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化学气相沉积包覆燃料颗粒ZrC涂层的模拟计算
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作者 刘超 唐春和 +2 位作者 刘兵 圣锋 苏海燕 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第11期1289-1293,共5页
ZrC涂层是高温气冷堆包覆燃料颗粒最具潜力的一种阻挡层材料。本文利用热力学软件HSC-Chemistry 5.0对化学气相沉积ZrC涂层进行模拟计算。结果表明,化学气相沉积ZrC涂层较佳工艺参数范围如下:原料气体中C/Zr比为0.5~1.5,H2/Ar比为0.5~... ZrC涂层是高温气冷堆包覆燃料颗粒最具潜力的一种阻挡层材料。本文利用热力学软件HSC-Chemistry 5.0对化学气相沉积ZrC涂层进行模拟计算。结果表明,化学气相沉积ZrC涂层较佳工艺参数范围如下:原料气体中C/Zr比为0.5~1.5,H2/Ar比为0.5~1.5,沉积温度为1 450~1 650℃。 展开更多
关键词 包覆燃料颗粒 ZrC涂层 化学气相沉积 模拟计算
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ZrCl_4蒸汽法沉积ZrC涂层的锆源输送装置 被引量:2
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作者 刘超 刘兵 +2 位作者 邵友林 李自强 唐春和 《清华大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期449-452,共4页
为解决ZrCl4蒸汽法化学气相沉积包覆燃料颗粒ZrC涂层时锆源输送的控制问题,设计制造了锆源输送装置。改装坩埚电阻炉,配备温度控制箱,以满足蒸发器的连接和控温要求;设计不锈钢蒸发器与耐高温、腐蚀压力表以满足腐蚀性气体测压要求;使... 为解决ZrCl4蒸汽法化学气相沉积包覆燃料颗粒ZrC涂层时锆源输送的控制问题,设计制造了锆源输送装置。改装坩埚电阻炉,配备温度控制箱,以满足蒸发器的连接和控温要求;设计不锈钢蒸发器与耐高温、腐蚀压力表以满足腐蚀性气体测压要求;使用加热带和玻璃纤维布以满足ZrCl4蒸汽输送过程保温要求。最后进行ZrCl4蒸汽载带实验。实验结果表明,通过控制蒸发器加热温度和载气流量该装置可以实现ZrCl4蒸汽的定量载带,为ZrCl4蒸汽法沉积ZrC涂层提供了设备基础。 展开更多
关键词 ZrCl4蒸汽 化学气相沉积 包覆燃料颗粒 ZrC涂层 锆源输送装置
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钽在集成电路中的应用 被引量:17
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作者 潘伦桃 李彬 +3 位作者 郑爱国 吕建波 李海军 王秋迎 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期28-34,共7页
介绍了在硅基片上用钽溅射靶溅射沉积和用钽的化合物气相化学沉积钽基膜 (金属钽、碳化钽、氮化钽、硅化钽、氮化硅化钽、氮化碳化钽 )作为集成电路中防止铜向基片硅中扩散的阻挡层 ,介绍了钽溅射靶的技术要求 ,加工方法以及化学气相沉... 介绍了在硅基片上用钽溅射靶溅射沉积和用钽的化合物气相化学沉积钽基膜 (金属钽、碳化钽、氮化钽、硅化钽、氮化硅化钽、氮化碳化钽 )作为集成电路中防止铜向基片硅中扩散的阻挡层 ,介绍了钽溅射靶的技术要求 ,加工方法以及化学气相沉积钽基薄膜的方法。 展开更多
关键词 阻挡层 钽溅射靶 化学气相沉积
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碳/碳复合材料制备方法及其新理论 被引量:7
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作者 赵俊国 徐君 周师庸 《鞍山钢铁学院学报》 2002年第5期333-337,共5页
对制备碳 /碳复合材料的各种方法和过程作了评述 ,包括予制体成型 ,致密化处理 ,液相浸渍工艺 ,化学气相沉积工艺等 ,重点介绍了由德国Karlsruhe大学研究组提出的已为实验所验证的、新的碳沉积理论 ,最后对碳
关键词 制备 碳/碳复合材料 甲烷 化学气相沉积
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气相沉积h-BN陶瓷的应用 被引量:7
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作者 鲁燕萍 《真空电子技术》 2005年第5期4-7,12,共5页
论述了化学气相沉积h-BN陶瓷的主要性能及其在微波管中的应用优势,并对国内外化学气相沉积h-BN陶瓷的性能、微观结构以及在微波管中的应用情况进行了比较。
关键词 微波管 化学气相沉积 陶瓷
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粉煤灰空心微珠表面改性的研究进展 被引量:4
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作者 陈松涛 李松田 +2 位作者 吴春笃 闫永胜 霍鹏伟 《表面技术》 EI CAS CSCD 2007年第4期69-71,共3页
粉煤灰空心微珠有着较高的利用价值,经过表面改性后,性能改善,附加值更高。空心微珠表面改性的主要工艺有化学气相沉积法、化学镀膜法、真空镀膜法、溶胶-凝胶法,尤以化学镀膜法应用较多。经过改性的空心微珠可用于制作吸波材料、发泡... 粉煤灰空心微珠有着较高的利用价值,经过表面改性后,性能改善,附加值更高。空心微珠表面改性的主要工艺有化学气相沉积法、化学镀膜法、真空镀膜法、溶胶-凝胶法,尤以化学镀膜法应用较多。经过改性的空心微珠可用于制作吸波材料、发泡材料、优质填料、催化剂等,以作吸波材料的研究最为活跃。这类技术从航空、军事等高科技领域到化工、环保等民用事业都得以开发应用,并且有着更加广阔的应用前景。 展开更多
关键词 空心微珠 表面改性 化学镀 化学气相沉积 真空镀膜 溶胶-凝胶法
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气相渗硅工艺制备KD-1 SiC_f/SiC复合材料及其性能研究
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作者 王洪磊 周新贵 +2 位作者 于海蛟 赵爽 罗征 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第11期5-7,93,共4页
以国产KD-1型SiC纤维为增强体,采用化学气相沉积和酚醛树脂浸渍裂解获得两种碳源的多孔SiCf/C,通过气相渗硅工艺制备了KD-1 SiCf/SiC复合材料,对复合材料的微观结构和力学性能进行了研究。结果表明:不同碳源的多孔SiCf/C,经过气相渗硅得... 以国产KD-1型SiC纤维为增强体,采用化学气相沉积和酚醛树脂浸渍裂解获得两种碳源的多孔SiCf/C,通过气相渗硅工艺制备了KD-1 SiCf/SiC复合材料,对复合材料的微观结构和力学性能进行了研究。结果表明:不同碳源的多孔SiCf/C,经过气相渗硅得到SiCf/SiC复合材料的断裂韧性相差较大,分别为12.9,2.0 MPa.m1/2。而对于酚醛树脂浸渍裂解制备的高孔隙率SiCf/C中间体,经过气相渗硅得到SiCf/SiC复合材料的密度及力学性能明显高于由低孔隙率SiCf/C得到的SiCf/SiC复合材料。 展开更多
关键词 SICF/SIC 气相渗硅 化学气相沉积
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TiC晶须的形貌
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作者 俞进 《南昌大学学报(理科版)》 CAS 北大核心 2003年第2期174-177,共4页
用气相催化无衬底化学气相沉积法制备TiC高温陶瓷晶须。经X射线物相分析、电子衍射测定和扫描电镜观测,分析了TiC晶须的形貌。
关键词 TiC高温陶瓷晶须 形貌 晶体结构 枝晶 化学气相沉积法 轴向指数 生长工艺
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化学气相沉积法制备碳纳米管的研究进展 被引量:21
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作者 王敏炜 彭年才 李凤仪 《现代化工》 CAS CSCD 北大核心 2002年第4期18-21,共4页
从催化剂、碳源气体及反应器的选择等方面综述了化学气相沉积法制备碳纳米管的研究进展 ,讨论了碳纳米管的合成机理。指出催化合成碳纳米管的研究难点在于管径的有效调控和大批量生产 。
关键词 化学气相沉积法 制备 碳纳米管 研究进展 催化剂 碳源
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CVD金刚石膜的机械抛光加工研究 被引量:10
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作者 余忠民 匡同春 +2 位作者 白晓军 王成勇 郭钟宁 《硬质合金》 CAS 2000年第3期151-155,共5页
在简要综述 CVD金刚石膜光整加工方法的基础上 ,在自动抛磨机上对 CVD金刚石厚膜进行了初步的机械抛光工艺研究 ,借助扫描电子显微镜 (SEM)对抛光前后及抛光过程中 CVD金刚石膜的表面形貌变化进行了观察 ,初步讨论了 CVD金刚石的去除过程。
关键词 CVD金刚石膜 机械抛光 表面形貌 SEM
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CVD金刚石薄膜及膜-基界面形态 被引量:9
11
作者 匡同春 刘正义 +2 位作者 周克崧 王德政 代明江 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第3期305-312,共8页
采用直流等离子体财流CVD法在硬质合金基体上沉积了多晶金刚石薄膜,借助XRD、Raman光谱、SEM和EPMA等对金刚石薄膜及膜-基界面的结构、形貌和成分进行了研究.结果表明,结晶度高的刻面型金刚石薄膜质量、纯度较好,膜-基界面处较致密... 采用直流等离子体财流CVD法在硬质合金基体上沉积了多晶金刚石薄膜,借助XRD、Raman光谱、SEM和EPMA等对金刚石薄膜及膜-基界面的结构、形貌和成分进行了研究.结果表明,结晶度高的刻面型金刚石薄膜质量、纯度较好,膜-基界面处较致密,机械锚固作用明显,结合性能较好沉积前后基体表面形貌变化很大,存在数十微米厚的脱钴-等离子体刻蚀层,等离子体刻蚀导致脱钻表面更加凹凸不平,为金刚石形核提供了有利条件. 展开更多
关键词 CVD 金刚石薄膜 结合性能 膜-基界面形态
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一种快速制备高性能碳/碳复合材料的新技术 被引量:10
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作者 罗瑞盈 李贺军 +1 位作者 杨峥 康沫狂 《西北工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第4期636-638,共3页
一种快速制备高性能碳/碳复合材料的新技术罗瑞盈,李贺军,杨峥,康沫狂化学气相沉积(CVD)法是制备高性能碳/碳(C/C)复合材料的一种很有前途的方法,但是制备周期长、成本高是CVD法的一大缺点。为解决这一问题,作者查... 一种快速制备高性能碳/碳复合材料的新技术罗瑞盈,李贺军,杨峥,康沫狂化学气相沉积(CVD)法是制备高性能碳/碳(C/C)复合材料的一种很有前途的方法,但是制备周期长、成本高是CVD法的一大缺点。为解决这一问题,作者查阅了大量资料,在多次试验探索的基础... 展开更多
关键词 碳/碳复合材料 化学气相沉积 密度
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织构CVD金刚石附着膜残余应力分析 被引量:6
13
作者 李晓伟 李翠平 杨保和 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第7期901-904,共4页
利用微波等离子体化学气相沉积(CVD)方法,在(100)P型Si衬底上沉积得到{110}织构金刚石膜样品,并对其作退火处理。拉曼光谱和高角度X射线衍射(XRD)线型测试结果表明:{110}织构金刚石膜由于晶粒排布的有序程度提高,本征张应力较小,样品内... 利用微波等离子体化学气相沉积(CVD)方法,在(100)P型Si衬底上沉积得到{110}织构金刚石膜样品,并对其作退火处理。拉曼光谱和高角度X射线衍射(XRD)线型测试结果表明:{110}织构金刚石膜由于晶粒排布的有序程度提高,本征张应力较小,样品内残余应力与其热应力状态一样,均表现为压应力,且随膜的增厚,残余压应力绝对值变大,呈现随厚度的梯度分布;400℃退火3h后,膜内残余应力状态发生改变,说明退火处理可以有效调整膜内残余应力。 展开更多
关键词 化学气相沉积(CVD)金刚石膜 残余应力 织构 拉曼光谱 X射线 退火
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EACVD小型化系统摆动衬底设计及温度场仿真研究 被引量:4
14
作者 王鸿翔 左敦稳 +1 位作者 卢文壮 林欢庆 《中国机械工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期580-584,共5页
对传统的电子辅助化学气相沉积(EACVD)系统连续转动衬底进行改进,设计了无急回特性的曲柄摇杆机构摆动衬底,解决了原衬底结构复杂,只能单点测温,以及衬底冷却水渗漏等问题;对摆动衬底的温度场进行仿真计算,分析了不同摆动参数对衬底温... 对传统的电子辅助化学气相沉积(EACVD)系统连续转动衬底进行改进,设计了无急回特性的曲柄摇杆机构摆动衬底,解决了原衬底结构复杂,只能单点测温,以及衬底冷却水渗漏等问题;对摆动衬底的温度场进行仿真计算,分析了不同摆动参数对衬底温度场的影响,结果表明,选用合适的摆动参数可以获得比较均匀的衬底温度场。仿真结果可以为衬底摆动机构的设计提供理论依据。 展开更多
关键词 电子辅助化学气相沉积(EACVD)小型化系统 摆动衬底 无急回特性 温度场
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化学气相沉积金刚石探测器测量软X射线能谱 被引量:4
15
作者 侯立飞 李芳 +2 位作者 袁永腾 杨国洪 刘慎业 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期1137-1142,共6页
金刚石具备高热导率、高电阻率、高击穿电场、大的禁带宽度、介电系数小、载流子迁移率高以及抗辐射能力强等特性,可作为已应用于惯性约束聚变(ICF)实验X射线测量的硅与X射线二极管的较好替代品.随着化学气相沉积(CVD)技术的发展,CVD金... 金刚石具备高热导率、高电阻率、高击穿电场、大的禁带宽度、介电系数小、载流子迁移率高以及抗辐射能力强等特性,可作为已应用于惯性约束聚变(ICF)实验X射线测量的硅与X射线二极管的较好替代品.随着化学气相沉积(CVD)技术的发展,CVD金刚石受到人们越来越多的关注.文中利用拉曼谱仪和X射线衍射仪对1mm×1mm×2mm,1mm×1mm×3mm两种规格CVD金刚石完成品质检测后,完成了CVD金刚石X射线探测器的集成制作,并在8ps激光器和神光III原型装置上开展了探测器时间特性等性能研究.实验结果表明,整个探测器系统前沿响应时间可达60ps,半高全宽可达120ps,与X射线二极管探测系统时间特性一致.在神光Ⅲ原型装置实验中,没有观察到探测器对3ω0激光的响应,说明探测器具有好的抗干扰能力.其测得的温度曲线与软X射线能谱仪测量结果一致,实现了X射线能谱测量的初步应用. 展开更多
关键词 化学气相沉积金刚石 探测器 X射线测量 响应时间
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Effect of nitrogen on deposition and field emission properties of boron-doped micro-and nano-crystalline diamond films 被引量:1
16
作者 L.A.Li S.H.Cheng +3 位作者 H.D.Li Q.Yu J.W.Liu X.Y.Lv 《Nano-Micro Letters》 SCIE EI CAS 2010年第3期154-159,共6页
In this paper,we report the effect of nitrogen on the deposition and properties of boron doped diamond films synthesized by hot filament chemical vapor deposition.The diamond films consisting of micro-grains(nano-grai... In this paper,we report the effect of nitrogen on the deposition and properties of boron doped diamond films synthesized by hot filament chemical vapor deposition.The diamond films consisting of micro-grains(nano-grains) were realized with low(high) boron source flow rate during the growth processes.The transition of micro-grains to nano-grains is speculated to be strongly(weekly) related with the boron(nitrogen) flow rate.The grain size and Raman spectral feature vary insignificantly as a function of the nitrogen introduction at a certain boron flow rate.The variation of electron field emission characteristics dependent on nitrogen is different between microcrystalline and nanocrystalline boron doped diamond samples,which are related to the combined phase composition,boron doping level and texture structure.There is an optimum nitrogen proportion to improve the field emission properties of the boron-doped films. 展开更多
关键词 chemical vapor deposited diamond film Nitrogen effect Boron doping MICROCRYSTALLINE NANOCRYSTALLINE Electron field emission
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快响应化学气相沉积金刚石软X射线探测器的研制 被引量:2
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作者 李芳 侯立飞 +2 位作者 苏春晓 杨国洪 刘慎业 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期1404-1406,共3页
利用高品质化学气相沉积(CVD)金刚石,采用微带线结构研制了CVD金刚石软X射线探测器。利用脉宽为10 ps的激光器进行了探测器响应时间的测量,获得半宽度为115 ps的信号,经过计算得到CVD金刚石探测器的上升时间为49 ps。在激光原型装置实验... 利用高品质化学气相沉积(CVD)金刚石,采用微带线结构研制了CVD金刚石软X射线探测器。利用脉宽为10 ps的激光器进行了探测器响应时间的测量,获得半宽度为115 ps的信号,经过计算得到CVD金刚石探测器的上升时间为49 ps。在激光原型装置实验中,通过与软X射线能谱仪测量结果的相互比对,证实所研制的CVD金刚石探测器是一种响应时间快、信噪比高、性能可靠的软X射线探测器。 展开更多
关键词 ICF 化学气相沉积金刚石 软X射线探测器 响应时间 上升时间
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热丝CVD金刚石涂层研究 被引量:1
18
作者 吴谢瑜 《硬质合金》 CAS 2004年第1期32-35,共4页
用热丝法在硬质合金基体上沉积出金刚石涂层,对涂层的成分、结构、形貌、切削性能等进行了分析,结果证明用热丝法可获得较理想的金刚石薄膜。由于金刚石薄膜优良的使用性能和低成本,使其在工具应用方面有较广泛的市场,因此,加快其产业... 用热丝法在硬质合金基体上沉积出金刚石涂层,对涂层的成分、结构、形貌、切削性能等进行了分析,结果证明用热丝法可获得较理想的金刚石薄膜。由于金刚石薄膜优良的使用性能和低成本,使其在工具应用方面有较广泛的市场,因此,加快其产业化的研究、扩大其产业规模,加快进入商品化阶段是CVD金刚石涂层的发展方向。 展开更多
关键词 金刚石涂层 热丝法 粘结性能 硬质合金 CVD
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GaN_(1-x)P_x三元合金的光学与结构特性 被引量:1
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作者 陈敦军 张开骁 +5 位作者 沈波 邓咏桢 濮林 张荣 施毅 郑有炓 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期137-139,共3页
对采用金属有机化学气相淀积 (MOCVD)技术生长的GaN1-xPx 三元合金进行了低温光致发光 (PL)和X射线衍射 (XRD)测试分析 .与来自GaN层的带边发射相比 ,P的摩尔分数比为 0 .0 3,0 .11和 0 .15的GaN1-xPx 的光致发光峰分别呈现出了 73meV ,... 对采用金属有机化学气相淀积 (MOCVD)技术生长的GaN1-xPx 三元合金进行了低温光致发光 (PL)和X射线衍射 (XRD)测试分析 .与来自GaN层的带边发射相比 ,P的摩尔分数比为 0 .0 3,0 .11和 0 .15的GaN1-xPx 的光致发光峰分别呈现出了 73meV ,78meV和 10 0meV的红移 ,文中将这种红移归因于GaN1-xPx 合金具有大的带隙能量弯曲系数。X射线衍射结果表明GaN1-xPx 三元合金仍为六方结构晶体 ,且随着P组份比的增加 ,GaN1-xPx合金的 (0 0 0 2 )衍射峰逐渐向小角度方向移动 ,即晶格常量变大 ,同时 ,(0 0 0 2 )衍射峰谱线不断宽化 ,说明由于替位式P原子的不规则分布以及部分间隙P原子的影响造成了GaN1-xPx 样品的晶格畸变。在GaN1-xPx 的光致发光谱及X射线衍射谱中均未观测到相应的有关GaP的峰 ,表明所生长的高P含量的GaN1-xPx 三元合金没有产生明显的相分离。 展开更多
关键词 光学材料 三元合金 氮化镓 红移现象 X射线衍射 光致发光 晶格畸变 半导体光电材料
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淀积条件对a-SiNx:H薄膜中含氢基团的影响
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作者 朱永福 李牧菊 +5 位作者 杨柏梁 刘传珍 廖燕平 袁剑锋 刘雅言 申德振 《液晶与显示》 CAS CSCD 1999年第4期279-283,共5页
利用红外光谱研究了等离子体化学气相沉积(PECVD)方法淀积的a-SiNx:H薄膜。分析了气体流量比(R)、衬底温度(Ts)以及射频功率(P(rf))的变化对a-SiNx:H薄膜中SiH、NH和NH2基团的吸收峰强度的... 利用红外光谱研究了等离子体化学气相沉积(PECVD)方法淀积的a-SiNx:H薄膜。分析了气体流量比(R)、衬底温度(Ts)以及射频功率(P(rf))的变化对a-SiNx:H薄膜中SiH、NH和NH2基团的吸收峰强度的影响,同时研究了退火条件对a-SiNx:H薄膜中含氢基团的影响。 展开更多
关键词 等离子体化学气相沉积 非晶氮化硅薄膜 含氢范围
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