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基于电化学沉积原理的直写高密度铜微米线列
1
作者
易志然
郭建军
+2 位作者
张海青
张帅
许高杰
《纳米科技》
2015年第5期38-42,共5页
基于电化学沉积技术制备微纳米线主要依赖于具备微纳米口径的针管尖端,但这类玻璃针管尖端呈现锥形,难以实现高密度微纳米线阵列的直写。本文基于解决该限制因素,改进加工工艺,系统研究了直写针管与水平基底所成角度微铜线直写的影...
基于电化学沉积技术制备微纳米线主要依赖于具备微纳米口径的针管尖端,但这类玻璃针管尖端呈现锥形,难以实现高密度微纳米线阵列的直写。本文基于解决该限制因素,改进加工工艺,系统研究了直写针管与水平基底所成角度微铜线直写的影响,较好的解决了小间距的高宽深比微纳米线列的制备限制.为小间距微纳米线列的制备提供了一种可行性的技术方法。
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关键词
电沉积
直写
铜微米线
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职称材料
题名
基于电化学沉积原理的直写高密度铜微米线列
1
作者
易志然
郭建军
张海青
张帅
许高杰
机构
中国科学院宁波材料技术与工程研究所
出处
《纳米科技》
2015年第5期38-42,共5页
文摘
基于电化学沉积技术制备微纳米线主要依赖于具备微纳米口径的针管尖端,但这类玻璃针管尖端呈现锥形,难以实现高密度微纳米线阵列的直写。本文基于解决该限制因素,改进加工工艺,系统研究了直写针管与水平基底所成角度微铜线直写的影响,较好的解决了小间距的高宽深比微纳米线列的制备限制.为小间距微纳米线列的制备提供了一种可行性的技术方法。
关键词
电沉积
直写
铜微米线
Keywords
electrodeposition
direct-writing
copper
mcrowires
分类号
TB33 [一般工业技术—材料科学与工程]
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作者
出处
发文年
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1
基于电化学沉积原理的直写高密度铜微米线列
易志然
郭建军
张海青
张帅
许高杰
《纳米科技》
2015
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