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底栅微晶硅薄膜晶体管 被引量：1
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作者 李娟 张晓丹 +5 位作者 刘建平 赵淑云 吴春亚 孟志国 张芳 熊绍珍 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第7期1246-1250,共5页
对底栅微晶硅TFT的微晶硅材料生长孵化层问题进行了详细讨论,发现低硅烷浓度是减薄该层厚度的有效途径.同时又发现,以SiNx为栅绝缘层的底栅TFT,对随后生长的硅基薄膜有促进晶化的作用(约20%).沉积底栅TFT的微晶硅有源层时,必须计入该影... 对底栅微晶硅TFT的微晶硅材料生长孵化层问题进行了详细讨论,发现低硅烷浓度是减薄该层厚度的有效途径.同时又发现,以SiNx为栅绝缘层的底栅TFT,对随后生长的硅基薄膜有促进晶化的作用(约20%).沉积底栅TFT的微晶硅有源层时,必须计入该影响.因此为了获得良好的I-V特性,选用的硅烷浓度不宜低于3%.由硅基薄膜晶化体积比与系列沉积工艺条件关系和TFT所得薄膜晶化体积比的对比,可清晰证实SiNx对晶化的促进作用. 展开更多
关键词 微晶硅 底栅薄膜晶体管 起始层 硅烷浓度 晶化体积比
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