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三维针刺C/SiC密度梯度板的无损检测与评价 被引量：3
1
作者 梅辉 陈曦 +3 位作者 邓晓东 孙磊 成来飞 张立同 《复合材料学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期106-112,共7页
采用红外热成像设备检测三维针刺密度梯度纤维预制体化学气相渗透法(CVI)沉积碳化硅(SiC)前后内部的密度变化,追踪材料内部缺陷的遗传性,并用X射线和工业电子计算机X射线断层扫描技术(CT)验证上述实验的可靠性。结果表明:原预制体内部... 采用红外热成像设备检测三维针刺密度梯度纤维预制体化学气相渗透法(CVI)沉积碳化硅(SiC)前后内部的密度变化,追踪材料内部缺陷的遗传性,并用X射线和工业电子计算机X射线断层扫描技术(CT)验证上述实验的可靠性。结果表明:原预制体内部的孔洞缺陷因渗入SiC基体而被填充,缺陷消失;原预制体内部无缺陷处,经过CVI致密化工艺后产生新的孔洞缺陷,说明利用红外热成像技术可以追踪材料内部孔洞缺陷的遗传性;三维针刺密度梯度纤维预制体CVI沉积SiC前后,密度梯度发生逆转变化。 展开更多
关键词 复合材料 无损检测 针刺密度梯度纤维预制体 红外热成像 缺陷遗传性
原文传递
缺陷对一维线性函数光子晶体传输特性的影响
2
作者 李宏 张斯淇 +4 位作者 吴向尧 刘晓静 巴诺 王婧 郭义庆 《吉首大学学报（自然科学版）》 CAS 2013年第5期53-55,59,共4页
采用传输矩阵法计算光在掺杂缺陷的线性函数光子晶体中的传输特性,与不包含缺陷的结构进行比较.研究结果表明,在禁带中形成缺陷模,其强度不仅与缺陷层位置有关,而且与缺陷层折射率的变化有关,并随着缺陷层位置的移动而变弱;缺陷层位置... 采用传输矩阵法计算光在掺杂缺陷的线性函数光子晶体中的传输特性,与不包含缺陷的结构进行比较.研究结果表明,在禁带中形成缺陷模,其强度不仅与缺陷层位置有关,而且与缺陷层折射率的变化有关,并随着缺陷层位置的移动而变弱;缺陷层位置和缺陷折射率影响着场强分布. 展开更多
关键词 线性函数光子晶体 传输矩阵 缺陷模 透射率 电场分布
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