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高厚径比PCB深镀能力影响因素的研究 被引量:14
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作者 陈于春 安茂忠 +2 位作者 王成勇 钱文鲲 刘德波 《电镀与环保》 CAS CSCD 北大核心 2009年第6期15-18,共4页
高厚径比PCB的电镀加工中,深镀能力越来越成为一个重要的评价指标。对比了PCB电镀过程的几种循环方式以及增加振荡对孔内溶液交换的影响,并进行理论分析及实验验证。结果表明:采取底喷以及增加夹具振荡措施可以有效提升高厚径比PCB小孔... 高厚径比PCB的电镀加工中,深镀能力越来越成为一个重要的评价指标。对比了PCB电镀过程的几种循环方式以及增加振荡对孔内溶液交换的影响,并进行理论分析及实验验证。结果表明:采取底喷以及增加夹具振荡措施可以有效提升高厚径比PCB小孔镀铜的深镀能力。 展开更多
关键词 高厚径比 深镀能力 溶液交换
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Insights into the efficiency and stability of Cu-based nanowires for electrocatalytic oxygen evolution 被引量:2
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作者 Jun Yu Qi Cao +4 位作者 Bin Feng Changli Li Jingyuan Liu J. Kenji Clark Jean-Jacques Delaunay 《Nano Research》 SCIE EI CAS CSCD 2018年第8期4323-4332,共10页
Copper oxide nanowires with varying oxidation states are prepared and their activity for water oxidation is studied. The nanowires with a CuO phase are found to be the most active, and their degree of crystallinity is... Copper oxide nanowires with varying oxidation states are prepared and their activity for water oxidation is studied. The nanowires with a CuO phase are found to be the most active, and their degree of crystallinity is important in achieving efficient water oxidation. For the crystalline CuO nanowires in a weakly basic Na2CO3 electrolyte, a Tafel slope of 41 mV/decade, an overpotential of approximately 500 mV at - 10 mA/crn2 (without compensation for the solution resistance), and a faradaic efficiency of nearly 100% are obtained. This electrode maintains a stable current for over 15 lx The low overpotential of 500 mV at 10 mA/cm2, small Tafel slope, long-term stability, and low cost make CuO one of the most promising catalysts for water oxidation. Moreover, the evolution of the CuO nanowire morphology over time is studied by electron microscop)-revealing that the diffusion of Cu ions from the interior of the nanowires to their surface causes the aggregation of individual nanowires over time. However, despite this aggregation, the current density remains nearly constant, because the total electrochemically active surface area of CuO does not change. 展开更多
关键词 oxygen evolution reaction crystalline CuO active phase copper ion diffusion
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真空灭弧室屏蔽罩金属毛刺缺陷的建模与电场分布 被引量:3
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作者 刘源 陈玉材 《广东电力》 2020年第10期134-140,共7页
真空断路器分闸时产生的金属蒸汽在屏蔽罩内壁冷凝后形成金属毛刺缺陷,导致灭弧室内电场分布产生畸变,对真空灭弧室的可靠性产生不利影响。为此,以使用ZN28断路器的真空灭弧室为研究对象,建立对应的缺陷模型,研究在燃弧时因焦耳热产生... 真空断路器分闸时产生的金属蒸汽在屏蔽罩内壁冷凝后形成金属毛刺缺陷,导致灭弧室内电场分布产生畸变,对真空灭弧室的可靠性产生不利影响。为此,以使用ZN28断路器的真空灭弧室为研究对象,建立对应的缺陷模型,研究在燃弧时因焦耳热产生的铜离子蒸汽的扩散规律,进而对存在金属毛刺缺陷时灭弧室电场的畸变情况进行分析。结果表明:在真空与电场的共同作用下,铜离子在屏蔽罩的落点主要集中在距中轴线25 mm以内的范围,概率分布曲线呈双峰形分布;当屏蔽罩内壁存在金属毛刺缺陷时,触头边缘的电场发生畸变,毛刺峰值越高,电场畸变越严重,当毛刺峰为0.25 mm时,真空灭弧室存在引起局部放电可能性。 展开更多
关键词 屏蔽罩 金属毛刺 铜离子蒸汽 扩散规律 电场畸变
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