期刊文献+
共找到5篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
Small Area ROM Design for Embedded Applications
1
作者 崔嵬 吴嗣亮 《Journal of Beijing Institute of Technology》 EI CAS 2007年第4期460-464,共5页
The compact full custom layout design of a 16 kbit mask-programmable complementary metal oxide semiconductor (CMOS) read only memory (ROM) with low power dissipation is introduced. By optimizing storage cell size and ... The compact full custom layout design of a 16 kbit mask-programmable complementary metal oxide semiconductor (CMOS) read only memory (ROM) with low power dissipation is introduced. By optimizing storage cell size and peripheral circuit structure, the ROM has a small area of 0.050 mm2 with a power-delay product of 0.011 pJ/bit at +1.8 V. The high packing density and the excellent power-delay product have been achieved by using SMIC 0.18 μm 1P6M CMOS technology. A novel and simple sense amplifier/driver structure is presented which restores the signal full swing efficiently and reduces the signal rising time by 2.4 ns, as well as the memory access time. The ROM has a fast access time of 8.6 ns. As a consequence, the layout design not only can be embedded into microprocessor system as its program memory, but also can be fabricated individually as ROM ASIC. 展开更多
关键词 complementary metal oxide semiconductor (cmos) technology read only memory (ROM) address decoder sense amplifier
下载PDF
CMOS器件单粒子效应电荷收集机理 被引量:2
2
作者 董刚 封国强 +1 位作者 陈睿 韩建伟 《北京航空航天大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第6期839-843,共5页
针对90 nm CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)工艺,采用三维数值模拟方法,研究了反相器中NMOS(Negative channel-Metal-Oxide-Semiconductor)晶体管与PMOS(Positive channel-Metal-Oxide-Semiconductor)晶体管的单粒子瞬变... 针对90 nm CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)工艺,采用三维数值模拟方法,研究了反相器中NMOS(Negative channel-Metal-Oxide-Semiconductor)晶体管与PMOS(Positive channel-Metal-Oxide-Semiconductor)晶体管的单粒子瞬变(SET,Single Event Transient)电流脉冲,深入分析了PMOSFET(Positive channel-Metal-Oxide-Semiconductor FieldEffect Transistor)与NMOSFET(Negative channel-Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)发生单粒子效应时电荷输运过程和电荷收集机理.研究结果表明,由于电路耦合作用,反相器中晶体管的电荷收集与单个晶体管差异显著;反相器中PMOS晶体管电荷收集过程中存在寄生双极放大效应,NMOS晶体管中不存在寄生双极放大效应;由于双极放大效应,90 nm工艺下PMOS晶体管产生的SET电压脉冲比NMOS晶体管产生的电压脉冲持续时间更长,进而导致PMOS晶体管的SET效应更加敏感.研究结果为数字电路SET的精确建模、进行大规模集成电路SET效应模拟提供了参考依据. 展开更多
关键词 单粒子瞬变 重离子 寄生双极放大效应 反相器 电荷收集 cmos工艺
下载PDF
一种用于单细胞阻抗检测的CMOS-MEMS单芯片电化学阻抗传感器
3
作者 聂鉴卿 蔡盛训 +2 位作者 王琨 关一民 刘德盟 《微纳电子技术》 CAS 2024年第12期114-121,共8页
传统的基于贵金属的共面电极价格昂贵,且难以与互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺集成,阻碍了采用共面电极的传感器的量产与大规模应用。开发了一种基于微机电系统(MEMS)工艺的共面钽电极电化学阻抗传感器,该传感器集成了精准微泵和微流道... 传统的基于贵金属的共面电极价格昂贵,且难以与互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺集成,阻碍了采用共面电极的传感器的量产与大规模应用。开发了一种基于微机电系统(MEMS)工艺的共面钽电极电化学阻抗传感器,该传感器集成了精准微泵和微流道,可实现单细胞在共面电极上的精准操控和非侵入性电阻抗检测和分析。设计了3组不同宽度和间距的钽电极,其中30μm/10μm的配置对细胞响应最为灵敏。细胞流过电极的动态阻抗测试表明,在500 kHz~2 MHz频率范围内,传感器能有效检测HEK 293细胞和CHO细胞,两种细胞的阻抗响应指数分别达到3.93%和1.80%。研究表明基于钽电极的电化学阻抗传感器在单细胞阻抗分析中有较高的应用潜力,测试结果可以指导高通量、低成本的单细胞电阻抗检测芯片的量产开发。 展开更多
关键词 单细胞阻抗检测 共面钽电极 微型阻抗传感器 精准微泵 互补金属氧化物半导体(cmos)工艺兼容
下载PDF
GPS导航接收机中可变增益放大器设计 被引量:1
4
作者 黄敏 黄海生 +1 位作者 李鑫 王嘉齐 《导航定位学报》 CSCD 2019年第1期98-102,共5页
针对GPS接收机易受不同传输距离和多路径衰减效应的影响使得接收的信号强度不固定的问题,基于TSMC0.18μm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺设计一款可变增益放大器:它与脉冲宽度调制式自动增益控制和脉冲宽度译码器组成的自动增益控制电... 针对GPS接收机易受不同传输距离和多路径衰减效应的影响使得接收的信号强度不固定的问题,基于TSMC0.18μm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺设计一款可变增益放大器:它与脉冲宽度调制式自动增益控制和脉冲宽度译码器组成的自动增益控制电路保证接收信号强度输出的稳定;该电路的核心结构由五位二进制码控制五级级联放大电路来产生不同的增益。仿真结果表明:当电源电压为1.8V时,总的增益最小为14dB,最大可以达到73dB;并且在各个工艺角下增益误差都小于5%,噪声系数为19.68dB;输入1dB压缩点为—22.14dBm。 展开更多
关键词 可变增益放大器 互补金属氧化物半导体工艺 增益可控性 增益范围 自动增益控制
下载PDF
低功耗全数字电容式传感器接口电路设计 被引量:22
5
作者 邓芳明 何怡刚 +2 位作者 张朝龙 冯伟 吴可汗 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第5期994-998,共5页
电容式传感器被广泛地应用在集成传感器的设计中。近年来,随着无线传感器与射频识别技术的迅速发展,低功耗传感器及其接口电路设计成为热点。低功耗接口电路设计中往往采用低的电源电压,然而当器件工艺进入纳米时代后,低的电源电压使得... 电容式传感器被广泛地应用在集成传感器的设计中。近年来,随着无线传感器与射频识别技术的迅速发展,低功耗传感器及其接口电路设计成为热点。低功耗接口电路设计中往往采用低的电源电压,然而当器件工艺进入纳米时代后,低的电源电压使得在电压幅度域处理传感器信号的传统接口电路设计所允许的电压范围进一步降低。针对这种挑战,设计了一种新型的全数字电容式传感器接口电路。该设计基于锁相环原理,将传感器信号处理转移到频率域,因此该设计可以采用全数字结构。设计的接口电路结合湿度传感器,采用中芯国际0.18μm CMOS工艺流片,后期测试结果显示,该接口电路在芯片面积、线性度及功耗上获得了优异性能。尤其是在0.5 V电源电压下,整个接口电路只消耗了1.05μW功率,相比传统传感器接口电路功耗性能获得了极大提升,此设计确实为低功耗传感器接口电路设计提供了一种新方法。 展开更多
关键词 电容式传感器 全数字接口电路 锁相环 cmos工艺
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部