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电磁脉冲与连续波对数字电路的辐照效应比较 被引量:19
1
作者 周星 张成怀 魏光辉 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第7期1761-1766,共6页
为了比较不同类型的干扰源对数字电路的辐照效应,以串行数据分配电路为研究对象,以平面连续波和雷电电磁脉冲为干扰源,研究了不同类型的干扰源对数字电路的影响,通过改变辐照场强、频率等试验条件,总结了不同干扰源对数字电路的干扰规律... 为了比较不同类型的干扰源对数字电路的辐照效应,以串行数据分配电路为研究对象,以平面连续波和雷电电磁脉冲为干扰源,研究了不同类型的干扰源对数字电路的影响,通过改变辐照场强、频率等试验条件,总结了不同干扰源对数字电路的干扰规律,分析了干扰机理,并通过电路仿真进行了验证。试验结果表明:不管是连续波还是电磁脉冲,均能对数字电路造成干扰,但二者对数字电路的干扰结果不同,连续波辐照时,主要影响多谐振荡器方波的高、低电平持续时间及占空比,而电磁脉冲辐照时,则会产生一段频率远高于方波信号的振荡,而且在信号处于低电平时比高电平时更容易受到干扰。 展开更多
关键词 电磁脉冲 雷电电磁脉冲 电磁骚扰 连续波 辐照效应 数字电路
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工业应用的S波段小型化连续波速调管的设计
2
作者 李闯 卫博 +3 位作者 李冬凤 冯海平 王刚 FAN Ying-shan 《真空电子技术》 2024年第2期11-15,共5页
速调管具有大功率、高效率、长寿命的特点和优势,在大科学和工业加热中有着广泛的应用。针对微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)应用设计了一种10~15 kW级的小型化连续波速调管,速调管总重量小于30 kg,在电压16 kV、电子注电流2 A的状态... 速调管具有大功率、高效率、长寿命的特点和优势,在大科学和工业加热中有着广泛的应用。针对微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)应用设计了一种10~15 kW级的小型化连续波速调管,速调管总重量小于30 kg,在电压16 kV、电子注电流2 A的状态下获得了大于17 kW的输出功率,效率达到56%以上。 展开更多
关键词 速调管 连续波 永磁聚焦 注波互作用
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808nm连续波2000W半导体激光器垂直叠阵 被引量:6
3
作者 张恩涛 张彦鑫 +7 位作者 熊玲玲 王警卫 康利军 杨凯 吴迪 袁振邦 代华斌 刘兴胜 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2011年第6期1075-1080,共6页
为了全面提高大功率半导体激光器的性能和功率,采用双面散热技术,优化了大功率半导体激光器垂直叠阵和单bar器件的热管理和热设计,使得808 nm单bar半导体激光器在连续波工作模式下的功率达到100 W;808 nm 20 bar垂直叠阵功率达到2 000 ... 为了全面提高大功率半导体激光器的性能和功率,采用双面散热技术,优化了大功率半导体激光器垂直叠阵和单bar器件的热管理和热设计,使得808 nm单bar半导体激光器在连续波工作模式下的功率达到100 W;808 nm 20 bar垂直叠阵功率达到2 000 W。对微通道液体制冷大功率半导体激光器叠阵和单bar半导体激光器器件的LIV特性、光谱特性、近场光斑、近场非线性效应、远场发散角、快慢轴准直后激光束的指向性做了测试和分析,并在连续波模式下对单bar 808 nm微通道液体制冷半导体激光器做了寿命测试及可靠性评估分析,结果显示器件的工作性能良好。该大功率半导体激光器垂直叠阵未来的应用前景广阔。 展开更多
关键词 高功率半导体激光器 垂直叠阵 微通道液体冷却 连续波
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一种机载小型化雷达发射机的设计 被引量:5
4
作者 柳拓鹏 《雷达科学与技术》 2011年第4期362-365,共4页
介绍了一种适用于机载雷达或电子对抗系统的小型化雷达发射机,给出了系统的设计指标及组成框图,并对工程设计中的高压开关电源技术、脉冲调制器技术、发射机控制及保护、高压固态绝缘、热设计等多项关键技术进行了探讨并给出具体的实现... 介绍了一种适用于机载雷达或电子对抗系统的小型化雷达发射机,给出了系统的设计指标及组成框图,并对工程设计中的高压开关电源技术、脉冲调制器技术、发射机控制及保护、高压固态绝缘、热设计等多项关键技术进行了探讨并给出具体的实现方法,对发射机的主要设计参数进行了分析计算,结合实际的工程设计,对计算结果的工程修正原则及方法进行了探讨,最后给出了该发射机的实验热测结果和实物照片,对该发射机的应用前景进行了分析和预期。 展开更多
关键词 连续波 全桥移相 调制器 固态绝缘
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地基深空网发射机现状及未来发展 被引量:5
5
作者 韩来辉 李新胜 《飞行器测控学报》 CSCD 2017年第2期79-85,共7页
我国未来深空探测工程的发展对地基深空站发射机提出了更高的要求,不仅仅需要具有更高的输出功率,同时需要解决发射机高频谱纯度、高效率以及上行功率合成等。针对这些要求,对国内外地基深空网的组成和深空站高功率发射机现状以及未来... 我国未来深空探测工程的发展对地基深空站发射机提出了更高的要求,不仅仅需要具有更高的输出功率,同时需要解决发射机高频谱纯度、高效率以及上行功率合成等。针对这些要求,对国内外地基深空网的组成和深空站高功率发射机现状以及未来发展趋势进行了研究,分析了速调管发射机与固态发射机在高功率输出条件下的优势,在此基础上,提出了我国深空站速调管发射机需要开展高功率连续波速调管、高功率低损耗滤波器、低纹波高功率开关电源、上行功率合成等关键技术,并为相应关键技术提供了理论建议及相应的解决方法,这可以为我国未来深空探测工程高功率发射机研制提供技术支撑,为后续地基深空网建设和发展提供参考。 展开更多
关键词 深空网 发射机 速调管 高功率 连续波
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基于环形谐振器集成非线性电路的脉冲波超表面吸收器设计
6
作者 程用志 钱莹洁 +3 位作者 李志仁 本間晴貴 FATHNAN Ashif Aminulloh 若土弘樹 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2023年第10期3812-3820,共9页
当前研究设计的超表面吸波器(MSA)具有良好的电磁(EM)波吸收特性,然而很少考虑入射电磁波形式和功率的影响。该文提出一种在相同频率下可以选择性吸收特定脉冲波的非线性电路MSA。设计的MSA单元结构由集成二极管与电阻电容并联的非线性... 当前研究设计的超表面吸波器(MSA)具有良好的电磁(EM)波吸收特性,然而很少考虑入射电磁波形式和功率的影响。该文提出一种在相同频率下可以选择性吸收特定脉冲波的非线性电路MSA。设计的MSA单元结构由集成二极管与电阻电容并联的非线性电路的金属方环形谐振器,中间介质基板隔离层和底部接地层组成。结果显示该MSA对50 ns的短脉冲波在3.2 GHz吸收率可达97%,而对应同频率下的连续波吸收率只有21%。在3.2 GHz附近,该MSA对50 ns短脉冲波吸收率随着功率不同而动态调节且总保持在60%以上,而对应的连续波吸收率只固定在20%左右。当增大脉冲宽度时,设计的MSA吸收率先增大后显著减小。功率为0 dBm和–4 dBm的脉冲波TE模和TM模斜入射情况下,设计的MSA吸收率仍然超过60%。进一步的研究结果表明该MSA对短脉冲波吸收特性严重依赖于非线性电路电容以及单元结构几何参数设计。该研究在无线通信、抗电磁干扰、电磁兼容等领域具有潜在的应用前景。 展开更多
关键词 超表面 波形选择性 脉冲波 连续波 斜入射
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生命体征探测雷达系统的仿真研究 被引量:3
7
作者 刘文奎 马骏骁 傅海鹏 《电波科学学报》 CSCD 北大核心 2021年第1期156-162,共7页
为解决基于连续波(continuous wave,CW)多普勒雷达的生命体征探测中存在的探测零点问题,提出一种新型的并发双频段混合下变频的雷达收发机系统.提出的雷达系统工作频率为2.05 GHz和1.64 GHz,利用信号间的相关性可以提升系统的整体性能.... 为解决基于连续波(continuous wave,CW)多普勒雷达的生命体征探测中存在的探测零点问题,提出一种新型的并发双频段混合下变频的雷达收发机系统.提出的雷达系统工作频率为2.05 GHz和1.64 GHz,利用信号间的相关性可以提升系统的整体性能.在λ/4距离处,单频段单通道检测存在探测零点问题,而提出的双频段双通道检测可以改善系统中的探测零点问题;在非λ/4距离处,双频段双通道检测结果之间可以相互验证,确保了生命体征探测系统的探测准确度.仿真结果证明了此雷达系统的可行性,无论探测的距离是否在λ/4距离处,所提出的生命体征探测系统总能获得有效的生命体征信号. 展开更多
关键词 连续波(cw) 多普勒雷达 生命体征 双频段 探测零点
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S波段GaN功率放大器MMIC 被引量:3
8
作者 王会智 吴洪江 +2 位作者 张力江 冯志红 崔玉兴 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第4期271-275,共5页
基于0.25μm Ga N HEMT工艺,研制了一款S波段Ga N功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。该电路采用三级拓扑放大结构,提高了放大器的增益;采用电抗匹配方式,减小了电路输出级的损耗,提高了MMIC的功率和效率。输出级有源器件的布局优化,... 基于0.25μm Ga N HEMT工艺,研制了一款S波段Ga N功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。该电路采用三级拓扑放大结构,提高了放大器的增益;采用电抗匹配方式,减小了电路输出级的损耗,提高了MMIC的功率和效率。输出级有源器件的布局优化,改善了放大器芯片的温度分布特性。测试结果表明,在2.8~3.6 GHz测试频带内,在脉冲偏压28 V(脉宽100μs,占空比10%)时,峰值输出功率大于60W,功率附加效率大于45%,小信号增益大于34 d B,增益平坦度在±0.3 d B以内,输入电压驻波比在1.7以下;在稳态偏压28 V时,连续波饱和输出功率大于40 W,功率附加效率38%以上。该MMIC尺寸为4.2 mm×4.0 mm。 展开更多
关键词 氮化镓 功率放大器 S波段 单片微波集成电路(MMIC) 连续波(cw) 脉冲
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796 nm二极管泵浦连续波1.88 W Tm∶LYF激光器 被引量:1
9
作者 丁本利 周雄 +2 位作者 夏海平 张百涛 陈宝玖 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第7期819-825,共7页
用坩埚下降法生长了Tm3+掺杂浓度分别为0.8%和1.3%的优质大尺寸LiYF4(LYF)单晶体。测定了单晶体的吸收光谱、发射光谱,并计算了3F4能级的的最大吸收截面与最大发射截面分别为0.25×10^-20 cm^2和0.33×10^-20 cm^2。以796 nm半... 用坩埚下降法生长了Tm3+掺杂浓度分别为0.8%和1.3%的优质大尺寸LiYF4(LYF)单晶体。测定了单晶体的吸收光谱、发射光谱,并计算了3F4能级的的最大吸收截面与最大发射截面分别为0.25×10^-20 cm^2和0.33×10^-20 cm^2。以796 nm半导体激光器(LD)为泵浦源,采用短平板腔结构模型研究了Tm掺杂LYF单晶体在~2.0μm波段的激光输出性能。当LD泵浦功率为3.4 W时,Tm∶YLF晶体的最大激光输出功率为1.88 W,相应的光光转换效率和斜率效率分别为51%和57%。使用半导体可饱和吸收镜抽运Tm掺杂LYF单晶体,测试其在~2.0μm波段连续波锁模激光运转。当最大抽运功率为3.5 W时,获得锁模激光的最大平均输出功率为200 mW,此时锁模脉冲宽度~20 ps,对应的重复频率63.86 MHz,中心谱线为1.88μm。结果表明,Tm掺杂LYF单晶体是一种具有较好物理性能的~2μm波段超快激光晶体。 展开更多
关键词 Tm离子 2.0μm 连续波 连续波锁模
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Review on photonic method for generating optical triangular pulses 被引量:1
10
作者 Yiqun WANG Li PEI +2 位作者 Song GAO Jun HAO Sijun WENG 《Frontiers of Optoelectronics》 EI CSCD 2013年第2期127-133,共7页
In this paper, several photonic generating methods for optical triangular pulses were reviewed. Four frontier research methods for generating optical triangular pulses were introduced, these four methods are respectiv... In this paper, several photonic generating methods for optical triangular pulses were reviewed. Four frontier research methods for generating optical triangular pulses were introduced, these four methods are respectively based on the frequency-to-time conversion, using normally dispersive fiber, by single-stage dual-drive Mach-Zehnder modulator (MZM), and using dual-parallel MZM. These four methods can be classified into two categories in terms of the optical source employed, such as mode-lock laser (MLL) and continuous-wave (CW) respectively. Compared with the methods based on MLL, those based on CW have many advantages, such as simpler structure, lower price, higher stability, more flexible and wider tunability. Besides, the method using single-stage drive MZM can generate versatile waveform optical pulses, which has better performance than the first two methods in tunable capability of both repetition rate and center wavelength. With the same driving signal applied, the optical source using the dual-parallel MZM can generate signal with higher frequency than that of using the single-stage MZM. 展开更多
关键词 triangular pulses Mach-Zehnder modulator (MZM) mode-lock laser (MLL) continuous-wave cw
原文传递
太赫兹成像NDT
11
作者 李衍 《无损探伤》 2022年第4期1-9,30,共10页
综述太赫兹(THz)光谱和成像技术作为各种非接触无损检测方法在多种工业领域的应用。先概述THz光谱和成像工作原理,后述评在三种行业的选定应用:建筑业、能源电力业和制造业。给出材料表征、厚度测量、缺陷或腐蚀测评实例。最后,对新光... 综述太赫兹(THz)光谱和成像技术作为各种非接触无损检测方法在多种工业领域的应用。先概述THz光谱和成像工作原理,后述评在三种行业的选定应用:建筑业、能源电力业和制造业。给出材料表征、厚度测量、缺陷或腐蚀测评实例。最后,对新光谱学、成像装置和相关技术作了讨论,意在为THz系统的工业NDT应用提供借鉴。 展开更多
关键词 太赫兹 无损检测 非接触 时域光谱 连续波 太赫兹脉冲成像(TPI) 工业应用
原文传递
S波段连续波输出功率20W的SiC MESFET 被引量:1
12
作者 娄辰 潘宏菽 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第5期355-358,共4页
采用自主开发的SiC外延材料和工艺技术,相继实现了S波段连续波状态下输出功率瓦级和10 W的SiC MESFET。经过版图设计的改进和工艺条件的优化,取得了S波段连续波状态下输出功率大于20 W,功率增益大于12 dB,功率附加效率大于30%的SiC MES... 采用自主开发的SiC外延材料和工艺技术,相继实现了S波段连续波状态下输出功率瓦级和10 W的SiC MESFET。经过版图设计的改进和工艺条件的优化,取得了S波段连续波状态下输出功率大于20 W,功率增益大于12 dB,功率附加效率大于30%的SiC MESFET研制结果。器件的功率增益和输出功率较以往的研制结果均得到显著提高,器件的反向截止泄漏电流也大幅度降低。由于器件未采用内匹配结构,其体积也比一般内匹配器件的体积小。研制结果为多胞合成实现更大功率输出的器件创造了条件,也使S波段连续波大功率输出器件的研制水平上了一个新的台阶。 展开更多
关键词 碳化硅 金属-肖特基场效应晶体管 连续波 大功率 高增益
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用于共封装光学的高功率连续波DFB激光器
13
作者 刘耀 黄永光 +1 位作者 张瑞康 刘祎慧 《半导体光电》 CAS 北大核心 2022年第2期267-272,共6页
为了应对共封装光学(CPO)系统对硅光外置光源提出的高功率、低噪声、低功耗等要求,设计了一种波长在1310 nm附近的AlGaInAs多量子阱(MQW)高功率连续波(CW)分布反馈(DFB)激光器芯片。通过在有源层MQW的下方插入一层InGaAsP远场减小层,实... 为了应对共封装光学(CPO)系统对硅光外置光源提出的高功率、低噪声、低功耗等要求,设计了一种波长在1310 nm附近的AlGaInAs多量子阱(MQW)高功率连续波(CW)分布反馈(DFB)激光器芯片。通过在有源层MQW的下方插入一层InGaAsP远场减小层,实现光模场向n型包层下移,减小远场发散角的同时降低了量子阱区的光限制因子和整体的光吸收损耗,制作的激光器可以实现高斜率效率、非致冷高温高功率工作。测试结果显示,该激光器在25℃下,阈值电流为20 mA,斜率效率为0.46 W/A,输出功率为173 mW@400 mA;当注入电流为300 mA时,激光器的水平和竖直发散角分别是15.2°和19.1°,边模抑制比大于55 dB,洛伦兹线宽小于600 kHz,相对强度噪声(RIN)小于-155 dB/Hz;在85℃高温下,激光器阈值电流为32 mA,输出功率达到112 mW@400 mA。 展开更多
关键词 共封装光学 连续波 多量子阱 ALGAINAS 分布反馈激光器
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S波段连续波SiC功率MESFET 被引量:1
14
作者 陈昊 潘宏菽 +4 位作者 杨霏 霍玉柱 商庆杰 齐国虎 刘志平 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2011年第3期155-158,共4页
利用国产SiC外延材料和自主开发的SiC器件工艺加工技术,实现了SiC微波功率器件在S波段连续波功率输出大于10W、功率增益大于9dB、功率附加效率不低于35%的性能样管,初步显现了SiC器件在S波段连续波大功率、高增益方面的优势。与以往的... 利用国产SiC外延材料和自主开发的SiC器件工艺加工技术,实现了SiC微波功率器件在S波段连续波功率输出大于10W、功率增益大于9dB、功率附加效率不低于35%的性能样管,初步显现了SiC器件在S波段连续波大功率、高增益方面的优势。与以往的硅微波功率器件相比,在同样的频率和输出功率下,SiC微波功率器件的体积不到Si器件的1/7,重量不到Si器件的20%,其功率增益较Si器件提高了3dB以上,器件效率也得到了相应的提高。同时由于SiC微波功率器件的输入、输出阻抗要明显高于Si微波功率器件,在一定程度上可以简化或不用内匹配网络来得到比较高的微波功率增益,这就为器件的小体积、低重量奠定了基础,也为器件的大功率输出创造了条件。 展开更多
关键词 碳化硅 功率器件 连续波 内匹配 微波
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C波段高效率30W功率放大器研制
15
作者 董四华 梁璐 杨光晖 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第1期42-45,共4页
随着第三代半导体GaN器件技术的不断发展,GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)功率器件在电子系统中逐步得到了广泛应用。GaN功率器件具有工作效率高、功率密度大和击穿场强高的特点,非常适合用于大功率、连续波功率放大器设计。基于GaN功... 随着第三代半导体GaN器件技术的不断发展,GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)功率器件在电子系统中逐步得到了广泛应用。GaN功率器件具有工作效率高、功率密度大和击穿场强高的特点,非常适合用于大功率、连续波功率放大器设计。基于GaN功率器件大信号模型,采用MicrowaveOffice2009微波设计软件对功率放大器进行仿真优化,设计并研制出了c波段高效率30W连续波功率放大器。该放大器功率器件采用了CREE公司C波段GaNHEMT功率器件,实现放大器尺寸为190mmx50mm×15mm,端口阻抗为50Q。放大器在5650~5950MHz频带内、28V工作条件下,连续波输出功率大于30w,增益大于45dB,效率大于30%。 展开更多
关键词 C波段 氮化镓 功率放大器 高效率 连续波(cw)
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脉冲式与连续波式导航雷达反截获能力分析
16
作者 秦华 周沫 +1 位作者 察豪 侯柳英 《空军预警学院学报》 2013年第3期188-189,194,共3页
为了分析脉冲雷达与连续波雷达的探测效能,重点研究了在不同蒸发波导高度条件下两种体制导航雷达的反截获能力.首先给出了脉冲式和连续波式导航雷达截获因子的度量方法,然后对这两种体制的雷达在标准大气和蒸发波导条件下的截获因子进... 为了分析脉冲雷达与连续波雷达的探测效能,重点研究了在不同蒸发波导高度条件下两种体制导航雷达的反截获能力.首先给出了脉冲式和连续波式导航雷达截获因子的度量方法,然后对这两种体制的雷达在标准大气和蒸发波导条件下的截获因子进行了仿真.仿真结果表明,在反截获方面,连续波式导航雷达明显优于脉冲式导航雷达. 展开更多
关键词 导航雷达 脉冲 连续波 截获因子
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不含热池的11μm附近热带连续波CO_2激光器实验研究
17
作者 杨元杰 李育德 +2 位作者 刘静伦 张力军 许德富 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期218-220,共3页
报道了一种非流动传统型连续波凹面光栅选支CO2激光器,为了得到11μm附近的一些热带谱线输出,在不加CO2热吸收池的情况下,通过采用较大曲率半径的凹面闪耀光栅(闪耀波长10.6μm、曲率半径10m、刻线150mm-1)和适当地增加腔长(4.5m)来提... 报道了一种非流动传统型连续波凹面光栅选支CO2激光器,为了得到11μm附近的一些热带谱线输出,在不加CO2热吸收池的情况下,通过采用较大曲率半径的凹面闪耀光栅(闪耀波长10.6μm、曲率半径10m、刻线150mm-1)和适当地增加腔长(4.5m)来提高谐振腔的选支能力。除了得到常规带0001-[1000,0200]Ⅰ,ⅡR(56)至P(56)100多条谱线之外,还得到11μm附近其它谱线16条,其中包括0111-0310谱带7条、0011-1110谱带1条、同位素C13O1260001-1000谱线5条、C13O1280001-1000谱线3条。所有谱线的输出功率均在1.6W以上。 展开更多
关键词 激光器 CO2 激光器 连续波 CO2 热吸收池 同位素 热带
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RESEARCH ON CYLINDRICAL BOX TYPE WINDOWS USED TO TRANSMIT HIGH POWER CW
18
作者 LinFumin DingYaogen +1 位作者 ShenBin XuShouxi 《Journal of Electronics(China)》 2004年第5期392-400,共9页
The formula for calculating the threshold of average transmitting power of cylindrical TE11 mode window is revised by accurate deduction and a practical method for calculating the temperature increment of the dielectr... The formula for calculating the threshold of average transmitting power of cylindrical TE11 mode window is revised by accurate deduction and a practical method for calculating the temperature increment of the dielectric disk in cylindrical box type window is given. Meanwhile,a typical cylindrical box type window is calculated and used as an example to discuss the power capacity, the special harmfulness and elimination of ghost mode resonance when the window is used to transmit high power Continuous Wave(CW). 展开更多
关键词 High power continuous wave(cw) Microwave window Dielectric disk in window RF loss Power capacity Ghost mode
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一种X频段50 kW高功放的设计
19
作者 李新胜 刘海旭 +2 位作者 韩来辉 侯满宏 文朝举 《深空探测学报》 2018年第2期175-181,共7页
针对未来深空测控及其他航天器测控通信业务不断拓展的需求,设计了一种基于速调管方案的X频段连续波高功放。该方案采用了高效率低电源纹波的模块化高压开关电源、集中式液体冷却设备、串联与并联相结合的高功率谐波和收阻滤波器,以及... 针对未来深空测控及其他航天器测控通信业务不断拓展的需求,设计了一种基于速调管方案的X频段连续波高功放。该方案采用了高效率低电源纹波的模块化高压开关电源、集中式液体冷却设备、串联与并联相结合的高功率谐波和收阻滤波器,以及高速可靠的控保措施,实现了在深空X频段连续波高功率输出的技术能力。测试结果表明:在规定的带宽内,输出连续波功率达到了50 k W,最高可达60 k W以上,第2、3、4次谐波及接收频段内信号的抑制能力等主要指标都达到了预期目标,整机散热效果理想;经长时间连续加电考机表明:设备考核指标和工作状态都稳定可靠。这将为我国深空探测技术的进一步发展、探测能力的进一步提高奠定坚实基础。 展开更多
关键词 X频段 连续波 高功放 深空探测 速调管
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连续波80W大功率SiC MESFET
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作者 李亮 默江辉 +4 位作者 李佳 冯志红 崔玉兴 付兴昌 蔡树军 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第2期105-109,共5页
在高纯半绝缘(HPSI)衬底上外延生长了SiC材料,自主开发了SiC MESFET器件制作工艺,实现了单胞栅宽27 mm芯片的制作。优化了芯片装配形式,通过在管壳内外引入匹配网络提升了芯片输入阻抗及输出阻抗。利用管壳外电路匹配技术,采用管壳内匹... 在高纯半绝缘(HPSI)衬底上外延生长了SiC材料,自主开发了SiC MESFET器件制作工艺,实现了单胞栅宽27 mm芯片的制作。优化了芯片装配形式,通过在管壳内外引入匹配网络提升了芯片输入阻抗及输出阻抗。利用管壳外电路匹配技术,采用管壳内匹配及外电路匹配相结合的方法对器件阻抗进行了进一步提升。优化了管壳材料结构,采用无氧铜材料提高了管壳散热能力。采用水冷工作的方式解决了大功率器件散热问题,降低了器件结温,可靠性得到提高。采用多胞芯片匹配合成技术,实现四胞4×27 mm芯片大功率合成。四胞芯片封装器件在连续波工作频率为2 GHz、Vds为37.5 V时连续波输出功率达80.2 W(49.05 dBm),增益为7.0 dB,效率为32.5%。 展开更多
关键词 SiCMESFET 连续波 大功率 散热 四胞
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