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组合刻蚀法制备窄带滤光片列阵
被引量：
9
1
作者
王少伟
王利
+5 位作者
吴永刚
王占山
刘定权
林炳
陈效双
陆卫
《光学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第5期746-751,共6页
介绍了组合刻蚀法制备窄带滤光片列阵的基本原理和制备工艺，这是一种效率非常高的制备方法，只需N次刻蚀就可以完成2^N通道窄带滤光片列阵的制备，而且可以用于制备不同波段窄带滤光片列阵。展示了可见一近红外波段32通道窄带滤光片列...
介绍了组合刻蚀法制备窄带滤光片列阵的基本原理和制备工艺，这是一种效率非常高的制备方法，只需N次刻蚀就可以完成2^N通道窄带滤光片列阵的制备，而且可以用于制备不同波段窄带滤光片列阵。展示了可见一近红外波段32通道窄带滤光片列阵和中红外波段16通道窄带滤光片列阵的实验结果，其中32通道窄带滤光片列阵的带通峰位基本呈线性分布在774．7～814．2nm之间，所有滤光片的半峰全宽都非常窄（δλ〈1．5nm），相应于淑δλ/λ〈0．2％，半峰全宽最窄的滤光片达到0．8nm，相应于δλ/λ〈0．1％，其带通峰位λ=794．3nm；各通道的带通透过率在21．2％～32．4％之间，大部分在30％左右。
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关键词
光学器件
滤光片
集成
组合刻蚀法
列阵
制备
原文传递
题名
组合刻蚀法制备窄带滤光片列阵
被引量：
9
1
作者
王少伟
王利
吴永刚
王占山
刘定权
林炳
陈效双
陆卫
机构
中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室
同济大学物理系精密光学工程技术研究所
中国科学院上海技术物理研究所
出处
《光学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第5期746-751,共6页
基金
国家自然科学基金(60508018)
上海市青年科技启明星计划基金(05QMX1459)
上海市重大科研攻关课题(03dz11007)资助课题
文摘
介绍了组合刻蚀法制备窄带滤光片列阵的基本原理和制备工艺，这是一种效率非常高的制备方法，只需N次刻蚀就可以完成2^N通道窄带滤光片列阵的制备，而且可以用于制备不同波段窄带滤光片列阵。展示了可见一近红外波段32通道窄带滤光片列阵和中红外波段16通道窄带滤光片列阵的实验结果，其中32通道窄带滤光片列阵的带通峰位基本呈线性分布在774．7～814．2nm之间，所有滤光片的半峰全宽都非常窄（δλ〈1．5nm），相应于淑δλ/λ〈0．2％，半峰全宽最窄的滤光片达到0．8nm，相应于δλ/λ〈0．1％，其带通峰位λ=794．3nm；各通道的带通透过率在21．2％～32．4％之间，大部分在30％左右。
关键词
光学器件
滤光片
集成
组合刻蚀法
列阵
制备
Keywords
optical
devices
filter
integration
combinatorial
etching
technique
array
fabrication
分类号
O484 [理学—固体物理]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
组合刻蚀法制备窄带滤光片列阵
王少伟
王利
吴永刚
王占山
刘定权
林炳
陈效双
陆卫
《光学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006
9
原文传递
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参考文献
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