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Si基OLED微显示器阳极图案化研究 被引量:2
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作者 季渊 冉峰 +2 位作者 徐洪光 黄舒平 沈伟星 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第9期1717-1721,共5页
在传统的Si基OLED微显示器像素阳极工艺流程基础上,提出利用互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺制作像素阳极的一次图案化工艺,从而精简工艺流程,节省投资。分析了常规CMOS工艺中Al作为像素阳极表面材料对OLED微显示器光电性能的影响,开发... 在传统的Si基OLED微显示器像素阳极工艺流程基础上,提出利用互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺制作像素阳极的一次图案化工艺,从而精简工艺流程,节省投资。分析了常规CMOS工艺中Al作为像素阳极表面材料对OLED微显示器光电性能的影响,开发了一种Si芯片作为微显示器基板,最小像素面积为12mm×4mm,在其表面制作有机发光材料,形成Si基OLED微显示器。实验结果表明,在5V驱动电压下,本文研制的OLED微显示器发光强度可达1 000cd/m2以上,电流密度0.1mA/mm2以上,光电响应速度280ns以下,表明利用常规CMOS工艺开发Si基微显示器的可行性。 展开更多
关键词 Si基OLED微显示器 表面金属 阳极图案化 互补金属氧化物半导体(cmos)工艺
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一种新型超宽共模输入范围放大器设计 被引量:2
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作者 余国义 张乐 +1 位作者 郑梅军 钟建福 《电子器件》 CAS 北大核心 2012年第5期504-508,共5页
在分析传统CMOS宽共模输入级结构基础上,设计了一种新型CMOS电路结构实现超宽共模输入范围(ICMR)的运算放大器。此设计通过提取输入共模电平与参考共模电平比较放大,反馈到输入信号端,使信号在放大前共模电平趋近参考共模电平,可扩大输... 在分析传统CMOS宽共模输入级结构基础上,设计了一种新型CMOS电路结构实现超宽共模输入范围(ICMR)的运算放大器。此设计通过提取输入共模电平与参考共模电平比较放大,反馈到输入信号端,使信号在放大前共模电平趋近参考共模电平,可扩大输入共模电平范围,并有利于OP core性能保持稳定。电路采用TSMC 0.13μm CMOS工艺进行设计,利用Cadence仿真,结果表明:在3.3 V电源电压下,输入共模范围为-1.5 V~4.8 V,开环增益为74 dB,单位增益带宽为11.4MHz,相位裕度为74°。 展开更多
关键词 运算放大器 超宽共模输入范围 输入级 cmos工艺
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高稳定度低相位噪声温补晶振芯片设计 被引量:2
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作者 黎荣林 黎敏强 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第1期32-36,共5页
设计了一种满足三级钟标准的高稳定度、低相位噪声温补晶体振荡器(TCXO)集成电路芯片。芯片由电压基准电路、压控晶体振荡电路、温度补偿电压产生电路和缓冲电路等模块组成,只需外接石英晶体谐振器和滤波电容便可构成精密的TCXO。温... 设计了一种满足三级钟标准的高稳定度、低相位噪声温补晶体振荡器(TCXO)集成电路芯片。芯片由电压基准电路、压控晶体振荡电路、温度补偿电压产生电路和缓冲电路等模块组成,只需外接石英晶体谐振器和滤波电容便可构成精密的TCXO。温度补偿电压产生电路输出的电压,随温度变化,满足精确的5次多项式函数特征,使得-40~85℃温度内温补晶振输出的频率温度稳定度优于±0.2×10-6;振荡电路采用了低相位噪声设计技术,使19.99 MHz温补晶振的相位噪声优于-142 d Bc/Hz@1 k Hz。芯片采用0.5μm CMOS工艺制造,面积为2.0 mm×2.0 mm,功耗低于15 m W。 展开更多
关键词 温补晶体振荡器(TCXO) 集成电路芯片 频率温度稳定度 相位噪声 互补金属氧化物半导体(cmos)工艺
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基于PN结级联光源的全硅光电生物传感器 被引量:1
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作者 杨永晖 艾康 +2 位作者 朱坤峰 赵建明 徐开凯 《光电技术应用》 2020年第6期43-49,共7页
基于硅基光源且与CMOS工艺兼容的全硅光电生物传感器,其光源低发光效率导致检测低灵敏度,尚不能大规模应用。对此,文中研究了多晶硅PN结级联光源及新型全硅光电生物传感器,包括PN结级联的多晶硅光源的发光机制、波导传输机理、波导生物... 基于硅基光源且与CMOS工艺兼容的全硅光电生物传感器,其光源低发光效率导致检测低灵敏度,尚不能大规模应用。对此,文中研究了多晶硅PN结级联光源及新型全硅光电生物传感器,包括PN结级联的多晶硅光源的发光机制、波导传输机理、波导生物检测技术。研制的多晶硅PN结级联光源发光效率高达4.3×10^-6,可与波导高效耦合。仿真表明,波导检测区域介质折射率在1.33-1.73之间变化时,介质折射率增加使得光能量更少回到波导内芯,波导内芯传输光强随介质折射率增加而下降,通过光强变化实现介质折射率传感。 展开更多
关键词 全硅光电生物传感器 cmos工艺 发光效率 光源-波导耦合 PN结级联光源
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