期刊文献+
共找到4篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
脉冲激光沉积Ge-Ga-S-CdS非晶薄膜
1
作者 顾少轩 《国外建材科技》 2007年第6期5-7,共3页
采用脉冲激光沉积(PLD)法在载玻片上沉积了Ge-Ga-S-CdS硫系非晶薄膜,利用XRD、分光光度计、扫描电镜、XPS等现代测试手段,研究薄膜的结晶形态、光学性质和成分。结果发现,利用脉冲激光沉积方法获得了可见光透过率为80%、光学质量优良、... 采用脉冲激光沉积(PLD)法在载玻片上沉积了Ge-Ga-S-CdS硫系非晶薄膜,利用XRD、分光光度计、扫描电镜、XPS等现代测试手段,研究薄膜的结晶形态、光学性质和成分。结果发现,利用脉冲激光沉积方法获得了可见光透过率为80%、光学质量优良、厚度均匀、没有明显缺陷的Ge-Ga-S-CdS硫系非晶薄膜,XPS光电子能谱结果显示薄膜成分与靶材的成分存在微小的偏差。 展开更多
关键词 PLD法 Ge—Ga-S-CdS 硫系非晶薄膜
下载PDF
Te_2SeSb_2非晶薄膜晶化动力学研究 被引量:1
2
作者 司俊杰 戎霭伦 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1991年第3期306-314,共9页
本文以晶化温度测试仪,差热分析仪、透射电子显微镜、X 射线衍射多种实验方法,详细研究了作为光记录介质的非晶 Te_2SeSb_2薄膜在相转变过程中的变化,揭示了其晶化过程。等温晶化、变温晶化以及动态结构分析表明,该薄膜晶化中存在相分... 本文以晶化温度测试仪,差热分析仪、透射电子显微镜、X 射线衍射多种实验方法,详细研究了作为光记录介质的非晶 Te_2SeSb_2薄膜在相转变过程中的变化,揭示了其晶化过程。等温晶化、变温晶化以及动态结构分析表明,该薄膜晶化中存在相分离现象,是双步骤晶化。文章给出了中间相和最终相的构成,观察了结晶的动态过程,对其转变机制进行了解释,并计算了此材料的动力学参数如各相的玻璃转变激活能、晶化转变激活能以及等温相变反应指数、寿命等。 展开更多
关键词 Te2SeSb2 硫属非晶薄膜 晶化
下载PDF
PLD Preparation of GeS_6 Amorphous Film and Investigation on Its Photo-induced Darkening Phenomenon
3
作者 刘刚 顾少轩 +2 位作者 ZHANG Haochun ZHANG Ning TAO Haizheng 《Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science)》 SCIE EI CAS 2014年第4期665-668,共4页
GeS6 chalcogenide amorphous fi lm was deposited on glass substrate via PLD(pulsed laser deposition) technique. The performance and structure of the fi lm was characterized by XRD(X-ray diffraction), SEM(Scanning ... GeS6 chalcogenide amorphous fi lm was deposited on glass substrate via PLD(pulsed laser deposition) technique. The performance and structure of the fi lm was characterized by XRD(X-ray diffraction), SEM(Scanning Electron Microscopy), EDS(Energy Dispersive Spectroscopy), optical transmission spectra, and Raman spectra, etc. The GeS6 amorphous fi lm was irradiated by 532 nm linearly polarized light, and its photoinduced darkening was investigated. The results showed that the GeS6 chalcogenide amorphous fi lm was smooth and compact with uniform thickness and combined with the substrate fi rmly, and its chemical composition was in consistency with the bulky target. When laser energy was fi xed, the transparence of the fi lm declined with the increase of the laser irradiation time. Obvious photo-induced darkening and relaxation phenomenon of the fi lm after laser irradiation were observed in this investigation. 展开更多
关键词 GeS_6 chalcogenide amorphous film pulsed laser deposition photo darkening
下载PDF
As_2S_3膜制备浮雕型全息元件的研究
4
作者 张干城 陈学贤 张福珍 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 1993年第2期42-45,共4页
本文通过对具有全息光存效应的As_2S_3膜的光辐照前后膜的腐蚀速率与挥发速率等物化性能的测量,表明制备浮雕型全息元件是可能的,并探讨其光化学反应机构。
关键词 浮雕型 全息元件 全息照相
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部