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负载有立方相p-型半导体Cu_(1.8)S颗粒的TiO_2纳米带制备与表征
被引量:
1
1
作者
李丽
雷静果
+1 位作者
嵇天浩
张希鹏
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第1期38-44,共7页
采用Cu2O自牺牲模板法,以负载有立方相p-型半导体Cu2O颗粒的TiO2纳米带作为前驱物,在水热条件下与硫脲进行反应,制得了负载有立方相p-型半导体Cu1.8S颗粒的TiO2纳米带.测试结果表明,反应温度、反应时间和硫脲浓度对Cu1.8S纯度和形貌皆...
采用Cu2O自牺牲模板法,以负载有立方相p-型半导体Cu2O颗粒的TiO2纳米带作为前驱物,在水热条件下与硫脲进行反应,制得了负载有立方相p-型半导体Cu1.8S颗粒的TiO2纳米带.测试结果表明,反应温度、反应时间和硫脲浓度对Cu1.8S纯度和形貌皆有影响.若反应在较低温度(如120℃)进行,即使反应时间达到25 h,产物中除了生成Cu1.8S还存在未反应Cu2O;若水热温度控制在160℃反应25 h,当硫脲浓度为0.25 mol/L时,负载物基本上是Cu1.8S且分散较好,当硫脲浓度升到0.5 mol/L时,负载物团聚严重.对罗丹明B的光催化降解活性测试结果表明,与纯TiO2纳米带相比,在负载有Cu2O或Cu1.8S后光催化活性显著降低.
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关键词
复合材料
立方相
cu
1.8
S
TIO2纳米带
光催化
p-n异质结
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职称材料
题名
负载有立方相p-型半导体Cu_(1.8)S颗粒的TiO_2纳米带制备与表征
被引量:
1
1
作者
李丽
雷静果
嵇天浩
张希鹏
机构
北京工商大学理学院
洛阳理工学院材料工程系
出处
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第1期38-44,共7页
基金
国家重点基础研究发展计划(973计划)(2006CB932605)~~
文摘
采用Cu2O自牺牲模板法,以负载有立方相p-型半导体Cu2O颗粒的TiO2纳米带作为前驱物,在水热条件下与硫脲进行反应,制得了负载有立方相p-型半导体Cu1.8S颗粒的TiO2纳米带.测试结果表明,反应温度、反应时间和硫脲浓度对Cu1.8S纯度和形貌皆有影响.若反应在较低温度(如120℃)进行,即使反应时间达到25 h,产物中除了生成Cu1.8S还存在未反应Cu2O;若水热温度控制在160℃反应25 h,当硫脲浓度为0.25 mol/L时,负载物基本上是Cu1.8S且分散较好,当硫脲浓度升到0.5 mol/L时,负载物团聚严重.对罗丹明B的光催化降解活性测试结果表明,与纯TiO2纳米带相比,在负载有Cu2O或Cu1.8S后光催化活性显著降低.
关键词
复合材料
立方相
cu
1.8
S
TIO2纳米带
光催化
p-n异质结
Keywords
composite
cubic
cu
1.8
S
TiO2
nanobelts
photocatalytic
activity
p-n
heterojunction
分类号
TB381 [一般工业技术—材料科学与工程]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
负载有立方相p-型半导体Cu_(1.8)S颗粒的TiO_2纳米带制备与表征
李丽
雷静果
嵇天浩
张希鹏
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
1
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职称材料
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