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CVD 法 TiO_2 薄膜的制备条件及光学性质的研究 被引量:8
1
作者 郭清萍 武正簧 +2 位作者 赵君芙 武正榜 李文漪 《太原理工大学学报》 CAS 1998年第3期240-243,共4页
以四异丙醇钛(简称TPT)为钛源物质,采用常压化学气相沉积(CVD)法制备了TiO2膜,并对其光学性质进行了研究。实验结果表明:沉积条件是影响TiO2膜的沉积率和光学性质的重要因素。在可见光和近红外区,TiO2薄膜的... 以四异丙醇钛(简称TPT)为钛源物质,采用常压化学气相沉积(CVD)法制备了TiO2膜,并对其光学性质进行了研究。实验结果表明:沉积条件是影响TiO2膜的沉积率和光学性质的重要因素。在可见光和近红外区,TiO2薄膜的透射率在68%~85%之间,折光率n=1.75~2.2,消光系数k=2×10-3~9×10-3,带隙能Eg=0.5~1.87eV,制得的TiO2膜均匀细密,膜厚为200nm~450nm。用x-ray扫描仪测得400℃~700℃时,TiO2膜为锐钛矿结构,400℃以下为无定形结构。 展开更多
关键词 化学气相沉积 二氧化钛薄膜 光学性质
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化学气相沉积法制备ZnO纳米结构薄膜及其SERS活性研究 被引量:20
2
作者 阮伟东 王春旭 +2 位作者 纪楠 徐蔚青 赵冰 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期768-770,共3页
Zinc oxide nanostructure thin films were prepared on quartz slides via chemical vapour deposition(CVD). Various nanostructures such as nanorod, nanowires and surface-rough nanocubes, could be obtained under carefully ... Zinc oxide nanostructure thin films were prepared on quartz slides via chemical vapour deposition(CVD). Various nanostructures such as nanorod, nanowires and surface-rough nanocubes, could be obtained under carefully tuning experimental conditions. The surface-enhanced Raman scattering(SERS) character of these films was investigated by using 4-mercaptopyridine(4-MPY) as the probing molecule. 展开更多
关键词 化学气相沉积 表面增强拉曼散射 氧化锌
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化学气相沉积/渗透技术综述 被引量:11
3
作者 李崇俊 马伯信 金志浩 《固体火箭技术》 EI CAS CSCD 1999年第1期54-58,共5页
综述了化学气相沉积(CVD)技术的最新发展,包括金属有机化合物化学气相沉积、等离子辅助化学气相沉积、激光化学气相沉积;同时介绍了三种用于制备工程材料的快速致密化化学气相渗透(CVI)技术,包括强迫流动热梯度化学气相渗... 综述了化学气相沉积(CVD)技术的最新发展,包括金属有机化合物化学气相沉积、等离子辅助化学气相沉积、激光化学气相沉积;同时介绍了三种用于制备工程材料的快速致密化化学气相渗透(CVI)技术,包括强迫流动热梯度化学气相渗透、化学液相沉积、感应加热热梯度快速致密化技术。 展开更多
关键词 化学汽相淀积 化学气相渗透 复合材料 陶瓷基
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CVD技术的应用与进展 被引量:16
4
作者 赵峰 杨艳丽 《热处理》 CAS 2009年第4期7-10,共4页
简要论述了化学气相沉积(CVD)技术的工作原理,与其他表面硬化技术相比的特点,应用领域,以及近年来发展的金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)、等离子体化学气相沉积(PCVD)、激光化学气相沉积(LCVD)、超高真空化学气相沉积(UHVCVD)和热... 简要论述了化学气相沉积(CVD)技术的工作原理,与其他表面硬化技术相比的特点,应用领域,以及近年来发展的金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)、等离子体化学气相沉积(PCVD)、激光化学气相沉积(LCVD)、超高真空化学气相沉积(UHVCVD)和热丝化学气相沉积(HWCVD)等新CVD技术,展望了该技术的发展趋势和应用前景。 展开更多
关键词 化学气相沉积 表面硬化 应用
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螺旋波等离子体增强化学气相沉积氮化硅薄膜 被引量:15
5
作者 于威 刘丽辉 +3 位作者 侯海虹 丁学成 韩理 傅广生 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期687-691,共5页
利用螺旋波等离子体增强化学气相沉积 (HWP CVD)技术 ,以SiH4 和N2 为反应气体进行了氮化硅 (SiN)薄膜沉积 ,并研究了实验参量对薄膜特性的影响 .利用傅里叶变换红外光谱、紫外—可见光谱和椭偏光检测等技术对薄膜的结构、厚度和折射率... 利用螺旋波等离子体增强化学气相沉积 (HWP CVD)技术 ,以SiH4 和N2 为反应气体进行了氮化硅 (SiN)薄膜沉积 ,并研究了实验参量对薄膜特性的影响 .利用傅里叶变换红外光谱、紫外—可见光谱和椭偏光检测等技术对薄膜的结构、厚度和折射率等参量进行了测量 .结果表明 ,采用HWP CVD技术能在低衬底温度条件下以较高的沉积速率制备低H含量的SiN薄膜 ,所沉积的薄膜主要表现为Si—N键合结构 .采用较低的反应气体压强将提高薄膜沉积速率 ,并使薄膜的致密性增加 .适当提高N2 SiH4 比例有利于薄膜中H含量的降低 . 展开更多
关键词 螺旋波等离子体增强化学气相沉积 氮化硅薄膜 制备 微电子学
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加快发展我国的超微粉体工业 被引量:12
6
作者 李良果 《现代化工》 CAS CSCD 北大核心 1993年第8期3-7,共5页
介绍超微粉体的特性及其在现代产业中的应用。我国超微粉体工业技术起步晚而前景好。
关键词 超微粉体 气流粉碎 液相化学沉淀
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碳纤维补强氧化铝陶瓷的研究 被引量:8
7
作者 张建良 毛裕文 洪彦若 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第1期97-101,共5页
采用热压的方法制备了碳纤维/氧化铝复合陶瓷,与未加碳纤维的氧化铝陶瓷相比,其抗弯强度有明显提高,但断裂韧性提高不大。为了改善碳纤维与氧化铝基体的结合状态,利用化学气相沉积的方法分别在碳纤维表面沉积了SiC,TiC和S... 采用热压的方法制备了碳纤维/氧化铝复合陶瓷,与未加碳纤维的氧化铝陶瓷相比,其抗弯强度有明显提高,但断裂韧性提高不大。为了改善碳纤维与氧化铝基体的结合状态,利用化学气相沉积的方法分别在碳纤维表面沉积了SiC,TiC和SiO_2+SiC。研究结果表明,当采用有沉积层的碳纤维补强氧化铝陶瓷时,抗弯强度和断裂韧性都有明显提高。 展开更多
关键词 氧化铝陶瓷 碳纤维 增韧 断裂韧性
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介电层上石墨烯的制备 被引量:12
8
作者 陈集思 武斌 刘云圻 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2014年第3期359-366,共8页
石墨烯因其优异而独特的性能,自发现以来便受到了广泛的关注.为了实现石墨烯的进一步应用,可控制备大面积、高质量的石墨烯便成为研究人员需要首先攻克的难题.利用传统方法在金属基底上催化生长的石墨烯,需要先转移到介电层上才能进行... 石墨烯因其优异而独特的性能,自发现以来便受到了广泛的关注.为了实现石墨烯的进一步应用,可控制备大面积、高质量的石墨烯便成为研究人员需要首先攻克的难题.利用传统方法在金属基底上催化生长的石墨烯,需要先转移到介电层上才能进行后续的器件构筑.与之相比,介电层表面上直接生长石墨烯后,就可直接利用目前的硅加工工艺制备器件,从而避免因转移而引起的污染、破损,进而有望得到高质量、无污染的石墨烯样品.介绍了近年来介电层上直接生长石墨烯的研究进展,其中包括在各种传统介电层材料和新型六方氮化硼薄膜上制备石墨烯的各种方法.总结展望了介电层表面石墨烯制备的主要挑战及发展方向. 展开更多
关键词 石墨烯 化学气相沉积 介电层 六方氮化硼
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DC PJ-CVD等离子体炬通道中的电弧行为 被引量:8
9
作者 李惠琪 钟国仿 +1 位作者 吕反修 杨让 《北京科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第6期547-550,共4页
运用电磁学和热流体学的方法研究了直流大阳极喷嘴长电弧通道等离子体炬中电弧的行为,并通过实验证明了温度梯度与电场梯度作用于流体时所产生的特殊现象;结果表明:电弧弧柱的高温效应剧烈排斥冷气流的混入,使CVD过程受到抑制。... 运用电磁学和热流体学的方法研究了直流大阳极喷嘴长电弧通道等离子体炬中电弧的行为,并通过实验证明了温度梯度与电场梯度作用于流体时所产生的特殊现象;结果表明:电弧弧柱的高温效应剧烈排斥冷气流的混入,使CVD过程受到抑制。新产生的胶体粒子在热泳现象作用下逐渐沉积于通道内壁上。改变不同气体的进气位置以及减小温度与电场梯度并增设径向旋转磁场。 展开更多
关键词 等离子体 等离子喷射 电弧 等离子体炬
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化学气相沉积层的技术和应用 被引量:4
10
作者 阎洪 《稀有金属与硬质合金》 CAS CSCD 1999年第1期57-62,共6页
介绍了国内外化学气相沉积技术的研究进展,对化学气相沉积层的类型、性能和应用进行了详细的介绍,并展望了化学气相沉积法的发展趋势。
关键词 化学气相沉积层 技术 应用 表面处理 CVD
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氮化硅薄膜制备方法现状综述 被引量:5
11
作者 王志刚 张伟儒 +1 位作者 李伶 王重海 《现代技术陶瓷》 CAS 2007年第2期12-18,共7页
氮化硅薄膜是一种多功能材料,在许多领域有着广泛的应用。本文系统综述氮化硅薄膜的性质、结构、应用及各种制备方法,并对今后的研究作了展望。
关键词 氮化硅薄膜 制备方法 化学气相沉积
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氧化镓纳米带的合成和发光性质研究 被引量:6
12
作者 郭彦 吴强 +2 位作者 王喜章 胡征 陈懿 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2005年第5期669-672,共4页
采用化学气相沉积法,以碳纳米管作还原剂还原Ga2O3粉末,生成的气态Ga2O和载气Ar中的微量O2反应,在多孔氧化铝模板上沉积得到了Ga2O3纳米带。用扫描电子显微镜,透射电子显微镜和选区电子衍射对产物的结构和形态进行表征,发现产物为β鄄Ga... 采用化学气相沉积法,以碳纳米管作还原剂还原Ga2O3粉末,生成的气态Ga2O和载气Ar中的微量O2反应,在多孔氧化铝模板上沉积得到了Ga2O3纳米带。用扫描电子显微镜,透射电子显微镜和选区电子衍射对产物的结构和形态进行表征,发现产物为β鄄Ga2O3纳米带,宽度在20 ̄500nm之间,厚度为5 ̄100nm,长度可达几十微米。产物中还有几微米宽的Ga2O3纳米片。光致发光谱结果表明β鄄Ga2O3纳米带能发射蓝光和紫外光。文中还简单推测了β鄄Ga2O3纳米带的形成机理。 展开更多
关键词 纳米带 性质研究 氧化镓 GA2O3 化学气相沉积法 多孔氧化铝模板 扫描电子显微镜 透射电子显微镜 合成 选区电子衍射 光致发光谱 碳纳米管 形成机理 还原剂 产物 紫外光 微米
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CVD金刚石薄膜表面的缺陷研究 被引量:9
13
作者 周灵平 靳九成 +2 位作者 李绍禄 颜永红 朱正华 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第2期126-131,共6页
用SEM方法观察分析了CVD金刚石薄膜表面的缺陷形貌和结构,直观的两种缺陷为孪晶和孔洞。孪晶反映了晶粒的不完整性,它的产生取决于气相中活性分子的浓度与生长表面活性位数目的比值,孪晶比率随碳源浓度升高和衬底温度的降低而... 用SEM方法观察分析了CVD金刚石薄膜表面的缺陷形貌和结构,直观的两种缺陷为孪晶和孔洞。孪晶反映了晶粒的不完整性,它的产生取决于气相中活性分子的浓度与生长表面活性位数目的比值,孪晶比率随碳源浓度升高和衬底温度的降低而增大;孔洞反映了膜的不致密性,其产生与膜生长速率和衬底表面初始成核密度切相关,孔洞密度随碳源浓度升高和衬底温度的升高而增大。 展开更多
关键词 金刚石薄膜 缺陷 孪晶 表面形貌 CVD
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偏光观察C/C复合材料 被引量:9
14
作者 张保法 阮宏武 李东生 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期32-34,共3页
利用正交偏光可分辨C/C复合材料中不同类型的沉积炭,通过旋转检偏器可测量C/C复合材料中沉积炭的消光角度。列举了偏光观察C/C复合材料实验过程中经常遇到的问题,介绍了测定消光角度的方法,简要概述了近年来研究热解炭各向异性的成果。
关键词 C/C复合材料 化学气相沉积 消光角度 偏光显微镜
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气溶胶辅助化学气相沉积制备Al掺杂ZnO透明导电薄膜 被引量:9
15
作者 秦秀娟 韩司慧智 +2 位作者 赵琳 左华通 宋士涛 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期607-612,共6页
采用气溶胶辅助化学气相沉积(AACVD)法在玻璃衬底上制备了Al掺杂ZnO(AZO)薄膜.研究了Al掺杂(2at%~8at%)对ZnO薄膜结构及光电性能的影响.利用XRD、SEM、EDAX、紫外可见分光光度计等手段对样品进行测试.结果表明,制备的所有AZO薄膜均具... 采用气溶胶辅助化学气相沉积(AACVD)法在玻璃衬底上制备了Al掺杂ZnO(AZO)薄膜.研究了Al掺杂(2at%~8at%)对ZnO薄膜结构及光电性能的影响.利用XRD、SEM、EDAX、紫外可见分光光度计等手段对样品进行测试.结果表明,制备的所有AZO薄膜均具有纤锌矿结构,不具有沿c轴方向的择优取向,XRD图谱中未观察出Al的相关分相.在可见光范围内,AZO薄膜的平均透过率大于72%,光学禁带宽度随Al掺杂量的增加而变窄.同时根据四探针技术所得的数据得知:Al的掺杂导致薄膜方块电阻的变化,随着Al掺杂量的增加,方块电阻有明显变小的现象,掺杂6at%Al的AZO薄膜具有最低方块电阻(18Ω/□). 展开更多
关键词 气溶胶 化学气相沉积法 Al:ZnO 透明导电薄膜
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化学气相沉积法合成金刚石的研究进展 被引量:9
16
作者 张旺玺 《陶瓷学报》 CAS 北大核心 2021年第4期537-546,共10页
为了更深入地了解化学气相沉积法合成金刚石,对化学气相沉积法合成金刚石的主要类型、合成的金刚石结构及主要形态和主要应用领域进行了综述。化学气相沉积法合成金刚石的方法可分为微波等离子体化学气相沉积法、热丝化学气相沉积法和... 为了更深入地了解化学气相沉积法合成金刚石,对化学气相沉积法合成金刚石的主要类型、合成的金刚石结构及主要形态和主要应用领域进行了综述。化学气相沉积法合成金刚石的方法可分为微波等离子体化学气相沉积法、热丝化学气相沉积法和直流电弧等离子体喷射化学气相沉积法。化学气相沉积法合成的金刚石的形态主要有金刚石单晶、微纳米级多晶金刚石膜和类金刚石膜。该法合成的金刚石主要用作钻石培育、刀具涂层、半导体器件材料、水处理电极材料以及其他功能材料。由于该合成金刚石在质量、尺寸、净度、功能等方面的众多优势,预计在未来几十年内,在产量上快速赶上高压高温法,在质量上超过高压高温法。为了加快化学气相沉积法合成金刚石的发展,应该从提高速率、提升质量、加大尺寸、细化功能四个方面深入开展化学气相沉积法合成金刚石的技术研发。 展开更多
关键词 化学气相沉积 金刚石 超硬材料 微波等离子体
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从氧化锌矿直接制取纳米氧化锌粉研究 被引量:7
17
作者 郭兴忠 张丙怀 +1 位作者 阳海彬 杨辉 《化学工程》 CAS CSCD 北大核心 2003年第6期47-50,共4页
利用含碳球团在金属浴中的还原机理和气相化学反应法制备纳米粉的原理 ,进行了从低品位氧化锌矿直接制取纳米氧化锌粉的实验研究。结果表明 :所得的氧化锌粉的颗粒直径为 2 0— 10 0nm ,长度为 5 0— 5 0 0nm ,长径比为 1— 15 ;氧化锌... 利用含碳球团在金属浴中的还原机理和气相化学反应法制备纳米粉的原理 ,进行了从低品位氧化锌矿直接制取纳米氧化锌粉的实验研究。结果表明 :所得的氧化锌粉的颗粒直径为 2 0— 10 0nm ,长度为 5 0— 5 0 0nm ,长径比为 1— 15 ;氧化锌颗粒的晶形为长针状或棒状 ;收集系统的前段在颗粒尺寸大小及分布上均优于中段和后段 ;能促进氧化锌快速还原、锌蒸气快速氧化以及氧化锌快速冷却的因素都有利于氧化锌粒子的均匀成核和得到纳米粒子。 展开更多
关键词 氧化锌矿 气相化学反应法 纳米氧化锌粉
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垂直排列碳纳米管阵列和炭/炭复合材料的制备、导热性能及其在热管理中的应用进展 被引量:9
18
作者 董志军 孙兵 +6 位作者 朱辉 袁观明 李保六 郭建光 李轩科 丛野 张江 《新型炭材料》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2021年第5期873-896,共24页
现代科技的发展对热管理材料提出了更高、更迫切的需求。由于具有优异的导热性、低热膨胀系数和耐高温性,定向排列碳纳米管和炭/炭复合材料作为理想的轻质、稳定的热管理材料引起了广泛的关注。本文首先介绍了炭材料的导热机制,系统评... 现代科技的发展对热管理材料提出了更高、更迫切的需求。由于具有优异的导热性、低热膨胀系数和耐高温性,定向排列碳纳米管和炭/炭复合材料作为理想的轻质、稳定的热管理材料引起了广泛的关注。本文首先介绍了炭材料的导热机制,系统评述了垂直排列碳纳米管阵列和炭/炭复合材料的制备方法,热导率的主要影响因素以及它们在热管理中的应用。总结了材料制备-结构-性能之间的关系,并给出了提高材料导热性能的策略。最后提出了垂直排列碳纳米管阵列和炭/炭复合材料在热管理应用中面临的挑战及今后的研究方向。 展开更多
关键词 碳纳米管 炭纤维 化学气相沉积 导热系数 界面热阻
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W18Cr4V高速钢渗铬热处理对HFCVD金刚石膜生长的影响 被引量:8
19
作者 魏秋平 王钰言 +2 位作者 陈中 刘培植 余志明 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第7期1623-1631,共9页
采用热丝化学沉积法在高速钢基体上沉积金刚石薄膜。为了减少石墨的形成、增强膜基结合强度,沉积前先使用渗铬热处理在高速钢表面制备一层碳化铬中间层。采用场发射扫描电子显微镜、X射线衍射仪、激光拉曼光谱和洛氏硬度计对渗铬基体和... 采用热丝化学沉积法在高速钢基体上沉积金刚石薄膜。为了减少石墨的形成、增强膜基结合强度,沉积前先使用渗铬热处理在高速钢表面制备一层碳化铬中间层。采用场发射扫描电子显微镜、X射线衍射仪、激光拉曼光谱和洛氏硬度计对渗铬基体和金刚石膜进行检测分析,研究渗铬热处理对高速钢基体与金刚石膜的物相组织、结构形貌和附着性能的影响。结果表明:渗铬热处理能在钢基表面形成一层致密的富Cr层,此过渡层能有效提高金刚石的形核率,在渗铬钢基表面形成连续致密的高质量金刚石膜,但该金刚石膜的应力较大,1 471N载荷的压痕测试导致薄膜严重破坏,说明膜基结合强度有待进一步提高。 展开更多
关键词 金刚石膜 高速钢 化学气相沉积 渗铬热处理 附着性能
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基于化学气相沉积石墨烯/PEDOT-PSS共混复合材料的导电薄膜 被引量:8
20
作者 林金堂 《复合材料学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第1期180-184,共5页
采用液相剥离技术制备基于化学气相沉积(CVD)石墨烯/聚乙撑二氧噻吩-聚苯乙烯磺酸(PEDOTPSS)共混复合材料的导电薄膜。采用原子力显微镜和SEM表征石墨烯/PEDOT-PSS复合薄膜的微观结构;通过紫外吸收谱、X射线光电子能谱、FTIR等分析技术... 采用液相剥离技术制备基于化学气相沉积(CVD)石墨烯/聚乙撑二氧噻吩-聚苯乙烯磺酸(PEDOTPSS)共混复合材料的导电薄膜。采用原子力显微镜和SEM表征石墨烯/PEDOT-PSS复合薄膜的微观结构;通过紫外吸收谱、X射线光电子能谱、FTIR等分析技术探索该共混复合薄膜的导电机制。结果表明:石墨烯/PEDOT-PSS导电薄膜具有优异的电学特性,其方阻约为8Ω/;表面分析表明,石墨烯与PEDOT主链中五元噻吩发生π-π共轭效应,由此引起两作用体之间电子云密度的变化,该变化增加了PEDOT主链的载流子离域化程度,有利于PEDOT导电性的提升,同时提高石墨烯的载流子浓度,使CVD石墨烯/PEDOT-PSS复合薄膜的导电能力增强。 展开更多
关键词 石墨烯 聚合物基复合材料 化学气相沉积 电学特性 表面分析
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