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题名电化学制备新型氧化液在铜CMP中的应用
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作者
甄加丽
檀柏梅
高宝红
郭倩
赵云鹤
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机构
河北工业大学微电子研究所
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出处
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2013年第12期789-792,797,共5页
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基金
国家中长期发展规划重大科技专项资助项目(2009ZX02308-003)
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文摘
在铜化学机械抛光(CMP)中,双氧水易分解的不稳定性严重制约铜化学机械抛光速率。为了寻求一种稳定性好且氧化能力强的新型氧化液,采用电化学方法电解水基硫酸盐,得到了氧化性很强且稳定的过氧焦硫酸盐氧化液。采用自制的氧化液配制抛光液进行铜CMP实验,分别改变氧化液、硅溶胶磨料和螯合剂的浓度,分析了各组分的作用,得到了抛光液的优化配比,获得了较高的去除速率和较低的表面粗糙度。抛光速率达889.44 nm/min,粗糙度达6.3 nm,满足工业应用要求。
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关键词
电化学
铜化学机械抛光(cmp)
双氧水
过氧焦硫酸盐
去除速率
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Keywords
electrochemical
copper chemical mechanical polishing （cmp）
hydrogen peroxide
peroxydisulfate
removal rate
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分类号
TG175
[金属学及工艺—金属表面处理]
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