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题名BP神经网络的硬件实现
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作者
任鲁涌
庞维珍
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机构
山东工程学院计算机工程系
天津大学
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出处
《山东理工大学学报（自然科学版）》
CAS
1996年第4期34-39,共6页
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文摘
本文提出了一种采用MOS晶体管的电流模式连续时间模拟BP（Backward Propagation）神经网络的硬件实现新方法。硬件系统适合利用VLSI技术,具有片内误差反向传播学习功能,能简化BP新算法修正权值,对所设计的电路提供了PSPICE仿真结果,结果表明硬件实现方法的可行性。
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关键词
神经网络
BP算法
突触电路
细胞体电路
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Keywords
Neural network, BP computing method, Sudden-touch circuit, cell-body circuit
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分类号
TP183
[自动化与计算机技术—控制理论与控制工程]
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题名基于SETMOS的CNN结构分析及实现
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作者
张南生
何花
金贵梅
蔡理
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机构
空军工程大学理学院
山东日照职业技术学院
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出处
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第7期24-26,29,共4页
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文摘
分析了单电子晶体管(SET)和金属氧化物半导体(MOS)的混合器件——SETMOS所具有的特性,利用补偿原理设计了细胞神经网络(CNN)结构的细胞体电路、分段线性模块、A模板和B模板电路,得到了由SETMOS构成的CNN具体电路。仿真结果表明,所设计的硬件电路结构简单,静态功耗低,约200nW,有利于进一步提高集成电路的集成度,为相关工程领域的实际应用提供了新方法。
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关键词
SETMOS
细胞神经网络
细胞体电路
非线性
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Keywords
SETMOS
cellular neural network
cell body circuit
nonlinearity
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分类号
TN453
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名基于高摆率误差放大器的低功耗LDO设计
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作者
吴为清
黄继伟
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机构
福州大学先进制造学院
福建省集成电路设计中心
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出处
《微电子学与计算机》
2023年第12期81-86,共6页
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基金
福建省中央引导地方科技发展专项资金(2020L3021)
福建省自然科学基金(2020J01467)。
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文摘
本文设计了一种具有低静态电流的低压差线性稳压器(LDO).针对传统LDO在低静态电流下瞬态响应不足的问题,电路中的误差放大器采用两个共栅差分跨导单元交叉耦合连接进行设计,提高其压摆率;利用体偏置运放改变功率管的阈值电压实现功率管在不同负载的快速切换;同时采用动态偏置对电路进行偏置减少过欠冲值.电路采用台积电(TSMC)0.18µm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺进行设计,版图核心面积为220µm×140µm.仿真结果表明,该LDO在最小负载电流与最大负载电容的组合下相位裕度达到100度,消耗的静态电流仅为849 nA.当负载电流在500 ns时间内从100µA到100 mA进行切换时,电路表现出良好的瞬态响应,其中过冲电压为220 mV,欠冲电压为225 mV.经过计算,品质因数(FOM)值为0.198 mV.
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关键词
共栅差分跨导单元
低压差线性稳压器
体偏置运放
动态偏置
低静态电流
FOM
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Keywords
common-gate differential transconductance cell
LDO
body-biased operational amplifier
dynamic bias circuit
low quiescent current
FOM
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分类号
TN432
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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