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脉冲直流PCVD技术在盲孔底部沉积Ti-Si-N薄膜 被引量：5
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作者 马青松 马胜利 徐可为 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期738-741,共4页
用脉冲直流等离子体辅助化学气相沉积(PCVD)技术在盲孔的底部获得Ti-Si-N薄膜。用扫描电子显微镜(SEM),X射线能量色散谱仪(EDX),X射线衍射仪(XRD),球痕法(ball-crater),显微硬度计(Hv)和涂层压入仪(Pc)分析不同盲孔深度处薄膜的微观结... 用脉冲直流等离子体辅助化学气相沉积(PCVD)技术在盲孔的底部获得Ti-Si-N薄膜。用扫描电子显微镜(SEM),X射线能量色散谱仪(EDX),X射线衍射仪(XRD),球痕法(ball-crater),显微硬度计(Hv)和涂层压入仪(Pc)分析不同盲孔深度处薄膜的微观结构和力学性能。结果表明,随着盲孔深度的增加,Ti-Si-N薄膜中Ti与Si元素相对比例降低,薄膜厚度下降,薄膜与基体的结合强度有很大提高,膜基复合显微硬度下降,而薄膜的本征硬度在盲孔深度为20mm处出现最大值。 展开更多
关键词 咏冲直流PCVD Ti—Si—N 复杂型腔
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PCVD在狭缝内壁沉积Ti-Si-N薄膜的研究 被引量：2
2
作者 马青松 马胜利 徐可为 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期293-295,298,共4页
用脉冲直流等离子体辅助化学气相沉积 (PCVD)设备在狭缝的侧壁上沉积Ti Si N薄膜。经微观物相分析发现 ,在狭缝的侧壁上随着测试深度的增加 ,薄膜中Ti元素逐渐减少 ,Si含量增加 ,薄膜的相组成始终为nc TiN/Si3 N4。利用球痕法测定了各... 用脉冲直流等离子体辅助化学气相沉积 (PCVD)设备在狭缝的侧壁上沉积Ti Si N薄膜。经微观物相分析发现 ,在狭缝的侧壁上随着测试深度的增加 ,薄膜中Ti元素逐渐减少 ,Si含量增加 ,薄膜的相组成始终为nc TiN/Si3 N4。利用球痕法测定了各深度处薄膜的厚度 ,显微硬度仪测试了侧壁上深度不同位置处薄膜显微硬度。实验结果表明 ,随测试深度增加 ,薄膜厚度和显微硬度下降。 展开更多
关键词 薄膜厚度 狭缝 等离子体辅助化学 脉冲 沉积 物相分析 元素 PCVD 显微硬度仪 相组成
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