迁移率是当前研究发展的重点,本征载流子浓度是应变Si材料的重要物理参数,也是决定应变Si器件电学特性的重要参量.本文基于K.P理论框架,从分析应变Si/(001)Si1-xGex材料能带结构出发,详细推导建立了300K时与Ge组分(x)相关的本征载流子浓度模型.该数据量化模型可为Si基应变器件物理的理解及器件的研究设计提供有价值的参考. 展开更多
关键词 应变SI 有效态密度 本征载流子浓度
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应变SiGe层中本征载流子浓度的计算 被引量：2
9
作者 赵传阵 唐吉玉 +2 位作者 文于华 吴靓臻 孔蕴婷 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2007年第4期449-451,467,共4页
采用解析的方法研究了应变Si_(1-x)Ge_x层中本征载流子浓度n_i与Ge组分x、温度T、掺杂浓度N的定量依赖关系;拟合了价带有效态密度公式和重掺杂禁带变窄公式。发现在一定掺杂浓度下,本征载流子浓度随Ge组分的增加而变大,并且本征载流子... 采用解析的方法研究了应变Si_(1-x)Ge_x层中本征载流子浓度n_i与Ge组分x、温度T、掺杂浓度N的定量依赖关系;拟合了价带有效态密度公式和重掺杂禁带变窄公式。发现在一定掺杂浓度下,本征载流子浓度随Ge组分的增加而变大,并且本征载流子浓度增加的速度越来越快。在一定Ge组分下,本征载流子浓度随掺杂浓度的增加而变大。随着掺杂浓度的增加,本征载流子浓度的增长速度变得越来越缓慢。 展开更多
关键词 锗硅合金 应变 有效态密度 本征载流子浓度 掺杂浓度
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含有2个五边形七边形缺陷对的单壁碳纳米管的电学性能 被引量：1
10
作者 张丽芳 胡慧芳 +1 位作者 汪小知 梁君武 《中南工业大学学报》 CSCD 北大核心 2003年第5期510-512,共3页
在紧束缚近似基础上,应用扩展的Su Schriffer Heeger(SSH)模型,在实空间研究了1根完整"之之"碳管管壁中沿周长方向并排引入2个五边形 七边形拓扑缺陷对所形成的同质结的电学性能;计算了(9,0)-(9,0)和(8,0)-(8,0)系统的电子态... 在紧束缚近似基础上,应用扩展的Su Schriffer Heeger(SSH)模型,在实空间研究了1根完整"之之"碳管管壁中沿周长方向并排引入2个五边形 七边形拓扑缺陷对所形成的同质结的电学性能;计算了(9,0)-(9,0)和(8,0)-(8,0)系统的电子态密度,对五边形 七边形缺陷对在碳管中沿轴向依次排列和沿周长方向并排放置时的电子态密度进行了比较.研究结果表明:五边形 七边形(5/7)拓扑缺陷对决定费米能级附近的电学行为;拓扑缺陷不同的分布与排列方式对碳管电学性能的影响有明显差异. 展开更多
关键词 碳纳米管 拓扑缺陷 电子态密度 同质结 异质结
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BN(110)弛豫表面电子结构的理论研究
11
作者 徐小树 王玉仓 +4 位作者 魏英耐 姚乾凯 马丙现 贾瑜 胡行 《河南教育学院学报（自然科学版）》 2001年第1期21-24,共4页
本文利用形式散射理论的格林函数方法 ,采用考虑最紧邻的sp3s 模型描述体带 ,计算了BN(110 )面的电子结构 .分别给出了理想表面和驰豫表面的投影带结构和波矢分辨的层态密度 ,并进行了较详细的讨论 .结果表明 :BN(110 )面的电子结构与... 本文利用形式散射理论的格林函数方法 ,采用考虑最紧邻的sp3s 模型描述体带 ,计算了BN(110 )面的电子结构 .分别给出了理想表面和驰豫表面的投影带结构和波矢分辨的层态密度 ,并进行了较详细的讨论 .结果表明 :BN(110 )面的电子结构与大多数Ⅲ Ⅴ族和Ⅱ Ⅵ族半导体的 (110 )面的电子结构定性上是类似的 .但在各表面态的能级位置、色散特性和轨道特性等方面均有较大的差别 . 展开更多
关键词 散射理论 BN(110)面 反常弛豫 投影带结构 层态密度 半导体 电子结构
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团簇Ni_3CoP电子性质与磁性研究 被引量：50
12
作者 李历红 方志刚 +1 位作者 赵振宁 秦渝 《江西师范大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2019年第2期160-166,共7页
设计团簇Ni_3CoP模型对非晶态合金Ni-Co-P进行局域结构的模拟,基于密度泛函理论(DFT)并在B3LYP/Lanl2dz水平下运用Gaussian 09程序对其进行结构优化以及有关电子性质与磁性的计算,对所得到的理论数据进行分析.结果表明:团簇Ni_3CoP费米... 设计团簇Ni_3CoP模型对非晶态合金Ni-Co-P进行局域结构的模拟,基于密度泛函理论(DFT)并在B3LYP/Lanl2dz水平下运用Gaussian 09程序对其进行结构优化以及有关电子性质与磁性的计算,对所得到的理论数据进行分析.结果表明:团簇Ni_3CoP费米能级左侧的最高峰由Ni-d、Co-d、P-p共振产生,形成了d-d-p杂化的成键轨道,并主要由Ni-d轨道贡献;对于团簇Ni_3CoP内部的电子转移,以P原子提供电子的能力最强,Co原子次之,Ni原子则整体以接受电子为主.团簇Ni_3CoP 3重态下的构型具有磁性,且Ni原子磁矩对团簇总磁矩的贡献较大.分析d轨道的电子自旋态密度图,发现其对称性最不好,这说明其上的成单电子最多,是团簇磁性的主要来源.同时,研究还发现p轨道对团簇磁性的贡献同样不可忽略. 展开更多
关键词 团簇Ni3CoP 电子性质 磁性 态密度 密度泛函理论
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团簇Co_(3)NiB_(2)极化率、偶极矩及态密度研究 被引量：35
13
作者 方志刚 王智瑶 +5 位作者 郑新喜 秦渝 毛智龙 曾鑫渔 朱依文 王倩 《贵州大学学报（自然科学版）》 2022年第1期17-24,共8页
为探究团簇Co_(3)NiB_(2)内部结构的相关状况及极性强弱,基于拓扑学原理和密度泛函理论,在B3LYP/lanl2dz水平下,对团簇12种优化构型的极化率、偶极矩及态密度进行深入研究,最终得出以下结论:通过对团簇形变程度的排序分析可得,极化率张... 为探究团簇Co_(3)NiB_(2)内部结构的相关状况及极性强弱,基于拓扑学原理和密度泛函理论,在B3LYP/lanl2dz水平下,对团簇12种优化构型的极化率、偶极矩及态密度进行深入研究,最终得出以下结论:通过对团簇形变程度的排序分析可得,极化率张量对团簇的几何结构具有很强的依赖性;分析团簇对外场响应程度的排序可以发现,极化率各向异性不变量对团簇的几何结构具有较强的依赖性,但依赖性不及极化率张量;从偶极矩角度分析发现,团簇所有优化构型均为极性分子,其中构型4^((4))的分子极性最强,构型4^((2))的分子极性最弱;对态密度进行分析发现,团簇的成键主要存在p-p、d-d-p、d-p-p-p、s-s-p-p-p和d-d-p-p-p 5种杂化方式,其中,p-p、d-d-p杂化作用较强,d-p-p-p、s-s-p-p-p、d-d-p-p-p杂化作用较弱。此外,团簇所有优化构型的A、B、D、E峰处的杂化情况完全一致,仅有C峰的杂化情况因构型重态的不同而存在差异,说明C峰处的杂化情况会在一定程度上受团簇多重度的影响。 展开更多
关键词 团簇Co_(3)NiB_(2) 极化率 偶极矩 态密度
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ZnO电子结构和p型传导特性的第一性原理研究 被引量：29
14
作者 张金奎 邓胜华 +1 位作者 金慧 刘悦林 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第9期5371-5375,共5页
基于密度泛函理论(DFT)框架下的第一性原理平面波超软赝势方法(USPP),对不同掺杂情况的ZnO晶体几何结构分别进行了优化计算,从理论上给出了ZnO的晶胞参数,得到了ZnO的总体态密度(TDOS)和氮原子2p态的分波态密度(PDOS).计算结果表明:原... 基于密度泛函理论(DFT)框架下的第一性原理平面波超软赝势方法(USPP),对不同掺杂情况的ZnO晶体几何结构分别进行了优化计算,从理论上给出了ZnO的晶胞参数,得到了ZnO的总体态密度(TDOS)和氮原子2p态的分波态密度(PDOS).计算结果表明:原胞体积随着掺杂比例的提高而逐渐减小;将氮铝按照2∶1的原子比例共掺可以使氮的掺杂浓度比只掺杂氮时明显提高,且随着铝在锌靶中掺入比例的增加,载流子迁移率提高,浓度增大,使得p型ZnO电导率提高,传导特性增强. 展开更多
关键词 共掺 p型传导 态密度 第一性原理 氧化锌 电子结构 密度泛函理论 宽禁带半导体材料
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团簇Fe_(4)P的成键及极化率探究 被引量：19
15
作者 侯欠欠 方志刚 +1 位作者 秦渝 朱依文 《广西师范大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2021年第6期140-146,共7页
为寻找Fe、P原子成键的杂化方式对团簇Fe_(4)P稳定性的影响,以及极化率与各优化构型稳定性之间的关系,根据密度泛函理论以及拓扑学原理,在B3LYP/lanl2dz较高量子化学水平下,设计团簇Fe_(4)P在二、四重态下共16种初始构型,通过优化及筛选... 为寻找Fe、P原子成键的杂化方式对团簇Fe_(4)P稳定性的影响,以及极化率与各优化构型稳定性之间的关系,根据密度泛函理论以及拓扑学原理,在B3LYP/lanl2dz较高量子化学水平下,设计团簇Fe_(4)P在二、四重态下共16种初始构型,通过优化及筛选,最终得到8种能稳定存在的优化构型。对8种构型的极化率以及态密度进行研究,得出如下结论:构型5^((4))极化率各向异性不变量最大,对于外场的响应最强,容易受到外场的影响;构型2^((2))的极化率最大,其变形程度最大;构型2^((4))的极化率数值最小,最不易发生变形,同时也表明多重度在一定程度上会影响构型的极化率。Fe—P键主要存在5种杂化方式,分别为p-p、p-d、p-p-d、p-d-d和s-s-p-p杂化,其中p-d、p-p-d杂化作用较强,促进了团簇Fe_(4)P中Fe—P键的稳定性。 展开更多
关键词 团簇Fe_(4)P 密度泛函理论 极化率 态密度 杂化方式
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N掺杂SnO_2材料光电性质的第一性原理研究 被引量：18
16
作者 于峰 王培吉 张昌文 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第10期7285-7290,共6页
采用全电势线性缀加平面波(full potential linearized augmented plane wave method,简记为FP-LAPW)方法,基于密度泛函理论第一性原理计算分析N掺杂SnO2材料,研究了在N替代O原子和N替代Sn原子情况下的电子态密度、电荷密度分布以及光... 采用全电势线性缀加平面波(full potential linearized augmented plane wave method,简记为FP-LAPW)方法,基于密度泛函理论第一性原理计算分析N掺杂SnO2材料,研究了在N替代O原子和N替代Sn原子情况下的电子态密度、电荷密度分布以及光学性质.研究表明N掺杂替代Sn较之N掺杂替代O原子的带隙要宽,都宽于SnO2的本征带隙,且两种情况下N分别处于负氧化态和正氧化态,其介电函数谱也与带隙对应发生蓝移,从理论上指出了光学性质与电子结构之间的内在关系。 展开更多
关键词 电子结构 态密度 光学性质 介电函数
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甲醛在CeO_2(111)表面吸附的密度泛函理论研究 被引量：15
17
作者 蒋仕宇 滕波涛 +4 位作者 鲁继青 刘雪松 杨培芳 杨飞勇 罗孟飞 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2008年第11期2025-2031,共7页
采用基于第一性原理的密度泛函理论和周期平板模型,研究了甲醛在以桥氧为端面的CeO2(111)稳定表面上的吸附行为.通过对不同覆盖度,不同吸附位的甲醛吸附构型、吸附能及电子态密度的分析发现,甲醛在CeO2(111)表面存在化学吸附与物理吸附... 采用基于第一性原理的密度泛函理论和周期平板模型,研究了甲醛在以桥氧为端面的CeO2(111)稳定表面上的吸附行为.通过对不同覆盖度,不同吸附位的甲醛吸附构型、吸附能及电子态密度的分析发现,甲醛在CeO2(111)表面存在化学吸附与物理吸附两种情况.化学吸附结构中甲醛的碳、氧原子分别与表面的氧、铈原子发生相互作用,形成CH2O2物种;吸附能随着覆盖度的增加而减小.与自由甲醛分子相比,物理吸附的甲醛构型变化不大,其吸附能较小.利用CNEB(climbing nudged elastic band)方法计算了甲醛在CeO2(111)表面的初步解离反应活化能(约1.71eV),远高于甲醛脱附能垒,这与甲醛在清洁CeO2(111)表面程序升温脱附实验中产物主要为甲醛的结果相一致. 展开更多
关键词 二氧化铈 甲醛 密度泛函理论 周期平板模型 态密度
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高压下ZnS的电子结构和性质 被引量：11
18
作者 胡永金 崔磊 +3 位作者 赵江 滕玉永 曾祥华 谭明秋 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第7期4079-4084,共6页
运用密度泛函理论体系下的平面波赝势(PWP)和广义梯度近似(GGA)方法,计算研究了闪锌矿结构的ZnS晶体在不同的外界压强下的电子结构.通过分析发现,随着外界压强的增大,晶格常数和键长在不断缩小,从S原子向Zn原子转移的电荷越来越少,Zn—... 运用密度泛函理论体系下的平面波赝势(PWP)和广义梯度近似(GGA)方法,计算研究了闪锌矿结构的ZnS晶体在不同的外界压强下的电子结构.通过分析发现,随着外界压强的增大,晶格常数和键长在不断缩小,从S原子向Zn原子转移的电荷越来越少,Zn—S键的共价性逐渐增强,Zn原子和S原子的态密度都有不同程度的变化,而且还有向低能量移动的趋势.当外界压强达到24GPA时,ZnS从直接带隙半导体变成间接带隙半导体,而且随着压强的增大,间接带隙逐渐变小,直接带隙逐渐增大. 展开更多
关键词 闪锌矿结构 态密度 能带结构 密度泛函理论
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六方AlN本征缺陷的第一性原理研究 被引量：15
19
作者 耶红刚 陈光德 +1 位作者 竹有章 张俊武 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第9期5376-5381,共6页
用基于密度泛函理论平面波赝势法首先对六方AlN本征点缺陷(氮空位、铝空位、氮替代铝、铝替代氮、氮间隙、铝间隙)存在时的晶格结构进行优化,得到其稳定结构;然后通过各缺陷形成能的计算可得知其在生长过程中形成的难易程度;最后从态密... 用基于密度泛函理论平面波赝势法首先对六方AlN本征点缺陷(氮空位、铝空位、氮替代铝、铝替代氮、氮间隙、铝间隙)存在时的晶格结构进行优化,得到其稳定结构;然后通过各缺陷形成能的计算可得知其在生长过程中形成的难易程度;最后从态密度的角度对各种本征点缺陷引起的缺陷能级及电子占据情况进行了分析.发现除氮空位外其他本征缺陷在带隙中形成的能级都很深,要得到n型或p型AlN必须要引入外来杂质.计算得到的本征缺陷能级对于分析AlN的一些非带边辐射机理有重要帮助. 展开更多
关键词 六方AlN 形成能 缺陷能级 态密度
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F掺杂SnO_2电子结构的模拟计算 被引量：13
20
作者 徐剑 黄水平 +2 位作者 王占山 鲁大学 苑同锁 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第12期7195-7200,共6页
采用基于密度泛函理论的平面波赝势方法对SnO2:F体系的电子结构进行了第一性原理模拟计算.用广义梯度近似方法优化SnO2:F体系的晶胞结构,计算了体系基态总能.通过确定F掺杂对O的优先替代位置,计算了SnO2:F的能带结构、态密度、分波态密... 采用基于密度泛函理论的平面波赝势方法对SnO2:F体系的电子结构进行了第一性原理模拟计算.用广义梯度近似方法优化SnO2:F体系的晶胞结构,计算了体系基态总能.通过确定F掺杂对O的优先替代位置,计算了SnO2:F的能带结构、态密度、分波态密度.分析了F掺杂对SnO2晶体的电子结构和晶体性质及光学吸收边的影响,从理论上得出光学吸收边发生蓝移.对不同掺杂量的体系电子结构进行了分析. 展开更多
关键词 F掺杂 SNO2 电子结构 态密度
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