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陶瓷薄膜制备及应用 被引量:10
1
作者 卢旭晨 李佑楚 +1 位作者 韩铠 王风鸣 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第6期35-38,共4页
对各种薄膜制备方法的特点(即物理方法、化学方法)进行阐述,并且从氧化物和非氧化物的角度,综述了陶瓷薄膜作为硬质薄膜、气敏薄膜以及铁电、压电等微电子薄膜的应用。
关键词 陶瓷薄膜 制备 应用 PVC CVD SOL-GEL
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类钙钛矿型陶瓷结构和性能的研究 被引量:5
2
作者 徐廷献 樊丽莹 徐明霞 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期198-202,共5页
一系列类钙钛矿 (A2 BO4 )型结构的陶瓷材料被发现 .这类材料在化学催化活性、导电性、超导性、抗铁磁性和气敏性等方面都有新特点 .本工作对类钙钛矿型材料之一La2 NiO4 陶瓷薄膜的无机盐 -溶胶 -凝胶 (ISG)法制备 ,结构和性能关系作... 一系列类钙钛矿 (A2 BO4 )型结构的陶瓷材料被发现 .这类材料在化学催化活性、导电性、超导性、抗铁磁性和气敏性等方面都有新特点 .本工作对类钙钛矿型材料之一La2 NiO4 陶瓷薄膜的无机盐 -溶胶 -凝胶 (ISG)法制备 ,结构和性能关系作了研究 .发现用ISG法制备的La2 NiO4 薄膜仍具有K2 NiF4 型四方结构 ,其化学计量比、晶粒和气孔大小等对气敏性有明显影响 .优选出的此种薄膜 ,在 40 0~ 80 0℃氧化气氛 ,其电阻温度系数≤ 7.2× 10 - 4/℃ ,对氧 -氢气灵敏度≥ 1.0× 展开更多
关键词 类钙钛矿型结构 陶瓷薄膜 ISG法 气敏性 陶瓷结构 性能
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储能用无铅铁电陶瓷介质材料研究进展 被引量:7
3
作者 张光祖 赵阳阳 +1 位作者 许积文 姜胜林 《现代技术陶瓷》 CAS 2018年第4期247-265,共19页
铁电体特有的自发极化效应使其成为储能功率电容器的重要介电材料之一。铁电陶瓷的高温稳定性优于铁电聚合物,被大量用于电介质储能。整体而言,铅基铁电材料的性能优于无铅铁电材料,但大量铅元素的使用会严重危害环境和人体健康。因此,... 铁电体特有的自发极化效应使其成为储能功率电容器的重要介电材料之一。铁电陶瓷的高温稳定性优于铁电聚合物,被大量用于电介质储能。整体而言,铅基铁电材料的性能优于无铅铁电材料,但大量铅元素的使用会严重危害环境和人体健康。因此,具有高性能的无铅铁电材料的研究和使用对人类健康和环境保护具有重要意义。本文从储能用无铅铁电陶瓷块体和薄膜材料两方面出发,综述了近年来国内外学者在无铅储能铁电陶瓷方面的研究进展,并对无铅铁电陶瓷在电介质储能领域的发展进行了展望。 展开更多
关键词 无铅 铁电陶瓷 储能 块体陶瓷 陶瓷薄膜
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电介质储能陶瓷薄膜研究进展及改性方法
4
作者 岳文锋 颜廷楠 王大伟 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第4期1413-1437,共25页
电介质陶瓷薄膜材料制备的储能电容器,具有充放电速率快、功率密度大以及良好的温度稳定性和循环稳定性等优势,在脉冲激光武器、心脏起搏器等军事、民用领域具有广阔的应用前景。然而,电介质电容器的储能密度相对较低,限制了其应用范围... 电介质陶瓷薄膜材料制备的储能电容器,具有充放电速率快、功率密度大以及良好的温度稳定性和循环稳定性等优势,在脉冲激光武器、心脏起搏器等军事、民用领域具有广阔的应用前景。然而,电介质电容器的储能密度相对较低,限制了其应用范围,因此如何提高其储能密度成为当前研究的重点之一。此外,电介质储能陶瓷薄膜材料种类繁多、制备工艺复杂,因此选择合适的材料体系和制备工艺至关重要。本文总结了电介质储能陶瓷薄膜材料的研究进展,重点讨论了6种类型的材料,包括线性电介质、顺电材料、铁电材料、弛豫铁电材料、超顺电材料和反铁电材料。此外,进一步总结了目前常用的提升电介质储能陶瓷薄膜材料储能性能的方法。期望本文的研究成果能够对开发新一代高性能电介质储能陶瓷薄膜提供有价值的参考。 展开更多
关键词 陶瓷薄膜 电介质 电容器 储能性能
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水热原位生长制备致密氧化铈基固体氧化物燃料电池隔离层 被引量:1
5
作者 赵浩宇 吕秋秋 +3 位作者 程丽亚 吴升龙 朱腾龙 钟秦 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第4期1000-1006,共7页
面向高性能固体氧化物燃料电池(SOFC)低成本制备及长寿命运行需求,提出了一种致密氧化铈基隔离层的制备方法.将阳极支撑半电池的Y_(2)O_(3)稳定ZrO_(2)(YSZ)电解质浸没于硝酸钆和硝酸铈水溶液中,并在180℃水热条件下处理36 h,获得了原... 面向高性能固体氧化物燃料电池(SOFC)低成本制备及长寿命运行需求,提出了一种致密氧化铈基隔离层的制备方法.将阳极支撑半电池的Y_(2)O_(3)稳定ZrO_(2)(YSZ)电解质浸没于硝酸钆和硝酸铈水溶液中,并在180℃水热条件下处理36 h,获得了原位生长的致密Gd2O3掺杂CeO_(2)(GDC)薄膜;进一步将其与La_(0.6)Sr_(0.4)Co_(0.2)Fe_(0.8)O_(3–δ)阴极在1075℃共烧结,得到阳极支撑SOFC单电池.结果表明,水热原位生长制备的GDC隔离层连续且致密,组成约为Gd0.044Ce0.956O_(2)–δ,厚度约为0.23μm;阳极支撑单电池在750℃的欧姆阻抗约为0.101Ω·cm2,相较于传统丝网印刷GDC隔离层单电池降低了约38%,在室温加湿氢气燃料下的最大功率密度达到了约1.038 W/cm2,表现出较好的长期运行稳定性.报道的水热原位生长法能满足多构型、多尺寸SOFC致密隔离层薄膜的低成本规模化制备,具有工业应用前景. 展开更多
关键词 固体氧化物燃料电池 隔离层 氧化钆掺杂氧化铈 水热原位生长 陶瓷薄膜
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改进的等离子体电解工艺制备氧化锆陶瓷薄膜及其性能 被引量:3
6
作者 王丽 陈砺 +2 位作者 严宗诚 王红林 彭家志 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期783-787,共5页
为改善氟锆酸盐电解液的老化现象,以氟锆酸盐为主电解液,在其中加入少量NaH2PO4和H3PO4,对AZ31镁合金进行等离子体电解氧化处理,制得氧化锆陶瓷薄膜。用扫描电镜、X射线衍射及能谱分析检测了添加剂对陶瓷薄膜的形貌特征、元素及物相组... 为改善氟锆酸盐电解液的老化现象,以氟锆酸盐为主电解液,在其中加入少量NaH2PO4和H3PO4,对AZ31镁合金进行等离子体电解氧化处理,制得氧化锆陶瓷薄膜。用扫描电镜、X射线衍射及能谱分析检测了添加剂对陶瓷薄膜的形貌特征、元素及物相组成的影响。结果表明:添加剂改变了电解液体系的放电特性,能有效抑制氟锆酸盐电解液的老化;添加剂的加入能够提高膜中氧化锆的含量,且降低了F在膜中的含量。制得的氧化锆薄膜能有效提高AZ31镁合金的耐腐蚀性能。 展开更多
关键词 陶瓷薄膜 等离子体电解氧化 氧化锆 镁合金
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反应溅射中靶面附近的粒子输运研究 被引量:2
7
作者 陶甫廷 王敬义 +2 位作者 何笑明 王宇 尹盛 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期99-102,共4页
列出了各类粒子的产生、输运和它们同靶表面反应的速率方程,并计及高能中性粒子对靶面溅射的剥离速率方程。有关方程耦合后求解溅射速率与气体流量和放电电流的关系。本文强调反应粒子的反应碰撞,论述了从粒子输运出发探讨薄膜生长方法... 列出了各类粒子的产生、输运和它们同靶表面反应的速率方程,并计及高能中性粒子对靶面溅射的剥离速率方程。有关方程耦合后求解溅射速率与气体流量和放电电流的关系。本文强调反应粒子的反应碰撞,论述了从粒子输运出发探讨薄膜生长方法的优点。 展开更多
关键词 反应溅射 薄膜生长 反应粒子输运 生长速率
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溶胶—凝胶法制备(Pb,La)TiO_3陶瓷薄膜的研究 被引量:2
8
作者 田长生 龙赣 杨峥 《西北工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第1期119-120,共2页
钛酸铅■(Pb,La)TiO_3(简称PLT)铁电陶瓷薄膜可望在红外探测器、光波导、声表面波器件等光电子学及其它高技术领域中获得广泛的应用. 1988年日本学者Kyoichi Takayama等人用磁控溅射方法制备了PLT薄膜,并用它制成了高灵敏度的单元和多... 钛酸铅■(Pb,La)TiO_3(简称PLT)铁电陶瓷薄膜可望在红外探测器、光波导、声表面波器件等光电子学及其它高技术领域中获得广泛的应用. 1988年日本学者Kyoichi Takayama等人用磁控溅射方法制备了PLT薄膜,并用它制成了高灵敏度的单元和多元热释电红外探测器[1].用该方法制备PLT薄膜,除了需要昂贵、复杂的设备外,还难以控制薄膜的化学计量比,从而使其应用受到一定限制.近年来,人们用溶胶—凝胶方法研制了Pb(Zr,Ti)O_3(PZT)和(Pb,La)(Zr,Ti)O_3(PLZT)等陶瓷薄膜[2],其工艺不仅简单,而且薄膜的热处理温度低,化学计量比准确、均匀(可达分子级水平),结构可控,成膜面积大. 本文采用溶胶—凝胶法,先将Ti(OC_4H_9)_4,Pb(CH_3COO)_2和La(NO_3)_3溶于有机溶剂甲醇中(加入少量酸),经充分搅拌混合形成清彻的溶胶,再使其发生水解,缩聚合等反应。 展开更多
关键词 钛酸铅镧 铁电陶瓷 薄膜 溶胶-凝胶
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陶瓷膜制备新工艺─ASSP法的基本原理和特点 被引量:1
9
作者 杜庆柏 马世宁 王克智 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第5期527-529,共3页
以常用无机盐为前驱体,通过化学合成固相粒子排布(ASSP—arrangementofsynthesizedsolidPartical)途径,可以方便地制备绝大多数氧化物陶瓷薄膜。本文介绍了这种制膜方法的基本原理和工艺特点,对薄膜制备过程中的普遍规律进行了简... 以常用无机盐为前驱体,通过化学合成固相粒子排布(ASSP—arrangementofsynthesizedsolidPartical)途径,可以方便地制备绝大多数氧化物陶瓷薄膜。本文介绍了这种制膜方法的基本原理和工艺特点,对薄膜制备过程中的普遍规律进行了简要的分析。 展开更多
关键词 陶瓷薄膜工艺 ASSP法 溶胶-凝胶法
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La_(2-x)Sr_xNiO_4 薄膜的制备及氧敏特性的研究
10
作者 李晓雷 徐廷献 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期439-441,444,共4页
 实验采用无机盐为原料的溶胶 凝胶法制备了复合氧化物La2-xSrxNiO4薄膜,研究了它的阻温特性和氧敏特性。并采用XRD、SEM、AFM(原子力显微镜)等对该薄膜的结构进行了表征。
关键词 稀土复合氧化物 溶胶-凝胶 制备 阻温特性 氧敏特性 结构 XRD AFM SEM 陶瓷薄膜
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陶瓷薄膜的Sol-Gel法制备 被引量:12
11
作者 卢旭晨 李佑楚 +1 位作者 韩铠 王风鸣 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 1999年第1期1-4,共4页
本文从凝胶制备途径,即无机途径和有机途径角度,阐述了各途径溶胶-凝胶化过程的特点以及凝胶膜向陶瓷薄膜转化的过程。
关键词 陶瓷薄膜 溶胶-凝胶法 制备 PVD CVD
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溶胶──凝胶陶瓷薄膜制备工艺技术的研究 被引量:5
12
作者 胡勇胜 陈文 徐庆 《陶瓷工程》 2000年第6期7-9,共3页
从溶胶制备和薄膜涂覆工艺两方面对溶胶──凝胶法制备陶瓷薄膜中的工艺技术进行了研究,并指出了溶胶──凝胶技术中存在的一些问题。
关键词 溶胶-凝胶法 陶瓷薄膜 制备 薄膜涂覆 浸渍提拉法 旋转涂覆法
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溶胶-凝胶陶瓷薄膜制备工艺技术的研究 被引量:15
13
作者 胡勇胜 陈文 徐庆 《现代技术陶瓷》 CAS 2000年第4期11-13,共3页
本文从溶胶制备和薄膜涂覆工艺两方面对溶胶-凝胶法制备陶瓷薄膜中的工艺技术进行了研究,并指出了溶胶-凝胶技术中存在的一些问题。
关键词 溶胶-凝胶法 陶瓷薄膜 制备 涂覆 水解法
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梯度涂层材料残余热应力分析 被引量:8
14
作者 胡深洋 李玉兰 王天民 《兰州大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 1996年第3期67-73,共7页
在陶瓷涂层中引入恰当的过渡层使之成为梯度涂层既可提高陶瓷涂层与金属界面的结合强度,也能有效地缓解界面附近的残余热应力.建立了梯度涂层材料平面轴对称问题热应力分析的力学模型及相应的计算方法,并模拟计算了4种不同形式的过... 在陶瓷涂层中引入恰当的过渡层使之成为梯度涂层既可提高陶瓷涂层与金属界面的结合强度,也能有效地缓解界面附近的残余热应力.建立了梯度涂层材料平面轴对称问题热应力分析的力学模型及相应的计算方法,并模拟计算了4种不同形式的过渡层(均匀(A),线性变化(L),指数变化(E)。 展开更多
关键词 梯度陶瓷涂层 热应力 陶瓷涂层 残余热应力
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Sol-Gel法制备NiTiSMA/FC复合材料的界面结构研究 被引量:2
15
作者 刘庆锁 姜训勇 +1 位作者 孙永昌 刘技文 《河北工业大学学报》 CAS 2003年第1期67-70,共4页
借助XRD、SEM研究了Sol-Gel法制备NiTiSMA/FC薄膜复合材料在650℃晶化退火处理后的界面结构.结果表明,陶瓷薄膜层的约束抑制了NiTiSMA基体的高温时效反应;由于NiTiSMA基体表面的高温氧化产生的TiO2过渡层,使NiTiSMA与铁电陶瓷两异质之... 借助XRD、SEM研究了Sol-Gel法制备NiTiSMA/FC薄膜复合材料在650℃晶化退火处理后的界面结构.结果表明,陶瓷薄膜层的约束抑制了NiTiSMA基体的高温时效反应;由于NiTiSMA基体表面的高温氧化产生的TiO2过渡层,使NiTiSMA与铁电陶瓷两异质之间良好结合. 展开更多
关键词 制备 NiTiSMA/FC复合材料 NITI形状记忆合金 铁电陶瓷薄膜 SOL-GEL法 氧化反应 界面结构 压电陶瓷
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动压悬浮流延的动力学特性
16
作者 饶宇 吕玉山 +1 位作者 孙建章 张辽远 《沈阳理工大学学报》 CAS 2007年第3期43-46,56,共5页
将硬磁盘存储系统中磁头相对磁盘的动压悬浮运动原理运用于电子陶瓷薄膜流延,满足了电子陶瓷薄膜的高精密与超薄化的发展要求.根据流延头与流延辊子的结构和工作原理建立了系统的物理模型和动力学方程式,依据该模型和方程式,利用MATLAB... 将硬磁盘存储系统中磁头相对磁盘的动压悬浮运动原理运用于电子陶瓷薄膜流延,满足了电子陶瓷薄膜的高精密与超薄化的发展要求.根据流延头与流延辊子的结构和工作原理建立了系统的物理模型和动力学方程式,依据该模型和方程式,利用MATLAB仿真了不同工艺参数下系统的瞬态响应,分析了工艺参数对流延系统稳定性的影响规律,得到了提高系统稳定性的合理工艺参数的选择依据. 展开更多
关键词 电子陶瓷薄膜 流延 动压悬浮 动态特性
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ECR-PECVD制备Si_3N_4硬质陶瓷薄膜的研究
17
作者 陈俊芳 丁振峰 任兆杏 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第3期322-323,共2页
采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-PECVD)技术制备了Si3N4薄膜。利用显微硬度计测定了Si3N4薄膜的表面微硬度。由摩擦测试机对Si3N4薄膜的摩擦性能进行了测试分析。结果表明,Si3N4薄膜的摩擦... 采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-PECVD)技术制备了Si3N4薄膜。利用显微硬度计测定了Si3N4薄膜的表面微硬度。由摩擦测试机对Si3N4薄膜的摩擦性能进行了测试分析。结果表明,Si3N4薄膜的摩擦系数和单位时间的磨损量较小,该膜具有良好的耐磨性和耐划伤能力。 展开更多
关键词 ECR-PECVD 硬质陶瓷 薄膜 碳化硅
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以陶瓷厚膜为绝缘层的红色ZnSvSm,Cl电致发光器件 被引量:6
18
作者 唐春玖 朱文清 +4 位作者 赵伟明 刘祖刚 蒋雪茵 张志林 许少鸿 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第10期1430-1432,共3页
报道采用高介电常数的陶瓷厚膜作绝缘层、ZnSvSm , Cl作为发光层的红色薄膜电致发光器件。测量了器件的电致发光光谱和亮度电压曲线, 研究了发光机理和效率电压等特性。制备的器件在市电频率驱动下16 V启亮, 最大亮度为... 报道采用高介电常数的陶瓷厚膜作绝缘层、ZnSvSm , Cl作为发光层的红色薄膜电致发光器件。测量了器件的电致发光光谱和亮度电压曲线, 研究了发光机理和效率电压等特性。制备的器件在市电频率驱动下16 V启亮, 最大亮度为18.4 cd/m 2, 最大效率为0.06 lm /W。 展开更多
关键词 陶瓷厚膜 绝缘层 陶瓷基片 薄致发光器件
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连续金属陶瓷膜F-S理论中相因子ρ_0的修正
19
作者 朱忠圣 闫文胜 《辽宁大学学报(自然科学版)》 CAS 2000年第3期212-218,共7页
利用氧化物颗粒增强金属基复合材料电阻率的三个计算模型 ,对连续金属陶瓷膜F S理论中相因子ρ0 进行了修正 .这个计算结果比原有的F
关键词 金属陶瓷膜 F-S理论 电阻率 相因子
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