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蓝宝石衬底的化学机械抛光技术的研究 被引量：37
1
作者 王银珍 周圣明 徐军 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期441-447,共7页
介绍了蓝宝石衬底的化学机械抛光工艺 ,概述了化学机械抛光原理和设备 ,讨论分析了影响蓝宝石衬底化学机械抛光的因素 ,阐述了CMP的主要发展趋势 :能定量确定最佳CMP工艺 ,系统地研究CMP工艺过程参数 ,建立完善的CMP理论模型 ,满足不同... 介绍了蓝宝石衬底的化学机械抛光工艺 ,概述了化学机械抛光原理和设备 ,讨论分析了影响蓝宝石衬底化学机械抛光的因素 ,阐述了CMP的主要发展趋势 :能定量确定最佳CMP工艺 ,系统地研究CMP工艺过程参数 ,建立完善的CMP理论模型 ,满足不同的工艺要求和应用领域 ,有效降低成本 。 展开更多
关键词 化学机械抛光技术 蓝宝石 衬底 cmp 抛光方法 抛光机
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化学机械抛光液的研究进展 被引量：15
2
作者 廉进卫 张大全 高立新 《化学世界》 CAS CSCD 北大核心 2006年第9期565-567,576,共4页
化学机械抛光(CMP)是唯一能对亚微米级器件提供全局平面化的技术,介绍了化学机械抛光浆料的品种、应用范围、研究进展以及浆料的组成和抛光原理,随着硅单晶片向大尺寸的发展,以及集成电路集成度的提高、线宽的进一步减小,须加强对化学... 化学机械抛光(CMP)是唯一能对亚微米级器件提供全局平面化的技术,介绍了化学机械抛光浆料的品种、应用范围、研究进展以及浆料的组成和抛光原理,随着硅单晶片向大尺寸的发展,以及集成电路集成度的提高、线宽的进一步减小,须加强对化学机械抛光液的开发和抛光机理的研究,满足化学机械抛光的技术和工艺要求。 展开更多
关键词 化学机械抛光(cmp) 硅片抛光 抛光液 SiO2胶体
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硅片化学机械抛光时运动形式对片内非均匀性的影响分析 被引量：14
3
作者 苏建修 郭东明 +2 位作者 康仁科 金洙吉 李秀娟 《中国机械工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第9期815-818,共4页
分析了目前几种常见的化学机械抛光机中抛光头与抛光垫的运动关系,针对不同的硅片运动形式,计算了磨粒在硅片表面的运动轨迹;通过对磨粒在硅片表面上的运动轨迹分布的统计分析,得出了硅片在不同运动形式下的片内材料去除非均匀性。从硅... 分析了目前几种常见的化学机械抛光机中抛光头与抛光垫的运动关系,针对不同的硅片运动形式,计算了磨粒在硅片表面的运动轨迹;通过对磨粒在硅片表面上的运动轨迹分布的统计分析,得出了硅片在不同运动形式下的片内材料去除非均匀性。从硅片表面材料去除非均匀性方面,对几种抛光机的运动形式进行了比较,结果表明,抛光头摆动式抛光机所产生的硅片内非均匀性最小。该研究为化学机械抛光机床的设计和使用中选择和优化运动参数提供了理论依据。 展开更多
关键词 化学机械抛光 运动形式 硅片内非均匀性 磨粒轨迹
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化学机械抛光中抛光垫作用分析 被引量：11
4
作者 张朝辉 杜永平 +1 位作者 常秋英 雒建斌 《北京交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期18-21,共4页
化学机械抛光(chemical mechanical polishing/planarization,CMP)能够提供高级别的整体平面度和局部平面度而成为集成电路(integrated circuit,IC)中起重要作用的一门技术.抛光垫是CMP性能的主要影响因素.这里建立了一个初步的二维流... 化学机械抛光(chemical mechanical polishing/planarization,CMP)能够提供高级别的整体平面度和局部平面度而成为集成电路(integrated circuit,IC)中起重要作用的一门技术.抛光垫是CMP性能的主要影响因素.这里建立了一个初步的二维流动模型以考虑抛光垫的弹性、孔隙参数、粗糙度以及晶片形状等因素对抛光液流动性能的影响,并通过数值模拟得出了它们对压力分布和膜厚等的作用.结果表明:由于抛光垫的变形和多孔性,承载能力将有所下降,膜厚增大,从而有利于抛光液中粒子和磨屑的带出.晶片表面曲率的变化对压力和膜厚的作用也很明显,全膜条件粗糙度的存在将引起流体压力的波动.研究为设计CMP中合适的抛光垫参数提供了初步的理论依据. 展开更多
关键词 化学机械抛光 抛光垫 抛光液 流动模型 粗糙度 压力波动
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基于响应曲面法的YG8硬质合金刀片化学机械抛光工艺参数优化 被引量：16
5
作者 袁巨龙 毛美姣 +4 位作者 李敏 刘舜 吴锋 胡自化 秦长江 《中国机械工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第19期2290-2297,共8页
为了快速确定YG8前刀面抛光的最佳工艺参数,提高加工效率和精度,利用响应曲面法对YG8硬质合金刀片抛光工艺进行优化试验研究。通过单因素试验确定抛光转速、抛光压力、磨粒粒径和磨粒浓度的水平,并对4个工艺参数进行中心复合设计试验。... 为了快速确定YG8前刀面抛光的最佳工艺参数,提高加工效率和精度,利用响应曲面法对YG8硬质合金刀片抛光工艺进行优化试验研究。通过单因素试验确定抛光转速、抛光压力、磨粒粒径和磨粒浓度的水平,并对4个工艺参数进行中心复合设计试验。建立了材料去除率RMR和表面粗糙度Ra的预测模型,基于响应曲面法优化工艺参数获得最佳工艺参数为抛光转速65.5 r/min、抛光压力156.7 kPa、磨粒粒径1.1μm、磨粒浓度14%,此时得到了最小表面粗糙度预测值Ra=0.019μm,材料去除率RMR=56.6 nm/min。试验结果表明,基于响应曲面法的材料去除率与表面粗糙度预测模型准确有效。 展开更多
关键词 化学机械抛光 硬质合金刀片 工艺参数优化 响应曲面法
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化学机械抛光过程抛光液作用的研究进展 被引量：14
6
作者 邹微波 魏昕 +2 位作者 杨向东 谢小柱 方照蕊 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 2012年第1期53-56,59,共5页
化学机械抛光(CMP)已成为公认的纳米级全局平坦化精密超精密加工技术。抛光液在CMP过程中发挥着重要作用。介绍了CMP过程中抛光液的作用的研究进展,综合归纳了抛光液中各组分的作用,为抛光液的研制和优化原则的制定提供了参考依据。
关键词 化学机械抛光(cmp) 抛光液 材料去除率 表面质量
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LED用蓝宝石衬底抛光技术进展 被引量：13
7
作者 卓志国 周海 +1 位作者 徐晓明 臧跃 《机械设计与制造》 北大核心 2013年第4期249-251,255,共4页
蓝宝石单晶衬底具有优秀的物理化学性质,作为LED的主要衬底材料,其晶片表面质量要求非常高,而加工工艺在很大程度上决定了表面质量。对蓝宝石衬底加工的各种工艺原理作简要介绍,如化学机械抛光、磁流变抛光、浮法抛光等,指出这些加工方... 蓝宝石单晶衬底具有优秀的物理化学性质,作为LED的主要衬底材料,其晶片表面质量要求非常高,而加工工艺在很大程度上决定了表面质量。对蓝宝石衬底加工的各种工艺原理作简要介绍,如化学机械抛光、磁流变抛光、浮法抛光等,指出这些加工方法的优缺点、发展进程等。目前蓝宝石衬底的抛光质量已经达到:表面粗糙度0.1nm,平面度0.5μm。随着生产工艺的不断进步,数字化、全自动、绿色无污染的抛光工艺是未来蓝宝石衬底加工的发展方向。 展开更多
关键词 蓝宝石衬底 抛光工艺 化学机械抛光
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不同氧化剂对6H-SiC化学机械抛光的影响 被引量：13
8
作者 倪自丰 陈国美 +3 位作者 徐来军 白亚雯 李庆忠 赵永武 《机械工程学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第19期224-231,共8页
选用胶体SiO2纳米颗粒为磨粒,研究不同pH值条件下高锰酸钾和双氧水两种氧化剂对6H-SiC晶片化学机械抛光的影响,并使用原子力显微镜观察抛光后表面质量。采用Zeta电位分析仪分析溶液中胶体SiO2颗粒的Zeta电位,采用X射线光电子能谱分析Si... 选用胶体SiO2纳米颗粒为磨粒,研究不同pH值条件下高锰酸钾和双氧水两种氧化剂对6H-SiC晶片化学机械抛光的影响,并使用原子力显微镜观察抛光后表面质量。采用Zeta电位分析仪分析溶液中胶体SiO2颗粒的Zeta电位,采用X射线光电子能谱分析SiC抛光表面元素及其化学状态。结果表明:SiC晶片的材料去除率随pH值变化而变化,采用高猛酸钾抛光液抛光时,材料去除率在pH 6时达到峰值185 nm/h,Ra为0.25 nm;采用双氧水抛光液抛光时,材料去除率在pH 8时达到峰值110 nm/h,Ra为0.32 nm。pH值低于5时,电负性的SiO2颗粒会通过静电作用吸附在带正电的Si C表面,抑制Si C晶片表面原子的氧化及去除,降低材料去除率;pH值高于5时,SiO2颗粒在双氧水抛光液中的静电排斥力弱于高锰酸钾抛光液中静电排斥力,从而影响了SiO2颗粒的分散性能,降低了抛光效果。采用高锰酸钾抛光液抛光后,SiC晶片表面的Si-C氧化产物含量(Si-C-O、Si4C4-xO2和Si4C4O4)较高,高锰酸钾抛光液的氧化能力较强。 展开更多
关键词 碳化硅 化学机械抛光 二氧化硅颗粒 高锰酸钾 双氧水
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超细氧化铝表面改性及其抛光特性 被引量：10
9
作者 卢海参 雷红 +1 位作者 张泽芳 肖保其 《润滑与密封》 CAS CSCD 北大核心 2007年第2期102-104,107,共4页
在化学机械抛光(CMP)中,为了提高氧化铝磨料分散稳定性和防止团聚,利用丙烯酰氯对超细氧化铝进行了表面改性,并用XPS、激光粒度仪、SEM对其进行表征,结果表明改性后的超细氧化铝分散性明显提高。研究了改性后超细氧化铝在数字光盘玻璃... 在化学机械抛光(CMP)中,为了提高氧化铝磨料分散稳定性和防止团聚,利用丙烯酰氯对超细氧化铝进行了表面改性,并用XPS、激光粒度仪、SEM对其进行表征,结果表明改性后的超细氧化铝分散性明显提高。研究了改性后超细氧化铝在数字光盘玻璃基片中的化学机械抛光特性,即外加压力、抛光时间和下盘转速对玻璃基片去除量的影响,并对其CMP机制进行了推断。结果表明,材料去除量随下盘转速、压力变化趋势相近,即随着压力的增加或下盘转速的提高,材料去除量先增大后减小;随抛光时间延长,抛光初期材料去除量增加较快,但在后段时间内去除量增加趋势趋于平缓。 展开更多
关键词 化学机械抛光(cmp) 玻璃基片 表面改性 超细氧化铝
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化学机械抛光浆料研究进展 被引量：9
10
作者 陆中 陈杨 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第12期1157-1161,1239,共6页
化学机械抛光(CMP)作为目前唯一可以实现全面平坦化的工艺技术,已被越来越广泛地应用到集成电路芯片、计算机硬磁盘和光学玻璃等表面的超精密抛光。介绍了CMP技术的发展背景,以及目前国内外抛光浆料的研究现状,并根据CMP浆料磨料的性质... 化学机械抛光(CMP)作为目前唯一可以实现全面平坦化的工艺技术,已被越来越广泛地应用到集成电路芯片、计算机硬磁盘和光学玻璃等表面的超精密抛光。介绍了CMP技术的发展背景,以及目前国内外抛光浆料的研究现状,并根据CMP浆料磨料的性质,将其分为单磨料、混合磨料和复合磨料浆料,对每一种浆料做了总体描述。详细介绍了近年来发展的复合磨料制备技术及其在CMP中的应用,并展望了CMP技术的发展前景以及新型抛光浆料的开发方向。 展开更多
关键词 化学机械抛光 抛光浆料 复合磨料
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化学机械抛光技术发展及其应用 被引量：12
11
作者 李思 张雨 《电子工业专用设备》 2019年第5期1-6,20,共7页
化学机械抛光技术是集成电路制造中的关键技术之一,是唯一可实现全局平坦化的工艺技术。根据集成电路技术节点与CMP的发展之间的对应关系,简述了化学机械抛光技术的产生、发展、应用、典型设备及其工艺耗材,并展望CMP技术的未来发展趋势。
关键词 化学机械抛光设备 技术节点 集成电路
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工艺条件对蓝宝石化学机械抛光的影响 被引量：11
12
作者 汪海波 俞沁聪 +2 位作者 刘卫丽 宋志棠 张楷亮 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第3期206-210,共5页
系统研究了抛光液的pH值、抛光压力和相对转速等因素对蓝宝石抛光速率和表面粗糙度的影响,研究结果表明:随pH值(9-12)的升高,抛光速率增加,表面粗糙度先降低后升高;随抛光压力和相对转速的增加,抛光速率先增加后降低,表面粗糙度先降低... 系统研究了抛光液的pH值、抛光压力和相对转速等因素对蓝宝石抛光速率和表面粗糙度的影响,研究结果表明:随pH值(9-12)的升高,抛光速率增加,表面粗糙度先降低后升高;随抛光压力和相对转速的增加,抛光速率先增加后降低,表面粗糙度先降低后升高。研究分析认为:pH值因影响在蓝宝石表面形成的水化层从而影响抛光速率和粗糙度;与抛光压力和相对转速相关的Hersey系数对抛光效果影响很大,当Hersey系数为24时,蓝宝石的抛光速率和表面平整度均达到最佳。 展开更多
关键词 蓝宝石 化学机械抛光(cmp) 二氧化硅 PH值 Heresy系数
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利用复合磨粒抛光液的硅片化学机械抛光 被引量：10
13
作者 许雪峰 马冰迅 +1 位作者 黄亦申 彭伟 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第7期1587-1593,共7页
为了提高硅片的抛光速率,利用复合磨粒抛光液对硅片进行化学机械抛光。分析了SiO2磨粒与聚苯乙烯粒子在溶液中的ζ电位及粒子间的相互作用机制,观察到SiO2磨粒吸附在聚苯乙烯及某种氨基树脂粒子表面的现象。通过向单一磨粒抛光液中加入... 为了提高硅片的抛光速率,利用复合磨粒抛光液对硅片进行化学机械抛光。分析了SiO2磨粒与聚苯乙烯粒子在溶液中的ζ电位及粒子间的相互作用机制,观察到SiO2磨粒吸附在聚苯乙烯及某种氨基树脂粒子表面的现象。通过向单一磨粒抛光液中加入聚合物粒子的方法获得了复合磨粒抛光液。对硅片传统化学机械抛光与利用复合磨粒抛光液的化学机械抛光进行了抛光性能研究,提出了利用复合磨粒抛光液的化学机械抛光技术的材料去除机理,并分析了抛光工艺参数对抛光速率的影响。实验结果显示,利用单一SiO2磨料抛光液对硅片进行抛光的抛光速率为180nm/min;利用SiO2磨料与聚苯乙烯粒子或某氨基树脂粒子形成的复合磨粒抛光液对硅片进行抛光的抛光速率分别为273nm/min和324nm/min。结果表明,利用复合磨粒抛光液对硅片进行抛光提高了抛光速率,并可获得Ra为0.2nm的光滑表面。 展开更多
关键词 化学机械抛光 硅片 复合磨粒 聚合物粒子
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SiC晶片超精密化学机械抛光技术 被引量：10
14
作者 庞龙飞 李晓波 +1 位作者 李婷婷 贾军朋 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2021年第11期1035-1040,共6页
分析了碳化硅(SiC)材料加工原理与难点,介绍了SiC晶片的精密抛光技术,使用化学机械抛光(CMP)方法对4英寸(1英寸=2.54 cm)4H-SiC晶片进行了超精密加工,通过调整抛光液体积流量、抛光头转速、抛光压力以及抛光时间等工艺参数对SiC晶片进... 分析了碳化硅(SiC)材料加工原理与难点,介绍了SiC晶片的精密抛光技术,使用化学机械抛光(CMP)方法对4英寸(1英寸=2.54 cm)4H-SiC晶片进行了超精密加工,通过调整抛光液体积流量、抛光头转速、抛光压力以及抛光时间等工艺参数对SiC晶片进行了对比加工实验。采用原子力显微镜(AFM)对CMP前后SiC晶片的Si面粗糙度进行了测试,并对各工艺参数对晶片粗糙度的影响进行了分析。经过对工艺参数的优化,得到了表面粗糙度为0.099 nm的超光滑表面SiC晶片。 展开更多
关键词 碳化硅(SiC)晶片 化学机械抛光(cmp) 超精密抛光 表面粗糙度 超光滑表面
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碱性纳米SiO_2溶胶在化学机械抛光中的功能 被引量：10
15
作者 刘效岩 刘玉岭 +3 位作者 梁艳 赵之雯 胡轶 赵东磊 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第11期1903-1906,共4页
纳米SiO2是一种性能优越的功能材料,化学机械抛光(CMP)过程的精确控制在很大程度上取决于对纳米SiO2功能的认识。但是目前对碱性纳米SiO2在CMP过程中的功能还没有完全弄清楚,探讨它在CMP中作用是提高CMP技术水平的前提。纳米SiO2溶胶的... 纳米SiO2是一种性能优越的功能材料,化学机械抛光(CMP)过程的精确控制在很大程度上取决于对纳米SiO2功能的认识。但是目前对碱性纳米SiO2在CMP过程中的功能还没有完全弄清楚,探讨它在CMP中作用是提高CMP技术水平的前提。纳米SiO2溶胶的表面效应使其表面存在大量的羟基,在CMP过程中纳米SiO2表面羟基与碱反应生成硅酸负离子,硅酸负离子再与硅反应来降低纳米SiO2的表面能量,同时达到除去硅的目的。综上所述,碱性纳米SiO2在CMP的过程中不仅起到了磨料的作用,同时参加了化学反应,在此基础上提出了在碱性条件下纳米SiO2与硅的反应机理。 展开更多
关键词 纳米SiO2溶胶 化学机械抛光 表面效应 PH值 化学反应模型
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CMP系统技术与市场 被引量：2
16
作者 葛劢冲 《电子工业专用设备》 2003年第1期17-24,共8页
概述了CMP系统技术的发展历史、发展趋势以及在IC生产中的重要性,介绍了国外CMP设备主要制造厂家的设备型号和性能及CMP设备市场分布和需求,阐述了CMP系统技术的基础研究、关键技术和国内研究概况。
关键词 cmp系统 化学机械抛光 化学机械平坦化 市场前景 集成电路
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超精度石英玻璃的化学机械抛光 被引量：9
17
作者 王仲杰 王胜利 +2 位作者 王辰伟 张文倩 郑环 《微纳电子技术》 北大核心 2017年第1期48-52,共5页
在工作压力为2 psi(1 psi=6 894.76 Pa)、抛光头转速为55 r/min、抛盘转速为60 r/min、流量为50 mL/min的条件下,对3英寸(1英寸=2.54 cm)的石英玻璃(99.99%)进行化学机械抛光(CMP)实验。分别研究了磨料质量分数(4%,8%,12%,16%,20%)、FA/... 在工作压力为2 psi(1 psi=6 894.76 Pa)、抛光头转速为55 r/min、抛盘转速为60 r/min、流量为50 mL/min的条件下,对3英寸(1英寸=2.54 cm)的石英玻璃(99.99%)进行化学机械抛光(CMP)实验。分别研究了磨料质量分数(4%,8%,12%,16%,20%)、FA/OⅠ型螯合剂体积分数(1%,2%,3%,4%,5%)和FA/O型活性剂体积分数(1%,2%,3%,4%,5%)对石英玻璃化学机械抛光去除速率的影响。实验结果表明:随着磨料质量分数增加,石英玻璃去除速率明显提高,从11 nm/min提升到97.9 nm/min,同时表面粗糙度(Ra)逐渐降低,从2.950 nm降低到0.265 nm;FA/OⅠ型螯合剂通过化学作用对去除速率有一定的提高,Ra也有一定程度的减小,能够降低到0.215 nm;FA/O型活性剂的加入会导致去除速率有所降低,但是能够使Ra进一步降低至0.126 nm。最终在磨料、FA/OⅠ型螯合剂、FA/O型活性剂的协同作用下,石英玻璃去除速率达到93.4 nm/min,Ra达到0.126 nm,远小于目前行业水平的0.9 nm。 展开更多
关键词 集成电路 石英玻璃 表面粗糙度 化学机械抛光(cmp) 去除速率
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基于新型抛光液研究工艺参数对片内非均匀性的影响 被引量：8
18
作者 栾晓东 徐克 +1 位作者 张震 张若雨 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2021年第9期845-850,共6页
基于正交实验研究了抛光压力、相对转速、抛光液体积流量和表面活性剂体积分数四个因素对抛光速率一致性的影响,采用方差分析确定各因素对抛光速率一致性的显著影响。研究结果表明:各因素对抛光速率一致性均有显著的影响。通过单因素实... 基于正交实验研究了抛光压力、相对转速、抛光液体积流量和表面活性剂体积分数四个因素对抛光速率一致性的影响,采用方差分析确定各因素对抛光速率一致性的显著影响。研究结果表明:各因素对抛光速率一致性均有显著的影响。通过单因素实验研究了各因素对铜抛光速率一致性的影响规律,并阐述了相关的影响机制。实验结果表明:抛光压力和活性剂体积分数主要控制晶圆中心处的抛光速率;相对转速和抛光液体积流量主要控制晶圆边缘处的抛光速率;低抛光压力、高相对转速、高抛光液体积流量以及高活性剂体积分数可获得低片内非均匀性(WIWNU),即高去除速率一致性。最终确定的工艺参数为:抛头中心区域压力1.0 psi(1 psi=6.895 kPa);靠近中心区域抛光压力1.3 psi;边缘区域抛光压力1.5 psi;抛头转速97 r/min;抛盘转速103 r/min;抛光液体积流量400 mL/min;活性剂体积分数5.0%。获得的WIWNU为3.86%,满足工业化要求。 展开更多
关键词 化学机械抛光(cmp) 精抛光 抛光速率 片内非均匀性(WIWNU) 正交实验
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单晶SiC的化学机械抛光及其增效技术研究进展 被引量：7
19
作者 翟文杰 高博 《哈尔滨工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第7期1-10,共10页
为了解决传统SiC化学机械抛光(CMP)加工效率低的问题,针对单晶SiC表面抛光质量和材料去除率指标,综述了应用传统碱性抛光液、混合磨粒抛光液及含强氧化剂抛光液对单晶SiC进行化学机械抛光的研究现状;为了提高SiC-CMP的化学和机械两方面... 为了解决传统SiC化学机械抛光(CMP)加工效率低的问题,针对单晶SiC表面抛光质量和材料去除率指标,综述了应用传统碱性抛光液、混合磨粒抛光液及含强氧化剂抛光液对单晶SiC进行化学机械抛光的研究现状;为了提高SiC-CMP的化学和机械两方面作用,对SiC-CMP催化辅助增效技术、SiC电化学机械抛光(ECMP)技术、固结磨料抛光、光催化辅助抛光等增效新技术进行了系统综述;对SiC-CMP及其增效技术进行了分析、讨论,指出了当前的研究难点,展望了进一步提高单晶SiC抛光效率的研究方向. 展开更多
关键词 碳化硅(SiC) 化学机械抛光(cmp) 电化学机械抛光(Ecmp) 催化辅助 固结磨粒抛光
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Ce_(0.8)Zr_(0.2)O_2固溶体磨料对ZF7光学玻璃抛光性能的改善 被引量：8
20
作者 傅毛生 李永绣 +2 位作者 陈伟凡 危亮华 胡建东 《摩擦学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期180-185,共6页
采用改进的湿固相机械化学反应法制备出超细锆掺杂氧化铈磨料Ce1-xZrxO2(x=0,0.2),运用X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)等手段表征其物相类型、外观形貌、比表面积、粒度、表面电位等物理性质,通过测定抛光速率和观察表面的微观形貌考察... 采用改进的湿固相机械化学反应法制备出超细锆掺杂氧化铈磨料Ce1-xZrxO2(x=0,0.2),运用X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)等手段表征其物相类型、外观形貌、比表面积、粒度、表面电位等物理性质,通过测定抛光速率和观察表面的微观形貌考察它们对ZF7光学玻璃的抛光性能影响.结果表明,Ce0.8Zr0.2O2固溶体磨料对ZF7光学玻璃抛光性能比纯CeO2磨料有明显的提高,抛光速率达到463 nm/min,5.0μm×5.0μm的范围内微观表面粗糙度Ra值达到1.054 nm,而纯CeO2磨料的抛光速率只有292 nm/min,Ra值却增大到1.441 nm.Ce0.8Zr0.2O2固溶体的抛光速率的明显增大和表面粗糙度Ra的下降主要与其负表面电位的增大和颗粒尺寸、粒度的减小密切相关. 展开更多
关键词 湿固相机械化学反应法 Ce0.8Zr0.2O2固溶体 化学机械抛光 ZF7光学玻璃
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