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转移基板材质对Si衬底GaN基LED芯片性能的影响
被引量：
15
1
作者
邝海
刘军林
+1 位作者
程海英
江风益
《光学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第1期143-145,共3页
在Si衬底上生长了GaN基LED外延材料,分别转移到新的硅基板和铜基板上,制备了垂直结构蓝光LED芯片。研究了这两种基板GaN基LED芯片的光电性能。在切割成单个芯片之前,对大量尺寸为(300μm×300μm)的这两种芯片分别通高达1 A的大电...
在Si衬底上生长了GaN基LED外延材料,分别转移到新的硅基板和铜基板上,制备了垂直结构蓝光LED芯片。研究了这两种基板GaN基LED芯片的光电性能。在切割成单个芯片之前,对大量尺寸为(300μm×300μm)的这两种芯片分别通高达1 A的大电流在测试台上加速老化1 h。结果显示,铜基板Si衬底GaN基LED芯片有更大的饱和电流,光输出效率更高,工作电压随驱动电流的变化不大,光输出在老化过程中衰减更小。铜基板芯片比硅基板芯片可靠性更高,在大功率半导体照明器件中前景诱人。
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关键词
光学材料
SI衬底
加速老化
铜基板
硅基板
原文传递
题名
转移基板材质对Si衬底GaN基LED芯片性能的影响
被引量：
15
1
作者
邝海
刘军林
程海英
江风益
机构
南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心
出处
《光学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第1期143-145,共3页
基金
国家863计划纳米专项(2003AA302160)
国家863计划光电子主题课题(2005AA311010)资助课题
文摘
在Si衬底上生长了GaN基LED外延材料,分别转移到新的硅基板和铜基板上,制备了垂直结构蓝光LED芯片。研究了这两种基板GaN基LED芯片的光电性能。在切割成单个芯片之前,对大量尺寸为(300μm×300μm)的这两种芯片分别通高达1 A的大电流在测试台上加速老化1 h。结果显示,铜基板Si衬底GaN基LED芯片有更大的饱和电流,光输出效率更高,工作电压随驱动电流的变化不大,光输出在老化过程中衰减更小。铜基板芯片比硅基板芯片可靠性更高,在大功率半导体照明器件中前景诱人。
关键词
光学材料
SI衬底
加速老化
铜基板
硅基板
Keywords
optical
materials
Si
substrate
current
accelerated
aging
experiments
Cu
substrate
Si
substrate
分类号
TN312.8 [电子电信—物理电子学]
TN949.12
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
转移基板材质对Si衬底GaN基LED芯片性能的影响
邝海
刘军林
程海英
江风益
《光学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
15
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