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ZnO/AlN复合压电薄膜的研制
1
作者 曲喜新 杨革 严康宁 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第3期263-269,共7页
各种超高频电子整机需要高性能的表声波压电器件。介绍了新的压电薄膜——ZnO/AIN复合压电薄膜的制速、结构和性能,并给出主要研制结果。
关键词 压电薄膜 磁控溅射 制造 压电材料
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复合氮化铝压电薄膜研制及其应用
2
作者 陈运祥 赵雪梅 +5 位作者 郑泽渔 陶毅 伍平 田亚睿 张永川 许东辉 《压电与声光》 CAS 北大核心 2020年第5期628-630,共3页
采用中频(MF,40 kHz)双S枪磁控反应溅射制备出了氮化铝(AlN)压电薄膜;采用直流磁控溅射法制作了Mo电极薄膜;采用脉冲DC磁控溅射Au、Cr、Al靶分别制作Au/Cr底电极薄膜及Al/Cr顶电极薄膜。通过对AlN压电薄膜、Mo及Au电极薄膜进行了X线衍射... 采用中频(MF,40 kHz)双S枪磁控反应溅射制备出了氮化铝(AlN)压电薄膜;采用直流磁控溅射法制作了Mo电极薄膜;采用脉冲DC磁控溅射Au、Cr、Al靶分别制作Au/Cr底电极薄膜及Al/Cr顶电极薄膜。通过对AlN压电薄膜、Mo及Au电极薄膜进行了X线衍射(XRD)分析,结果表明,复合AlN压电薄膜(002)面、Mo薄膜(110)面及Au薄膜(111)面择优取向优良,说明选用Al/Cr/AlN/Au/Cr/YAG复合结构压电薄膜能研制出Ku波段及K波段声体波微波延迟线(BAWDL),其Ku及K波段BAWDL器件插入损耗分别低至43.7 dB、54.6 dB。 展开更多
关键词 复合氮化铝压电薄膜 Ku及K波段声体波微波延迟线(BAWDL) 低插损
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