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静电纺丝技术制备NiO-ZnTiO_3-TiO_2同轴三层纳米电缆及其形成机制 被引量：1
1
作者 宋超 董相廷 +1 位作者 王进贤 刘桂霞 《复合材料学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第1期122-128,共7页
采用静电纺丝技术,通过改进实验装置,在最佳的纺丝条件下制备了[Ni(CH3COO)2+PVP]-[Zn(CH3COO)2+PVP]-[Ti(OC4H9)4+CH3COOH+PVP]前驱体复合电缆,在600℃下将其进行热处理,制备出了NiO-ZnTiO3-TiO2同轴三层纳米电缆。采用热重-差热(TG-D... 采用静电纺丝技术,通过改进实验装置,在最佳的纺丝条件下制备了[Ni(CH3COO)2+PVP]-[Zn(CH3COO)2+PVP]-[Ti(OC4H9)4+CH3COOH+PVP]前驱体复合电缆,在600℃下将其进行热处理,制备出了NiO-ZnTiO3-TiO2同轴三层纳米电缆。采用热重-差热(TG-DTA)、X射线衍射(XRD)、傅里叶变换红外光谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)等分析技术对样品进行了表征。对NiO-ZnTiO3-TiO2同轴三层纳米电缆的形成机制进行了讨论。结果表明,所得产物为NiO-ZnTiO3-TiO2同轴三层纳米电缆。芯层为NiO,直径大约为(42.024±4.405)nm;中间层为ZnTiO3,厚度大约为(55.385±7.681)nm;壳层为TiO2,厚度大约为(70.747±7.373)nm。 展开更多
关键词 NiO-ZnTiO3-TiO2 同轴三层纳米电缆 静电纺丝技术 形成机制
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