本文用 X 射线径向分布函数、电镜观察、X 射线电子能谱和 X 射线衍射图谱较系统地研究了纳米 Si_3N_4固体。结果表明,纳米非晶 Si_3N_4在25—1300℃热处理后颗粒没有明显长大,界面组分仍然占有相当大的比例,保持纳米非晶态基本特征、...本文用 X 射线径向分布函数、电镜观察、X 射线电子能谱和 X 射线衍射图谱较系统地研究了纳米 Si_3N_4固体。结果表明,纳米非晶 Si_3N_4在25—1300℃热处理后颗粒没有明显长大,界面组分仍然占有相当大的比例,保持纳米非晶态基本特征、界面为一种新型短程序,Si—N 键配位严重不足,Si 悬键较多。纳米 Si_3N_4键结构不是典型的共价键。高于400℃退火,氧化明显,试样表面有 SiO_2生成。展开更多
