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单晶硅振动环陀螺仪的制作 被引量:5
1
作者 张明 陈德勇 王军波 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第11期2454-2460,共7页
为了简化电容式振动环陀螺仪的制作方法,进一步提高成品率,提出了一种结合反应离子深刻蚀(DRIE)与阳极键合的陀螺仪制备方法。分析了振动环陀螺的工作原理,指出了传统工艺存在的缺陷;对该制作方法所采用的工艺流程进行了详细设计,分析... 为了简化电容式振动环陀螺仪的制作方法,进一步提高成品率,提出了一种结合反应离子深刻蚀(DRIE)与阳极键合的陀螺仪制备方法。分析了振动环陀螺的工作原理,指出了传统工艺存在的缺陷;对该制作方法所采用的工艺流程进行了详细设计,分析了不同工艺参数对陀螺仪性能的影响,并依据分析和实验结果改进了工艺流程和参数。最后,采用该方法制作了振动环式微机械陀螺仪并进行了测试。实验结果表明,采用该方法能成功制作电容间隙为3μm、厚度为80μm的振动环式陀螺仪微结构。与传统的制作方法相比,工艺流程大为简化,掩模板数量从7块减少到2块,满足器件性能可靠、工艺简单、成品率高的要求。 展开更多
关键词 微机械加工工艺 深刻蚀 阳极键合 振动环陀螺
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基于体硅工艺的定位平台制作工艺分析 被引量:6
2
作者 王家畴 荣伟彬 +1 位作者 李昕欣 孙立宁 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期636-641,共6页
针对纳米定位平台的构型和定位精度问题,采用体硅加工技术成功地研制了一种基于单晶硅并带有位移检测功能的新型二自由度纳米级定位平台。介绍了定位平台的相关制作工艺,并对关键工艺进行了分析,总结了导致器件失效的主要原因,探讨了减... 针对纳米定位平台的构型和定位精度问题,采用体硅加工技术成功地研制了一种基于单晶硅并带有位移检测功能的新型二自由度纳米级定位平台。介绍了定位平台的相关制作工艺,并对关键工艺进行了分析,总结了导致器件失效的主要原因,探讨了减少失效的方法。同时,提出了一种可行的面内侧面压阻加工方法。通过对深度反应离子刻蚀(DRIE)工艺参数的调整,成功地刻蚀出大尺寸、大深宽比的结构释放窗口,释放了最小线宽为2.5μm,厚度为50μm的梳齿结构。 展开更多
关键词 体硅工艺 深度反应离子刻蚀 背片技术 面内侧面压阻 纳米级定位平台
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用于3D封装的带TSV的超薄芯片新型制作方法 被引量:4
3
作者 袁娇娇 吕植成 +4 位作者 汪学方 师帅 吕亚平 张学斌 方靖 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2013年第2期118-123,128,共7页
提出了一种应用于3D封装的带有硅通孔(TSV)的超薄芯片的制作方法。具体方法为通过刻蚀对硅晶圆打孔和局部减薄,然后进行表面微加工,最后从硅晶圆上分离出超薄芯片。利用两种不同的工艺实现了TSV的制作和硅晶圆局部减薄,一种是利用深反... 提出了一种应用于3D封装的带有硅通孔(TSV)的超薄芯片的制作方法。具体方法为通过刻蚀对硅晶圆打孔和局部减薄,然后进行表面微加工,最后从硅晶圆上分离出超薄芯片。利用两种不同的工艺实现了TSV的制作和硅晶圆局部减薄,一种是利用深反应离子刻蚀(DRIE)依次打孔和背面减薄,另一种是先利用KOH溶液湿法腐蚀局部减薄,再利用DRIE刻蚀打孔。通过实验优化了KOH和异丙醇(IPA)的质量分数分别为40%和10%。这种方法的优点在于制作出的超薄芯片翘曲度相较于CMP减薄的小,而且两个表面都可以进行表面微加工,使集成度提高。利用这种方法已经在实验室制作出了厚50μm的带TSV的超薄芯片,表面粗糙度达到0.02μm,并无孔洞地电镀填满TSV,然后在两面都制作了凸点,在表面进行了光刻、溅射和剥离等表面微加工工艺。实验结果证实了该方法的可行性。 展开更多
关键词 3D集成 硅通孔(TSV) 减薄 深反应离子刻蚀(drie) 湿法腐蚀 电镀
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DRIE技术加工W波段行波管折叠波导慢波结构的研究 被引量:4
4
作者 李含雁 冯进军 白国栋 《中国电子科学研究院学报》 2011年第4期427-431,共5页
简要介绍了利用深反应离子刻蚀制作折叠波导慢波结构的现状及制作的工艺流程。对深反应离子刻蚀掩膜制作即光刻工艺,以及折叠波导慢波结构的深刻加工进行了深入的研究。详细分析了各光刻工艺对光刻胶图形的影响,尤其是前烘对光刻胶图像... 简要介绍了利用深反应离子刻蚀制作折叠波导慢波结构的现状及制作的工艺流程。对深反应离子刻蚀掩膜制作即光刻工艺,以及折叠波导慢波结构的深刻加工进行了深入的研究。详细分析了各光刻工艺对光刻胶图形的影响,尤其是前烘对光刻胶图像侧壁垂直度的影响;在深反应离子刻蚀中,还详细分析了刻蚀时间、下电极功率以及刻蚀气体气压对刻蚀结果的影响。经参数优化后获得最佳工艺参数,并制作出带有电子注通道的W波段折叠波导慢波结构,慢波结构深为946μm,侧壁垂直度为91°,电子注通道深为225μm,侧壁垂直度为90°。 展开更多
关键词 折叠波导 微细加工 深反应离子刻蚀 光刻工艺
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大高宽比纳米硅立柱的感应耦合等离子体刻蚀工艺优化 被引量:4
5
作者 李欣 刘建朋 +5 位作者 陈烁 张思超 邓彪 肖体乔 孙艳 陈宜方 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第7期73-77,共5页
针对氢基硅倍半氧烷(hydrogen silsesquioxane,HSQ)作为深反应离子刻蚀(DRIE)掩膜形成大高宽比纳米硅立柱的工艺进行了系统研究。优化了刻蚀工艺中线圈功率、极板功率和气体流量参数,减小了横向刻蚀,使形貌垂直性得到了更好的控制,并实... 针对氢基硅倍半氧烷(hydrogen silsesquioxane,HSQ)作为深反应离子刻蚀(DRIE)掩膜形成大高宽比纳米硅立柱的工艺进行了系统研究。优化了刻蚀工艺中线圈功率、极板功率和气体流量参数,减小了横向刻蚀,使形貌垂直性得到了更好的控制,并实现了13.3μm高度和低侧壁粗糙度的垂直硅纳米柱阵列,其高宽比(高度/半高宽)达到了36。利用不同的刻蚀工艺条件得到了不同侧壁形貌以及不同尺寸、高度的硅纳米柱结构。 展开更多
关键词 HSQ 深反应离子刻蚀 硅纳米柱 高宽比 硬X射线
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基于双面TSV互连技术的超厚硅转接板制备 被引量:3
6
作者 杨海博 戴风伟 +1 位作者 王启东 曹立强 《微纳电子技术》 北大核心 2019年第7期580-585,592,共7页
为了满足异质集成应用中对转接板机械性能方面的需求,提出了一种基于双面硅通孔(TSV)互连技术的超厚硅转接板的制备工艺方案。该方案采用Bosch工艺在转接板正面形成300μm深的TSV,通过结合保型性电镀工艺和底部填充电镀工艺进行TSV填充... 为了满足异质集成应用中对转接板机械性能方面的需求,提出了一种基于双面硅通孔(TSV)互连技术的超厚硅转接板的制备工艺方案。该方案采用Bosch工艺在转接板正面形成300μm深的TSV,通过结合保型性电镀工艺和底部填充电镀工艺进行TSV填充。在转接板背面工艺中首先通过光刻将双面TSV的重叠部分控制在一个理想的范围内,然后经深反应离子刻蚀(DRIE)工艺形成深度为20μm的TSV并完成绝缘层开窗,最后使用保型性电镀完成TSV互连。通过解决TSV刻蚀中侧壁形貌粗糙、TSV底部金属层过薄和光刻胶显影不洁等关键问题,最终得到了双面互连电阻约为20Ω、厚度约为323μm的硅转接板。 展开更多
关键词 转接板 异质集成 硅通孔(TSV) 先进封装 深反应离子刻蚀(drie) 保型性电镀
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DRIE工艺误差对MEMS梳齿谐振器频率的影响 被引量:3
7
作者 王强 高杨 +1 位作者 贾小慧 柏鹭 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2010年第12期776-780,共5页
针对深反应离子刻蚀(DRIE)工艺加工高深宽比梳齿电容存在侧壁倾斜角的情况,分析了该倾斜角对梳齿谐振器频率的影响。为了使设计的梳齿谐振器频率符合应用要求,推导出了梳齿谐振器在正负侧壁倾斜角θ下的谐振频率计算公式。利用ANSYS Wor... 针对深反应离子刻蚀(DRIE)工艺加工高深宽比梳齿电容存在侧壁倾斜角的情况,分析了该倾斜角对梳齿谐振器频率的影响。为了使设计的梳齿谐振器频率符合应用要求,推导出了梳齿谐振器在正负侧壁倾斜角θ下的谐振频率计算公式。利用ANSYS Workbench11.0平台,分别对侧壁倾斜角为0°,0.2°,0.35°和0.5°的情形进行了有限元建模与模态仿真。仿真结果表明:随着正倾斜角的增大,谐振频率减小;负倾斜角增大时,谐振频率增大,且一阶模态振形的平稳程度越差。比较数值仿真结果与考虑了正负倾斜角误差的梳齿谐振器谐振频率计算公式计算结果对比,吻合较好。 展开更多
关键词 微电子机械系统(MEMS) 梳齿谐振器 深反应离子刻蚀 高深宽比 倾斜角 谐振频率
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微机械陀螺DRIE刻蚀过程中的局域掩膜效应 被引量:2
8
作者 冷悦 焦继伟 +3 位作者 张颖 顾佳烨 颜培力 宓斌玮 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第8期1070-1074,共5页
在微机电系统(MEMS)制造中,深反应离子刻蚀(DRIE)过程的精度是影响器件特性的重要因素之一。本文设计了一种完全对称弹性梁结构的模态匹配式陀螺的原型器件,以此为对象研究了局域掩膜图形对于DRIE刻蚀过程的影响。器件的测试结果表明驱... 在微机电系统(MEMS)制造中,深反应离子刻蚀(DRIE)过程的精度是影响器件特性的重要因素之一。本文设计了一种完全对称弹性梁结构的模态匹配式陀螺的原型器件,以此为对象研究了局域掩膜图形对于DRIE刻蚀过程的影响。器件的测试结果表明驱动和检测模态有明显的失配,该失配的发生原因除了气体阻尼,更主要来源于驱动和检测结构弹性梁尺寸的工艺偏差。在分析了实验过程及结果的基础上可以认为,除了典型的DRIE滞后效应等因素外,器件结构的局域掩膜效应加剧了工艺偏差:对称弹性梁结构周边的非对称掩膜图形导致了刻蚀气体分布的局部不均匀,增加了DRIE刻蚀的侧蚀偏差。 展开更多
关键词 MEMS陀螺 深反应离子刻蚀 非对称结构 局域掩膜效应 模态失配
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Subtle Variations in Surface Properties of Black Silicon Surfaces Influence the Degree of Bactericidal Efficiency
9
作者 Chris M.Bhadra Marco Werner +9 位作者 Vladimir A.Baulin Vi Khanh Truong Mohammad Al Kobaisi Song Ha Nguyen Armandas Balcytis Saulius Juodkazis James Y.Wang David E.Mainwaring Russell J.Crawford Elena P.Ivanova 《Nano-Micro Letters》 SCIE EI CAS 2018年第2期239-246,共8页
One of the major challenges faced by the biomedical industry is the development of robust synthetic surfaces that can resist bacterial colonization. Much inspiration has been drawn recently from naturally occurring me... One of the major challenges faced by the biomedical industry is the development of robust synthetic surfaces that can resist bacterial colonization. Much inspiration has been drawn recently from naturally occurring mechano-bactericidal surfaces such as the wings of cicada(Psaltoda claripennis) and dragonfly(Diplacodes bipunctata) species in fabricating their synthetic analogs. However,the bactericidal activity of nanostructured surfaces is observed in a particular range of parameters reflecting the geometry of nanostructures and surface wettability. Here,several of the nanometer-scale characteristics of black silicon(bSi) surfaces including the density and height of the nanopillars that have the potential to influence the bactericidal efficiency of these nanostructured surfaces have been investigated. The results provide important evidence that minor variations in the nanoarchitecture of substrata can substantially alter their performance as bactericidal surfaces. 展开更多
关键词 Black silicon Nanoarchitecture Bactericidal efficiency deep reactive ion etching(drie) Neural network analysis
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一种真空度可调的圆片级封装技术 被引量:1
10
作者 罗蓉 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2013年第8期534-537,共4页
提出了一种MEMS器件的圆片级封装技术。通过金硅键合和DRIE通孔制备等关键工艺技术,可以实现真空度从102 Pa到2个大气压可调的圆片级封装。作为工艺验证,成功实现了圆片级真空封装MEMS陀螺仪的样品制备。对封装后的陀螺仪样品进行了剪... 提出了一种MEMS器件的圆片级封装技术。通过金硅键合和DRIE通孔制备等关键工艺技术,可以实现真空度从102 Pa到2个大气压可调的圆片级封装。作为工艺验证,成功实现了圆片级真空封装MEMS陀螺仪的样品制备。对封装后的陀螺仪样品进行了剪切力和品质因数Q值测试,剪切力测试结果证明封装样品键合强度达到5 kg以上,圆片级真空封装后陀螺的品质因数Q值约为75 000,对该陀螺的品质因数进行了历时1年的跟踪测试,在此期间品质因数Q的最大变化量小于7‰,品质因数测试结果表明封装具有较好的真空特性。 展开更多
关键词 微电子机械系统(MEMS) 圆片级封装(WLP) 密封 深反应离子刻蚀(drie) 金硅共晶键合
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硅基MEMS环形波动陀螺谐振结构的研制 被引量:1
11
作者 寇志伟 刘俊 +2 位作者 曹慧亮 石云波 张英杰 《微纳电子技术》 北大核心 2018年第3期178-182,218,共6页
根据固体波动陀螺的工作机理与振动特性,提出并制作了一种新颖的电容式全对称硅基MEMS环形波动陀螺谐振结构。设计了全对称双U形弹性梁环形敏感结构并进行了动力学分析。分析结果表明其工作模态的谐振频率为10.193 0与10.198 0 kHz,频... 根据固体波动陀螺的工作机理与振动特性,提出并制作了一种新颖的电容式全对称硅基MEMS环形波动陀螺谐振结构。设计了全对称双U形弹性梁环形敏感结构并进行了动力学分析。分析结果表明其工作模态的谐振频率为10.193 0与10.198 0 kHz,频率差为5 Hz,表明该敏感结构在结构设计上具有高灵敏度。研究了基于深反应离子刻蚀(DRIE)与阳极键合技术的玻璃上硅(SOG)结构加工制造流程,并成功制作了该环形谐振结构。模态响应测试表明该硅基MEMS环形波动陀螺敏感结构的工作模态谐振频率为10.985 0和10.962 5 kHz,与动力学仿真分析结果的相对误差为7.21%,表明该陀螺谐振结构设计合理,加工工艺流程可行。 展开更多
关键词 微电子机械系统(MEMS) 环形波动陀螺 谐振结构 深反应离子刻蚀(drie) 玻璃上硅(SOG)结构
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Notching效应在MEMS风速仪制造工艺中的应用 被引量:1
12
作者 常洪龙 周平伟 +3 位作者 谢建兵 杨勇 谢中建 袁广民 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2013年第2期191-194,共4页
深反应离子刻蚀(DRIE)工艺在目前的硅微机械高深宽比结构加工中应用十分广泛。在SOI硅片DRIE刻蚀过程中,存在着一些被认为对刻蚀速率和结构轮廓不利的效应,如横向刻蚀(Notching)效应。通过在结构旁布置牺牲结构-硅岛,利用Notching效应... 深反应离子刻蚀(DRIE)工艺在目前的硅微机械高深宽比结构加工中应用十分广泛。在SOI硅片DRIE刻蚀过程中,存在着一些被认为对刻蚀速率和结构轮廓不利的效应,如横向刻蚀(Notching)效应。通过在结构旁布置牺牲结构-硅岛,利用Notching效应加工出以悬空硅作为敏感单元的风速仪,其响应时间常数和电阻温度系数TCR(Temperature Coefficient of Resistant)分别为1.08μs和4 738×10-6/℃。正如所描述的,对于特定的微机械应用,Notching效应可以转变为一种加工优势,提高了微加工过程中的变化性。 展开更多
关键词 MEMS风速仪 悬空硅 横向刻蚀效应 深反应离子刻蚀
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基于SOI衬底加工的微型电场传感器研究(英文)
13
作者 邓凯 夏善红 +2 位作者 龚超 白强 陈绍凤 《纳米技术与精密工程》 CAS CSCD 2004年第4期284-287,共4页
提出了一种基于微机械技术的微型电场传感器.该器件由振动部分和感应电极组成,通过静电梳齿结构驱动,并利用溅射到衬底的栅状金电极作为工作电极.基于SOI衬底加工的设计流程能够简化悬浮结构的制备.由于器件运动中受滑膜阻尼作用,因此... 提出了一种基于微机械技术的微型电场传感器.该器件由振动部分和感应电极组成,通过静电梳齿结构驱动,并利用溅射到衬底的栅状金电极作为工作电极.基于SOI衬底加工的设计流程能够简化悬浮结构的制备.由于器件运动中受滑膜阻尼作用,因此可在大气下测试和封装,能够节约成本.阐述了器件的工作原理、结构仿真以及其键合/减薄工艺流程.该器件具有小尺寸和批量生产的优势,有望在安全预警和航天器升空环境探测等方面得以 应用. 展开更多
关键词 SOI 衬底 器件 小尺寸 键合 微型 封装 电场传感器 环境探测 测试
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深槽刻蚀工艺中lag效应的研究(英文)
14
作者 宋运康 滕霖 熊恒 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2013年第3期177-183,共7页
等离子体深刻蚀技术是MEMS制备的关键,利用该技术进行刻蚀时,会出现lag效应和反常lag效应,严重影响器件的性能。为了消除lag效应,建立刻蚀和钝化模型分析lag的产生,并利用ARDE表征lag。采用"四因子-三水平"的正交实验研究不... 等离子体深刻蚀技术是MEMS制备的关键,利用该技术进行刻蚀时,会出现lag效应和反常lag效应,严重影响器件的性能。为了消除lag效应,建立刻蚀和钝化模型分析lag的产生,并利用ARDE表征lag。采用"四因子-三水平"的正交实验研究不同工艺参数对lag的影响,得到工艺参数影响lag的优先级:线圈功率和极板功率对lag产生影响最大,与此同时得到一组最优的实验参数。在低线圈功率和低极板功率条件下,研究了改变压强和气体流量对lag的影响,增加压强和气体流量都会减小lag。最终通过优化工艺参数得到了反常lag结构和lag消除的刻蚀结构。 展开更多
关键词 等离子体深刻蚀(drie) 微电子机械系统(MEMS) lag效应 反常lag效应 平衡模型 正交实验
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一种静电驱动电容检测的微机械陀螺及其工艺改进
15
作者 郑旭东 胡世昌 +2 位作者 张霞 金仲和 王跃林 《中国机械工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第18期2160-2163,2177,共5页
介绍了一种新型的体硅微机械工艺制造的框架式陀螺及其工艺改进。框架式设计使得陀螺的驱动模态和检测模态解耦;静电力驱动外框使得陀螺进入初始谐振模态;通过内部质量块和固定电极组成的差分敏感电容对的电容极板交叠面积的变化来检测... 介绍了一种新型的体硅微机械工艺制造的框架式陀螺及其工艺改进。框架式设计使得陀螺的驱动模态和检测模态解耦;静电力驱动外框使得陀螺进入初始谐振模态;通过内部质量块和固定电极组成的差分敏感电容对的电容极板交叠面积的变化来检测输入的角速度信号;变面积的检测方法消除了变间距检测电容变化的非线性。陀螺的驱动模态和检测运动模态都在平面内运动,因此工作阻尼以滑模阻尼为主,从而使得器件在常压下也具有较高的品质因子。深反应离子刻蚀获得了大的可动质量块,也使得弹性梁在Y方向和Z方向上有较大的弹性系数,从而降低交叉耦合并获得了较高的吸合电压。改进后的工艺过程降低了深反应离子刻蚀过程中的根部效应对器件的损伤,并同时使得质量块质量增加了50%。对原型器件的驱动和检测特性以及功能结果进行了测试,并给出了测试结果。 展开更多
关键词 微机械陀螺 体硅微机械加工 电容敏感 深反应离子刻蚀 根部效应
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基于双面盲孔电镀的硅通孔工艺研究
16
作者 李明浩 王俊强 李孟委 《微电子学》 CAS 北大核心 2021年第2期265-269,共5页
针对当前微机电系统(MEMS)发展对小型化封装的需求,设计了一种高可靠性、低成本、高深宽比的硅通孔(TSV)结构工艺流程。该工艺流程的核心是双面盲孔电镀,将TSV结构的金属填充分为正、反两次填充,最后获得了深度为155μm、直径为41μm的... 针对当前微机电系统(MEMS)发展对小型化封装的需求,设计了一种高可靠性、低成本、高深宽比的硅通孔(TSV)结构工艺流程。该工艺流程的核心是双面盲孔电镀,将TSV结构的金属填充分为正、反两次填充,最后获得了深度为155μm、直径为41μm的TSV结构。使用功率器件分析仪对TSV结构的电学性能进行了测试,使用X光检测机和扫描电子显微镜(SEM)分别观察了TSV结构内部的缺陷分布和填充情况。测试结果证明,TSV样品导电性能良好,电阻值约为1.79×10^(-3)Ω,孔内完全填充,没有空洞。该研究为实现MEMS的小型化封装提供了一种解决方法。 展开更多
关键词 硅通孔 微机电系统封装 双面盲孔电镀 深反应离子刻蚀
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