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500 V LDMOS研制
1
作者
崔金洪
石金成
《电子与封装》
2015年第1期36-40,共5页
为了降低器件的制造成本,又可以和低压器件实现自主隔离集成在一起,所以需要价格较低的普通CMOS衬底片来实现高电压的器件设计。设计研制了一种在普通CMOS的衬底片上做深N阱层光刻注入和推结深,然后生长外延层,在外延层上做器件,高压N...
为了降低器件的制造成本,又可以和低压器件实现自主隔离集成在一起,所以需要价格较低的普通CMOS衬底片来实现高电压的器件设计。设计研制了一种在普通CMOS的衬底片上做深N阱层光刻注入和推结深,然后生长外延层,在外延层上做器件,高压N阱作为LDMOS的漂移区做在P-外延层中,深N阱层做在P型衬底上。由于深N阱层注入推结深步骤后的热制成步骤,导致深N阱层会反扩到P-外延层,深N阱层是漏端重要组成部分,与高压N阱一样承担BVDS耐压重要功能。击穿电压的关键是高压N阱漂移区(耐压区)和深N阱层耐压区的结构。利用工艺仿真软件对高压N阱漂移区和深N阱层耐压区的不同注入剂量、长度、结深对LDMOS器件的击穿电压的影响进行了汇总,最终确认各个参量数值。
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关键词
LDMOS
漂移区
高压N阱
深N阱
击穿电压
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职称材料
基于标准CMOS工艺的非接触式保护环单光子雪崩二极管
被引量：
4
2
作者
吴佳骏
谢生
+1 位作者
毛陆虹
朱帅宇
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第1期1-6,共6页
基于深亚微米CMOS工艺,设计了一种采用非接触式P阱保护环来抑制边缘击穿的单光子雪崩二极管结构.采用器件仿真软件Silvaco Atlas分析了保护环间距对器件的电场分布和雪崩触发概率等特性的影响,结合物理模型计算了所设计器件的暗计数概...
基于深亚微米CMOS工艺,设计了一种采用非接触式P阱保护环来抑制边缘击穿的单光子雪崩二极管结构.采用器件仿真软件Silvaco Atlas分析了保护环间距对器件的电场分布和雪崩触发概率等特性的影响,结合物理模型计算了所设计器件的暗计数概率和光子探测效率.仿真和计算结果表明,保护环间距d=0.6μm时器件性能最优,此时击穿电压为13.5V,暗电流为10-11 A.在过偏压为2.5V时,门控模式下的暗计数概率仅为0.38%,器件在400~700nm之间具有良好的光学响应,500nm时的峰值探测效率可达39%.
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关键词
光电器件
单光子雪崩二极管
CMOS工艺
深n阱
保护环
响应度
光子探测效率
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职称材料
三阱CMOS工艺单粒子闩锁研究
3
作者
沈丹丹
高国平
《中国集成电路》
2023年第5期62-65,共4页
随着数模混合电路在无线应用领域的发展,三阱工艺噪声隔离优点引起设计师的广泛兴趣。RF技术必须把在P-衬底上的模拟、数字和RF电路进行隔离。本文主要讨论三阱(Triple-Well)工艺的电路单粒子闩锁问题。
关键词
P-WELL
deep
-
nwell
单粒子闩锁
可靠性
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职称材料
题名
500 V LDMOS研制
1
作者
崔金洪
石金成
机构
深圳方正微电子有限公司
出处
《电子与封装》
2015年第1期36-40,共5页
文摘
为了降低器件的制造成本,又可以和低压器件实现自主隔离集成在一起,所以需要价格较低的普通CMOS衬底片来实现高电压的器件设计。设计研制了一种在普通CMOS的衬底片上做深N阱层光刻注入和推结深,然后生长外延层,在外延层上做器件,高压N阱作为LDMOS的漂移区做在P-外延层中,深N阱层做在P型衬底上。由于深N阱层注入推结深步骤后的热制成步骤,导致深N阱层会反扩到P-外延层,深N阱层是漏端重要组成部分,与高压N阱一样承担BVDS耐压重要功能。击穿电压的关键是高压N阱漂移区(耐压区)和深N阱层耐压区的结构。利用工艺仿真软件对高压N阱漂移区和深N阱层耐压区的不同注入剂量、长度、结深对LDMOS器件的击穿电压的影响进行了汇总,最终确认各个参量数值。
关键词
LDMOS
漂移区
高压N阱
深N阱
击穿电压
Keywords
LDMOS
drift
religion
HV
nwell
deep
nwell
breakdown
voltage
分类号
TN305 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
基于标准CMOS工艺的非接触式保护环单光子雪崩二极管
被引量：
4
2
作者
吴佳骏
谢生
毛陆虹
朱帅宇
机构
天津大学微电子学院天津市成像与感知微电子技术重点实验室
天津大学电气自动化与信息工程学院
出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第1期1-6,共6页
基金
国家自然科学基金(Nos.61474081
11673019)资助~~
文摘
基于深亚微米CMOS工艺,设计了一种采用非接触式P阱保护环来抑制边缘击穿的单光子雪崩二极管结构.采用器件仿真软件Silvaco Atlas分析了保护环间距对器件的电场分布和雪崩触发概率等特性的影响,结合物理模型计算了所设计器件的暗计数概率和光子探测效率.仿真和计算结果表明,保护环间距d=0.6μm时器件性能最优,此时击穿电压为13.5V,暗电流为10-11 A.在过偏压为2.5V时,门控模式下的暗计数概率仅为0.38%,器件在400~700nm之间具有良好的光学响应,500nm时的峰值探测效率可达39%.
关键词
光电器件
单光子雪崩二极管
CMOS工艺
深n阱
保护环
响应度
光子探测效率
Keywords
Photoelectronic
devices
Single
photon
avalanche
diode
CMOS
technology
deep
nwell
structure
Guard
ring
responsivity
Photon
detection
efficiency
分类号
TN364 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
三阱CMOS工艺单粒子闩锁研究
3
作者
沈丹丹
高国平
机构
中国电子科技集团公司第五十八研究所
出处
《中国集成电路》
2023年第5期62-65,共4页
文摘
随着数模混合电路在无线应用领域的发展,三阱工艺噪声隔离优点引起设计师的广泛兴趣。RF技术必须把在P-衬底上的模拟、数字和RF电路进行隔离。本文主要讨论三阱(Triple-Well)工艺的电路单粒子闩锁问题。
关键词
P-WELL
deep
-
nwell
单粒子闩锁
可靠性
Keywords
P-WELL
deep
-
nwell
Single
Event
Latchup
Reliability
分类号
TN303 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
500 V LDMOS研制
崔金洪
石金成
《电子与封装》
2015
0
下载PDF
职称材料
2
基于标准CMOS工艺的非接触式保护环单光子雪崩二极管
吴佳骏
谢生
毛陆虹
朱帅宇
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018
4
下载PDF
职称材料
3
三阱CMOS工艺单粒子闩锁研究
沈丹丹
高国平
《中国集成电路》
2023
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
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