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W/TiO_2/ITO薄膜的阻变性能及其机理研究 被引量：3
1
作者 张维 周白杨 +2 位作者 刘俊勇 邢昕 李建新 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第5期1080-1085,共6页
采用磁控溅射方法沉积TiO2薄膜及电极层,制备W/TiO2/ITO薄膜阻变存储器单元。利用原子力显微镜、X射线衍射仪、X射线光电子能谱仪对薄膜进行表征,测试结果表明:TiO2薄膜表面平整、致密;组织结构以非晶为主,仅有少量的金红石相TiO2(110)... 采用磁控溅射方法沉积TiO2薄膜及电极层,制备W/TiO2/ITO薄膜阻变存储器单元。利用原子力显微镜、X射线衍射仪、X射线光电子能谱仪对薄膜进行表征,测试结果表明:TiO2薄膜表面平整、致密;组织结构以非晶为主,仅有少量的金红石相TiO2(110)面结晶;钛氧比为1∶1.92,其内部存在少量的氧空位。在电学测试中,元件呈现出了稳定的双极阻变现象,V Set分布在0.92 V左右,V Reset分布在-0.82 V左右;元件窗口值稳定,数据保持特性良好。通过对元件I-V曲线线性拟合结果的分析,我们认为元件的阻变机理由导电细丝机制主导。进一步的分析发现,该导电细丝是由钨原子构成,钨原子在电场作用下发生氧化还原反应并在TiO2薄膜层中迁移,造成了导电细丝的形成和断裂。 展开更多
关键词 TIO2薄膜 阻变存储器 双极阻变 导电细丝
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