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太阳能光伏发电材料的发展现状 被引量：23
1
作者 殷志刚 《可再生能源》 CAS 2008年第5期17-20,共4页
对太阳能光伏材料的研究进展做了简要综述。介绍了硅太阳能电池材料、铜铟硒(CIS)薄膜太阳能电池材料的研究现状及其存在的问题;还介绍了与纳米技术相结合的纳米晶太阳能电池材料以及在现有基础上的进一步技术创新。
关键词 晶体硅 铜铟硒薄膜 纳米晶太阳能电池
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勾形磁场下提拉法生产单晶硅的数值模拟 被引量：11
2
作者 宇慧平 隋允康 +1 位作者 张峰翊 王学锋 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期217-222,共6页
本文给出了提拉单晶硅时,勾形磁场强度的计算公式,并对单晶硅在有无勾形磁场情况下熔体内流场和氧的浓度分布进行了数值模拟,计算出磁场作用下磁场强度和洛伦兹力及有无磁场时流函数、垂直截面处的速度场和氧的浓度分布。通过分析表明,... 本文给出了提拉单晶硅时,勾形磁场强度的计算公式,并对单晶硅在有无勾形磁场情况下熔体内流场和氧的浓度分布进行了数值模拟,计算出磁场作用下磁场强度和洛伦兹力及有无磁场时流函数、垂直截面处的速度场和氧的浓度分布。通过分析表明,勾形磁场能使流动更为平稳,能有效地降低熔体内及生长界面氧的浓度,并对产生这一现象的机理作了理论分析。 展开更多
关键词 单晶硅 提拉法 勾形磁场 磁场强度 计算公式 洛伦兹力
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太阳能电池及关键材料的研究进展 被引量：10
3
作者 李丽 张贵友 +2 位作者 陈人杰 陈实 吴锋 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2008年第11期1-4,共4页
人类面临着有限常规能源和环境破坏严重的双重压力,己经成为越来越值得关注的社会与环境问题。近年来,光伏市场快速发展并取得可喜的成就。本文主要就太阳能电池及关键材料,以及对各类太阳能电池的原理及发展状况进行详细阐述,并对太阳... 人类面临着有限常规能源和环境破坏严重的双重压力,己经成为越来越值得关注的社会与环境问题。近年来,光伏市场快速发展并取得可喜的成就。本文主要就太阳能电池及关键材料,以及对各类太阳能电池的原理及发展状况进行详细阐述,并对太阳能电池及其关键材料的市场发展方向进行了展望。 展开更多
关键词 太阳能电池 转换效率 晶体硅 薄膜
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利用金刚石线锯切割硅晶体的实验研究 被引量：9
4
作者 侯志坚 葛培琪 +2 位作者 张进生 李绍杰 高玉飞 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2007年第5期14-16,共3页
本文综述了脆性材料的塑性转变理论、脆性材料塑性加工研究进展情况,进行了环形金刚石线锯丝切割硅晶体的实验。锯丝单方向连续运动,因而可以提高切割速度,锯丝运动速度为10 m/s和21 m/s两种。工件进给速度分别为8.4 mm/min,12.6 mm/min... 本文综述了脆性材料的塑性转变理论、脆性材料塑性加工研究进展情况,进行了环形金刚石线锯丝切割硅晶体的实验。锯丝单方向连续运动,因而可以提高切割速度,锯丝运动速度为10 m/s和21 m/s两种。工件进给速度分别为8.4 mm/min,12.6 mm/min和20 mm/min等三种。用扫描电镜检测切割表面并与往复式线锯切割表面进行比较。实验结果及理论分析表明:锯丝上单个磨粒切削深度极小,切割表面平整、无崩碎现象,表面粗糙度值达1.4μm^3μm,接近粗磨加工后的表面。进给速度增大,表面粗糙度有所增大;切削速度提高,表面粗糙度降低不明显,这与理论分析不一致,其原因是工艺系统振动、冲击所致。锯丝磨损、磨料脱落是降低切割表面质量的另一原因。 展开更多
关键词 金刚石锯丝 切割 硅晶体 粗糙度
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环形树脂结合剂金刚石线锯研制 被引量：7
5
作者 侯志坚 葛培琪 +1 位作者 张进生 李绍杰 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2008年第2期13-15,20,共4页
固结磨料线锯切割相当于磨削加工,切割表面损伤层浅,因而锯切表面质量更高。电镀金刚石锯丝已经在工程实际中获得一定应用,但制造成本较高。而树脂结合剂锯丝成本则非常低。本文用1Cr18Ni9不锈钢丝作为环形锯丝的基体材料,其焊接接头可... 固结磨料线锯切割相当于磨削加工,切割表面损伤层浅,因而锯切表面质量更高。电镀金刚石锯丝已经在工程实际中获得一定应用,但制造成本较高。而树脂结合剂锯丝成本则非常低。本文用1Cr18Ni9不锈钢丝作为环形锯丝的基体材料,其焊接接头可承受最大拉力110 N,疲劳寿命超过1.2×105次。不锈钢丝经表面处理后,直接刷涂树脂金刚石磨料混合物,再经过干燥及烘烤工序制成树脂结合剂金刚石线锯丝。涂层中树脂占35%、金刚石磨料(平均直径20μm)占50%、纳米铜粉占15%。用该锯丝切割硅晶体,切割速度4 m/s,恒力驱动进给。检测证明:切割表面平整,表面粗度达Ra0.8μm。原因是树脂结合剂弹性较好,能有效地减小切割系统的振动,但其切削效率、使用寿命方面不如电镀金刚石线锯高。 展开更多
关键词 树脂结合剂 金刚石线锯 切割 硅晶体
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住宅建筑光伏设计实践
6
作者 程春辉 《智能建筑电气技术》 2024年第4期82-86,110,共6页
可再生能源利用是国家双碳战略中重要的一环,太阳能光伏发电在其中作用不可或缺。光伏系统设计计算对气象、产品参数依赖度较大,设计人员需要通过查找、比较、计算确定参数。本文通过对光伏系统前期中所涉及的主要产品选型、设计参数的... 可再生能源利用是国家双碳战略中重要的一环,太阳能光伏发电在其中作用不可或缺。光伏系统设计计算对气象、产品参数依赖度较大,设计人员需要通过查找、比较、计算确定参数。本文通过对光伏系统前期中所涉及的主要产品选型、设计参数的选择及计算,提供一个对规范及公示的理解型式。设计方案最终的确定是多种因素平衡的结果,在方案推敲过程中选用的一些做法,会对光伏系统在住宅建筑中的有效利用造成影响,文中提出一些观点供参考。 展开更多
关键词 光伏发电系统 自发自用 并网 晶硅 光伏组件
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晶体硅切割废料的资源化利用研究进展 被引量：4
7
作者 雷敏军 邢鹏飞 《铁合金》 2018年第6期18-25,共8页
晶体硅太阳能电池的制备首先需要将多晶硅锭或单晶硅棒切割成0.18～0.19 mm厚的硅片。目前的晶体硅切割技术主要有两种:碳化硅(砂浆)切割技术和金刚线切割技术。在切割过程中有近一半的晶体硅以硅粉的形式进入切割废料浆损失掉,造成了... 晶体硅太阳能电池的制备首先需要将多晶硅锭或单晶硅棒切割成0.18～0.19 mm厚的硅片。目前的晶体硅切割技术主要有两种:碳化硅(砂浆)切割技术和金刚线切割技术。在切割过程中有近一半的晶体硅以硅粉的形式进入切割废料浆损失掉,造成了极大的资源浪费和严重的环境污染。将切割废料资源化再利用,特别是若能将其中的高纯硅粉回收再用于太阳能级晶体硅的制备,不仅能够减少资源浪费、减轻环境污染、提高废料的利用率,而且会产生可观的经济效益。文章简述了晶体硅切割废料的产生过程及其组成,重点阐述了回收切割废料再用于制备晶体硅、高纯Si C、Si C陶瓷、Si C基复合材料及其他含硅材料等资源化利用方面的研究进展。分析了各种回收利用方法的优缺点及切割废料资源化利用所面临的困难。 展开更多
关键词 晶体硅 切割废料 资源浪费 环境污染 资源化利用
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晶体Si能带的密度泛函及第一性原理计算 被引量：3
8
作者 郭连权 刘嘉慧 +4 位作者 宋开颜 张金虎 马贺 武鹤楠 李大业 《沈阳工业大学学报》 EI CAS 2009年第3期296-298,305,共4页
针对晶体Si在二极管、三极管、晶闸管和各种集成电路中的应用与其能带结构密切相关的问题,采用密度泛函理论及第一性原理的赝势平面波方法,从理论上计算了晶体Si的电子能带.计算结果表明:Si的晶格常数为0.540 nm,与实验参考值相吻合;其... 针对晶体Si在二极管、三极管、晶闸管和各种集成电路中的应用与其能带结构密切相关的问题,采用密度泛函理论及第一性原理的赝势平面波方法,从理论上计算了晶体Si的电子能带.计算结果表明:Si的晶格常数为0.540 nm,与实验参考值相吻合;其价带宽度为11.80 eV,导带宽度为9.58 eV,该结果与其他学者用OPW方法所计算的结果相符合;价带与导带之间的禁带宽度为0.80 eV,进一步说明了Si是良好的半导体材料. 展开更多
关键词 晶体Si 半导体 能带 禁带宽度 密度泛函 第一性原理 赝势 Abinit软件
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光伏组件质量测试标准发展简史 被引量：2
9
作者 冯江涛 陈心欣 +1 位作者 冯皓 揭敢新 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第12期2253-2257,共5页
为实现未来光伏组件规模化应用,1975年美国启动FSA项目,研究成果之一为针对光伏组件质量测试的Block系列规范,该试验规范成为现在光伏行业标准的基础。随着光伏组件成本减低,规模化应用不断扩大,全球主要的研究机构和新能源公司通过研... 为实现未来光伏组件规模化应用,1975年美国启动FSA项目,研究成果之一为针对光伏组件质量测试的Block系列规范,该试验规范成为现在光伏行业标准的基础。随着光伏组件成本减低,规模化应用不断扩大,全球主要的研究机构和新能源公司通过研究晶硅组件、非晶硅组件以及薄膜组件的失效行为和机理,开发出不同的测试方法和技术,不断推动光伏组件质量测试标准的形成和发展。在总结前人研究结果的基础上,回顾了自1975年至今光伏组件质量测试标准的发展及相关的科学研究。 展开更多
关键词 光伏组件 标准 耐久性 晶硅 非晶硅 薄膜 失效
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硅晶体热传导性能的分子动力学模拟 被引量：1
10
作者 杨决宽 陈云飞 +2 位作者 庄苹 蒋开 颜景平 《工程热物理学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期454-456,共3页
基于硅色散关系的实验值,给出硅晶体导热系数的经典分子动力学模拟所必需的温度、导热系数的量子化修正曲线。应用平衡态分子动力学算法模拟了硅晶体在 300～700 K温度区间内的导热系数,模拟结果表明,理想硅晶体的导热系数比自然硅高60... 基于硅色散关系的实验值,给出硅晶体导热系数的经典分子动力学模拟所必需的温度、导热系数的量子化修正曲线。应用平衡态分子动力学算法模拟了硅晶体在 300～700 K温度区间内的导热系数,模拟结果表明,理想硅晶体的导热系数比自然硅高60％～75％,但随着温度的下降,模拟结果的准确性下降。 展开更多
关键词 导热系数 分子动力学 晶体硅
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硅单晶生长炉谐波治理技术方案分析 被引量：1
11
作者 曾勇 《新疆职业大学学报》 2008年第1期73-74,共2页
单晶炉在硅料熔化过程中谐波含量很大,产生大量的高次谐波电流,污染电网,危害用电设备。本文阐述了采用晶闸管投切集中滤波补偿系统及单晶炉就地5次谐波滤波柜对单晶炉供电系统进行动态谐波治理及无功补偿的技术方案,改变了大多数厂家... 单晶炉在硅料熔化过程中谐波含量很大,产生大量的高次谐波电流,污染电网,危害用电设备。本文阐述了采用晶闸管投切集中滤波补偿系统及单晶炉就地5次谐波滤波柜对单晶炉供电系统进行动态谐波治理及无功补偿的技术方案,改变了大多数厂家采取传统的L-C滤波器进行治理谐波的思路,避免了发生滤波器谐波过载及各单晶炉间电气设备产生串、并联谐振现象,从而对公司产生了良好的经济与社会效益。 展开更多
关键词 单晶硅 单晶生长炉 谐波治理 无功补偿 晶闸管投切滤波回路
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水射流对于激光刻蚀晶体硅影响的试验研究 被引量：2
12
作者 张崇天 袁根福 +2 位作者 陈雪辉 张程 王海云 《应用激光》 CSCD 北大核心 2014年第6期557-561,共5页
对比研究硅晶体激光直接刻蚀与水射流辅助激光复合刻蚀表面形貌,发现水射流与激光复合刻蚀能够有效去除重铸层并减少裂纹缺陷。研究了水射流流量对刻蚀微观形貌及刻槽深度的影响,结果表明,适当提高水射流的流速有利于改善刻蚀槽体的质量... 对比研究硅晶体激光直接刻蚀与水射流辅助激光复合刻蚀表面形貌,发现水射流与激光复合刻蚀能够有效去除重铸层并减少裂纹缺陷。研究了水射流流量对刻蚀微观形貌及刻槽深度的影响,结果表明,适当提高水射流的流速有利于改善刻蚀槽体的质量,同时水射流流速在一定程度上会影响到槽体深度,使槽体深度随着流速的提高出现先降后升的规律。最后对水射流的入射角与槽体截面形状关系进行了初步探讨性研究。 展开更多
关键词 水射流与激光复合刻蚀 水射流 硅晶体
原文传递
全集成单晶硅有源矩阵液晶光阀方案探讨
13
作者 张盛东 《光电子技术》 CAS 1995年第3期205-213,共9页
本文提出了全集成单晶硅有源矩阵液晶光阀（C－SiAMLCLV）方案。从微电子和液晶显示技术的角度论证了该方案的可行性，给出了实现c－SiAMLCLV的技术途径以及采用该光阔的大屏幕液晶投影显示的系统构成。
关键词 单晶硅 有源矩阵 液晶光阀 液晶显示
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SOI技术及其最新进展
14
作者 罗南林 吴福根 《广东工业大学学报》 CAS 1999年第3期89-94,共6页
介绍了近年来实现三维集成电路中的关键技术——— Ｓ Ｏ Ｉ 技术的各类方法，重点讨论了各种 Ｓ Ｏ Ｉ技术的最新进展．
关键词 单晶硅 SOI技术 集成电路 三维 离子注入
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环形金刚石线锯开方单晶硅棒试验研究 被引量：1
15
作者 高红刚 郑丽霞 《工具技术》 北大核心 2021年第6期89-93,共5页
通过环形金刚石线锯开方单晶硅棒试验,分析了影响环形金刚线锯切割能力的因素及其切割硅棒的能力和切割失效机理,结果表明:相同跑线方式下,相比于冷却水流量10L/min工况下,在20L/min时更有利于维持环形金刚石线锯切割能力;在张力100N、... 通过环形金刚石线锯开方单晶硅棒试验,分析了影响环形金刚线锯切割能力的因素及其切割硅棒的能力和切割失效机理,结果表明:相同跑线方式下,相比于冷却水流量10L/min工况下,在20L/min时更有利于维持环形金刚石线锯切割能力;在张力100N、线速度30m/s、进刀速度20mm/min的工况下,环形金刚石线锯总开方深度为2635mm,其失效形式主要为磨粒磨损与镀层磨损。在金刚线切割过程中,受张力以及切割时硅棒的反作用力影响,易导致金刚石磨粒和镀层开裂、磨粒脱落;同时,因导轮处反复折弯换向,钢线出现松散,最终引起环形金刚石线锯韧性断裂;随着切割深度的增加,环形金刚线锯开方后的硅棒表面粗糙度呈现先降后升的趋势,但变化幅度不大,表面粗糙度的数值均小于1μm,表面质量良好。 展开更多
关键词 环形金刚石线锯 单晶硅 切割失效机理 冷却 表面粗糙度
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晶体硅金刚线切割废料氮化反应的研究 被引量：1
16
作者 孙钰杰 金星 +2 位作者 邢鹏飞 董开朝 孔剑 《耐火材料》 CAS 北大核心 2019年第3期214-216,共3页
为了综合利用晶体硅金刚线切割废料,以其为原料,使用卧式氮化炉进行氮化反应,研究了氮化温度(1300、1350、1400、1450和1500℃)、氮化保温时间(1、1.5、2、2.5和3h)以及α-Si3N4外加量(外加质量分数分别为0、5%、10%、15%和20%)对氮化... 为了综合利用晶体硅金刚线切割废料,以其为原料,使用卧式氮化炉进行氮化反应,研究了氮化温度(1300、1350、1400、1450和1500℃)、氮化保温时间(1、1.5、2、2.5和3h)以及α-Si3N4外加量(外加质量分数分别为0、5%、10%、15%和20%)对氮化反应的影响。结果表明:在一定范围内,氮化温度的升高有利于α-Si3N4、β-Si3N4和Si2N2O三种物相的生成;氮化时间的延长有利于α-Si3N4、β-Si3N4和Si2N2O三种物相的生成,但氮化时间过长会导致α-Si3N4转变为β-Si3N4,以及Si2N2O转化为Si3N4;以α-Si3N4为添加剂,有利于α-Si3N4的生成以及氮化反应的进行。综合考虑切割废料的氮化程度,较优氮化条件为1400℃保温3h,α-Si3N4添加剂外加量10%(w)。 展开更多
关键词 晶体硅 金刚线切割废料 SI3N4 氮化反应 氮化温度 氮化时间
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单晶硅和纳米晶硅空带的NEXAFS理论研究
17
作者 唐景昌 胡晓风 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 1997年第1期1-6,共6页
利用多重散射团簇方法（MSC）计算了单晶硅的K边NEXAFS谱，研究显示NEXAFS谱包含了导带态密度的信息。同时在模拟C－Si的团簇中引入一定数量的空位，构造了纳米晶硅的模型，MSC计算证实吸收边位置上升约0．5eV，说明纳米晶硅的禁带比c-S... 利用多重散射团簇方法（MSC）计算了单晶硅的K边NEXAFS谱，研究显示NEXAFS谱包含了导带态密度的信息。同时在模拟C－Si的团簇中引入一定数量的空位，构造了纳米晶硅的模型，MSC计算证实吸收边位置上升约0．5eV，说明纳米晶硅的禁带比c-Si的展宽了。 展开更多
关键词 单晶硅 纳米晶硅 空带 硅 半导体
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用时间分辨反射率技术研究硅的固相外延
18
作者 王小兵 朱福英 +2 位作者 潘浩昌 曹德新 朱德彰 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 1994年第8期471-475,共5页
用时间分辨反射率技术实时测量了Ｓｉ＋、Ａｓ＋注入单晶硅的固相外延生长速率和外延层厚度，并与背散射沟道方法测得的非晶层厚度进行了比较。介绍了测量原理，分析了实验结果．
关键词 离子注入 固相外延 反射率 硅
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硅晶体切片设备的研究现状与进展
19
作者 侯志坚 索海生 《机床与液压》 北大核心 2011年第2期37-39,共3页
介绍了硅晶体切片设备的原理及关键技术。典型的切片设备包括切片机和线切割锯床两类,其原理与结构不同,适用范围也不相同。内圆切片机的刀片与主轴相连并高速旋转,同时相对工件径向进给,因为刀片与工件为刚性接触,切割大直径硅片容易... 介绍了硅晶体切片设备的原理及关键技术。典型的切片设备包括切片机和线切割锯床两类,其原理与结构不同,适用范围也不相同。内圆切片机的刀片与主轴相连并高速旋转,同时相对工件径向进给,因为刀片与工件为刚性接触,切割大直径硅片容易碎片。线锯能切割直径较大的硅片,环形金刚石线锯切割速度高,其去除机理与磨削相似,表面损伤层较浅。线锯床增加工件自转或锯丝辅助摇摆运动,可减小锯丝受力变化量,提高切片质量。因此环形金刚石线锯切片技术将会获得更广泛应用。 展开更多
关键词 硅晶体 切片 切片机 线锯
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面对21世纪的中国半导体硅材料工业
20
作者 谢子枫 《中国钼业》 1995年第A01期35-38,共4页
自从发明晶体管以来，电子技术迅猛发展，人类已经进入了信息时代。微电子技术是现代信息技术的基石，半导体集成电路是微电子技术的核心。硅单晶是集成电路和电力电子技术的基础，是不可替代的功能材料。因此，人们常称当今的时代是硅... 自从发明晶体管以来，电子技术迅猛发展，人类已经进入了信息时代。微电子技术是现代信息技术的基石，半导体集成电路是微电子技术的核心。硅单晶是集成电路和电力电子技术的基础，是不可替代的功能材料。因此，人们常称当今的时代是硅的时代。我国的半导体硅材料工业已经走过30多年的历程，给国家提供了上千吨的硅单晶材料，为发展我国电子工业做出了重大贡献。当前，我国硅材料工业面临着大发展的机遇。我们应充分认识硅工业的重要战略意义，建立起面向21世纪崭新的中国半导体硅材料工业体系，为发展立足于本国的电子工业奠定坚实的基础。 展开更多
关键词 半导体材料 单晶硅 硅
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