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题名图像测量标定法及其应用
被引量：1
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作者
王建平
王庆绥
曹伟青
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机构
北京百慕航材高科技股份有限公司
北京航空材料研究院
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出处
《材料工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第9期44-46,共3页
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文摘
论述了图像测量标定法 ,并将其用于镍基单晶高温合金 DD3的热机械疲劳断口结晶学小面取向的测定 ,发现断口结晶学小面取向为〈111〉时 ,材料具有较高的热机械疲劳寿命 ,而结晶学小面取向为〈0 0 1〉时 。
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关键词
图像测量标定法
应用
结晶学小面
镍基单晶高温合金
热机械疲劳
X射线衍射
疲劳寿命
扫描电子显微镜
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Keywords
photogrammetric technique
crystallographic facet
single crystal superalloy
thermo mechanical fatigue
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分类号
TG115
[金属学及工艺—物理冶金]
TG146.15
[金属学及工艺—金属学]
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题名KCl溶液结晶辅助表征4H-SiC衬底中的微划痕
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作者
张翅腾飞
章嵩
龚若程
杨军伟
宋华平
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机构
湖北隆中实验室
武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室
松山湖材料实验室
东莞市中科汇珠半导体有限公司
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出处
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2024年第10期1745-1751,共7页
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基金
湖北省自然科学基金(2023AFB1000)
材料复合新技术国家重点实验室(武汉理工大学)开放基金(2024-KF-18)
广东省自然科学基金-面上项目(2022A1515012628)。
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文摘
4H-SiC晶圆表面的微划痕会使外延层中产生大量缺陷,但其线宽低于光学表征技术的极限,无法以无损光学检测的方法获得微划痕在晶圆上的分布规律。本研究基于经典成核理论,利用微划痕上的高指数晶面,通过溶液干燥析晶的方法,使KCl晶体优先成核于高表面能的高指数晶面。实验结果表明:当KCl溶液的浓度为0.013 mol/L时,溶液蒸发后的KCl晶体嵌于微划痕的沟壑内,使微划痕可以间接地被光学方法检测。当KCl溶液的浓度大于0.013 mol/L时,KCl晶体会结晶于没有微划痕的区域,干扰对微划痕的表征。本方法制备的KCl晶体仅吸附成核于4H-SiC表面,不与4H-SiC发生化学反应,通过RCA清洗工艺即可完全去除表面的KCl晶体,不影响晶圆的后续加工工艺。
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关键词
4H-SIC
微划痕
KCl溶液
成核理论
高指数晶面
表面能
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Keywords
4H-SiC
micro-scratch
KCl solution
nucleation theory
high-index crystallographic facet
surface energy
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分类号
O766
[理学—晶体学]
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