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Nb_2O_5/Co_2O_3加入量对(Ba,Sr)TiO_3基电容器陶瓷介电性能的影响 被引量:8
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作者 黄新友 陈志刚 +1 位作者 李军 高春华 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期623-626,634,共5页
研究了Nb2O5/Co2O3加入量[质量分数,Nb/Co(摩尔比)=0.8]不同对(Ba,Sr)TiO3(Barium strontiumtitanate,BST)铁电电容器陶瓷介电性能的影响,得到不同Nb2O5/Co2O3加入量与BST陶瓷性能的关系。借助扫描电镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)研究不同N... 研究了Nb2O5/Co2O3加入量[质量分数,Nb/Co(摩尔比)=0.8]不同对(Ba,Sr)TiO3(Barium strontiumtitanate,BST)铁电电容器陶瓷介电性能的影响,得到不同Nb2O5/Co2O3加入量与BST陶瓷性能的关系。借助扫描电镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)研究不同Nb2O5/Co2O3加入量对BST陶瓷显微结构和物相的影响,探讨了Nb2O5/Co2O3加入量对BST陶瓷性能影响机理。结果表明:当Nb2O5/Co2O3加入量为1.0%时,可得到满足Y5V特性、介电常数为3934、介质损耗为2.6%综合性能好的BST陶瓷。Nb2O5/Co2O3加入量对BST陶瓷性能的影响是通过细晶化、压抑展宽居里峰、改善介电常数温度特性、减少介电常数、形成杂相、形成“晶核-晶壳”结构等进行。 展开更多
关键词 氧化铌 氧化钴 电容器陶瓷 钛酸钡锶 陶瓷
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MgO掺杂Ba_(0.7)Sr_(0.3)TiO_3基电容器陶瓷的研究 被引量:5
2
作者 赵晨 黄新友 高春华 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2006年第12期60-62,共3页
以通用的陶瓷工艺合成Ba0.7Sr0.3TiO3基电容器陶瓷。通过实验研究MgO掺杂量对材料εr、tanδ和容量温度变化率等性能的影响,探讨了MgO的掺杂改性机理。结果表明:MgO具有减小介电常数温度变化率,降低陶瓷气孔率,细化陶瓷晶粒尺寸的作用。... 以通用的陶瓷工艺合成Ba0.7Sr0.3TiO3基电容器陶瓷。通过实验研究MgO掺杂量对材料εr、tanδ和容量温度变化率等性能的影响,探讨了MgO的掺杂改性机理。结果表明:MgO具有减小介电常数温度变化率,降低陶瓷气孔率,细化陶瓷晶粒尺寸的作用。当MgO的质量分数为0.20%时,陶瓷的εr达最大值4528;质量分数为1.00%时,得到εr为4090,tanδ为0.0043,介电常数温度变化率为21.1%的Y5V瓷料。 展开更多
关键词 无机非金属材料 电容器陶瓷 钛酸锶钡 氧化镁 Y5V 掺杂改性
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Bi_4Ti_3O_(12)掺杂中温烧结(Ba,Sr)TiO_3基电容器陶瓷 被引量:3
3
作者 高春华 黄新友 +2 位作者 陈志刚 陈祥冲 黄国军 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第A02期213-215,共3页
研究了Bi4Ti3O12掺杂量(≥8%,质量分数)对(Ba,Sr)TiO3(Barium Strontium Titanate,BST)铁电电容器陶瓷介电性能的影响,得到不同Bi4Ti3O12掺杂量与BST陶瓷性能的关系,得到中温烧结(≤1150℃)、高压(≥6.99 MV/m)、低损耗(0.008)、符... 研究了Bi4Ti3O12掺杂量(≥8%,质量分数)对(Ba,Sr)TiO3(Barium Strontium Titanate,BST)铁电电容器陶瓷介电性能的影响,得到不同Bi4Ti3O12掺杂量与BST陶瓷性能的关系,得到中温烧结(≤1150℃)、高压(≥6.99 MV/m)、低损耗(0.008)、符合X7R特性的多层陶瓷电容器瓷料。借助扫描电镜(SEM)研究了Bi4Ti3O12对BST陶瓷微观结构的影响,探讨了Bi4Ti3O12掺杂量对BST陶瓷性能和结构影响机理。结果表明:Bi4Ti3O12是通过与BST形成核-壳结构、形成玻璃相、偏析晶界及抑制晶粒生长、改善介温特性等来影响瓷料性能和结构的。这些结果为Bi4Ti3O12掺杂改性BST电容器陶瓷提供一定的依据。 展开更多
关键词 中温烧结 电容器陶瓷 钛酸钡锶 陶瓷 钛酸铋
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添加Bi_4Ti_3O_(12)对BST陶瓷性能的影响 被引量:4
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作者 黄新友 李言 +2 位作者 高春华 林榕 黄瑞南 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2012年第5期8-11,共4页
采用固相法制备了添加Bi4Ti3O12(BIT)的(Ba0.71Sr0.29)TiO3(BST)陶瓷,研究了BIT的加入量对所制BST陶瓷的微观结构和介电性能的影响。结果表明:随着BIT添加量的增加,BST陶瓷的晶粒尺寸先减小后增大,相对介电常数(εr)逐渐减小,介质损耗(... 采用固相法制备了添加Bi4Ti3O12(BIT)的(Ba0.71Sr0.29)TiO3(BST)陶瓷,研究了BIT的加入量对所制BST陶瓷的微观结构和介电性能的影响。结果表明:随着BIT添加量的增加,BST陶瓷的晶粒尺寸先减小后增大,相对介电常数(εr)逐渐减小,介质损耗(tanδ)先减小后增大。当添加质量分数26%的BIT于1 120℃烧结,制得的BST陶瓷综合性能较好:εr为1 700,tanδ为0.006,容温特性符合X7R的要求,耐直流电压强度为5.0×103V/mm。 展开更多
关键词 电容器陶瓷 钛酸锶钡 Bi4Ti3O12添加量 介电性能
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BaTiO_3-Nb_2O_5-Fe_2O_3陶瓷介电性能的研究 被引量:4
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作者 蒲永平 杨公安 +1 位作者 王瑾菲 杨文虎 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期1029-1032,共4页
利用传统方法制备了BaTiO3-Nb2O5-Fe2O3(BTNF)陶瓷,采用X射线衍射仪、电容测试仪、电滞回线测量仪等测试手段研究了不同添加剂(Fe2O3、Co2O3、Nb2O5)对陶瓷晶体结构、介电性能及铁电性的影响。结果表明:Nb2O5是施主掺杂,易引起晶格畸变... 利用传统方法制备了BaTiO3-Nb2O5-Fe2O3(BTNF)陶瓷,采用X射线衍射仪、电容测试仪、电滞回线测量仪等测试手段研究了不同添加剂(Fe2O3、Co2O3、Nb2O5)对陶瓷晶体结构、介电性能及铁电性的影响。结果表明:Nb2O5是施主掺杂,易引起晶格畸变,使四方率增大;而Fe2O3为受主掺杂,其可提高氧空位浓度,促进BaTiO3陶瓷晶粒生长。同时掺杂Fe2O3、Nb2O5时,可以相互补偿。当Fe2O3浓度约为0.15%摩尔分数,Nb2O5浓度为0.79%摩尔分数时,陶瓷的介电常数达到4443,温度特性≤±10%,可以满足Y5P瓷料的要求。 展开更多
关键词 BATIO3 电容器陶瓷 添加剂 介电性能
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Nb/Co比对钛酸钡锶电容器陶瓷性能的影响 被引量:2
6
作者 黄新友 陈志刚 +1 位作者 李军 高春华 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第A02期309-312,共4页
研究了Nb2O5/Co2O3摩尔比(简称Nb/Co比,下同)对(Ba,Sr)TiO3(Barium Strontium Titanate,BST)铁电电容器陶瓷介电性能的影响,得到不同Nb/Co比与BST陶瓷性能的关系。借助扫描电镜(SEM)研究Nb/Co比对BST陶瓷微观结构的影响,采用X射线衍... 研究了Nb2O5/Co2O3摩尔比(简称Nb/Co比,下同)对(Ba,Sr)TiO3(Barium Strontium Titanate,BST)铁电电容器陶瓷介电性能的影响,得到不同Nb/Co比与BST陶瓷性能的关系。借助扫描电镜(SEM)研究Nb/Co比对BST陶瓷微观结构的影响,采用X射线衍射(XRD)分析了BST陶瓷物相组成,探讨了Nb/Co比对BST陶瓷性能影响的机理。结果表明:当Nb/Co比为1.1,可得到满足X7R特性、介电常数为2449、耐压为5 MV/m以上综合性能好的BST陶瓷。Nb/Co比增大对BST陶瓷性能的影响是通过阻止晶粒生长、致密化、(适当增加Nb/Co比能细晶化、过量增加Nb/Co比导致少量晶粒异常长大、)宽化介电常数温度曲线、改善介电常数温度特性、减少介电常数、形成杂相、形成“晶核-晶壳”结构等进行。通过研究获得高介高压高稳定电容器陶瓷。 展开更多
关键词 氧化铌 氧化钴 电容器陶瓷 钛酸钡锶 陶瓷
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复相弛豫铁电陶瓷的相组成与介电性能 被引量:2
7
作者 岳振星 王晓莉 +1 位作者 张良莹 姚熹 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第5期710-714,共5页
采用两相混合烧结法在Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-BaTiO3-PbTiO3系统中制备了弛豫铁电陶瓷材料.相组成研究表明,该陶瓷具有两相共存的复相结构.对复相陶瓷的介电性能进行了研究,结果表明,复相结构可有效地改善弛豫铁电陶瓷的介温特性... 采用两相混合烧结法在Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-BaTiO3-PbTiO3系统中制备了弛豫铁电陶瓷材料.相组成研究表明,该陶瓷具有两相共存的复相结构.对复相陶瓷的介电性能进行了研究,结果表明,复相结构可有效地改善弛豫铁电陶瓷的介温特性、频率特性和介质老化性能. 展开更多
关键词 弛豫铁电体 铌锌酸铅 陶瓷 介电性能 铁电体
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碳酸钡特性对高介钛酸钡陶瓷性能的影响 被引量:3
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作者 刘宏波 胡海兵 于昕哲 《绝缘材料》 CAS 2008年第2期64-65,71,共3页
分析了不同产地的碳酸钡原料的物理特性及不同碳酸钡对陶瓷性能的影响。结果表明,杂质含量低、球形颗粒的碳酸钡原料能显著降低陶瓷的水煮损耗,但陶瓷水煮损耗异常和其致密性不存在对应关系。颗粒细小的碳酸钡原料能使介电温谱变得更平缓。
关键词 无机非金属材料 电容器陶瓷 碳酸钡 水煮损耗
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MnCO_3和CuO对中高压电容瓷料介电性能的影响 被引量:1
9
作者 谢冰 章少华 +1 位作者 李丽 胡冰蜂 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期37-39,共3页
研究了MnCO3,CuO对0.90(Sr0.54Pb0.26Ca0.20)TiO3-0.1Bi2O3·3.5TiO2为系统的中高压瓷介电容瓷料的介电性能的影响,实验发现掺加MnCO3能提高居里温度,使ε-t峰向正温方向移动。MnCO3能起压峰作用,使介电常数(ε)减小,同时能改善瓷... 研究了MnCO3,CuO对0.90(Sr0.54Pb0.26Ca0.20)TiO3-0.1Bi2O3·3.5TiO2为系统的中高压瓷介电容瓷料的介电性能的影响,实验发现掺加MnCO3能提高居里温度,使ε-t峰向正温方向移动。MnCO3能起压峰作用,使介电常数(ε)减小,同时能改善瓷料的温度性能。MnCO3可以降低瓷料的低温损耗,但室温损耗变化不大。CuO的掺加有明显的展宽作用。 展开更多
关键词 介质材料 掺杂物 电容瓷料 介电性能
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交流高压介质瓷料
10
作者 张吉林 毛祖佑 陈亚东 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2002年第6期1-3,共3页
在BaTiO3中适量引入Dy2O3,采用固相法合成(Ba1-xDyx)TiO3,外加适量的CuO,MnCO3等添加剂,恰当控制喷雾造粒工艺,试制出交流高压电容器资料,利用Dy^3+易于晶界或晶界附近分凝并使杂质富集于晶界或其附近,阻止晶界移动,使陶瓷晶粒... 在BaTiO3中适量引入Dy2O3,采用固相法合成(Ba1-xDyx)TiO3,外加适量的CuO,MnCO3等添加剂,恰当控制喷雾造粒工艺,试制出交流高压电容器资料,利用Dy^3+易于晶界或晶界附近分凝并使杂质富集于晶界或其附近,阻止晶界移动,使陶瓷晶粒细化的作用,达到提高陶瓷介质交流抗电强度的目,生产资料主要性能:εr为7200-8000,tgδ为(1.0-1.1)×10^-2,△C/C,-30℃时为-(30-40)%,+85℃时为-(50-53)%,交流抗电强度EAC为3.5-4.1MV/m. 展开更多
关键词 电容器陶瓷 交流高压陶瓷 钛酸钡 三氧化二镝 喷雾造粒
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Bi_4Ti_3O_(12)掺杂(Ba,Sr)TiO_3基电容器陶瓷介电性能研究 被引量:2
11
作者 陈磊 黄新友 冯梦现 《中国陶瓷》 CSCD 北大核心 2017年第4期25-29,共5页
采用传统固相法制备了Bi_4Ti_3O_(12)掺杂(Ba_(0.71),Sr_(0.29))TiO_3(BST)陶瓷。研究了Bi_4Ti_3O_(12)掺杂量对BST电容器陶瓷介电性能、物相组成和微观结构的影响。结果表明:随着Bi_4Ti_3O_(12)掺杂的增加,BST陶瓷的相对介电常数逐渐减... 采用传统固相法制备了Bi_4Ti_3O_(12)掺杂(Ba_(0.71),Sr_(0.29))TiO_3(BST)陶瓷。研究了Bi_4Ti_3O_(12)掺杂量对BST电容器陶瓷介电性能、物相组成和微观结构的影响。结果表明:随着Bi_4Ti_3O_(12)掺杂的增加,BST陶瓷的相对介电常数逐渐减小,介电损耗先减小然后增大,Bi_4Ti_3O_(12)掺杂后的BST陶瓷仍为钙钛矿结构。当Bi_4Ti_3O_(12)掺杂量为1.6 wt%时,BST陶瓷的综合介电性能最好,εr为3744,tanδ为0.0068,ΔC/C为+1.70%,-44.61%,容温特性符合Y5V特性。 展开更多
关键词 钛酸锶钡 电容器陶瓷 Bi4Ti3O12掺杂 介电性能 陶瓷
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三氧化二钕掺杂量对低温烧结BST陶瓷介电性能的影响 被引量:2
12
作者 黄新友 邢仁克 +3 位作者 郭淑婧 岳振星 陈志刚 房飞 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2014年第12期10-13,16,共5页
采用固相法,研究了Nd2O3掺杂量对ZBS玻璃添加的Ba0.65Sr0.35TiO3(BST)基低温烧结的陶瓷的物相组成、显微结构及介电性能的影响。结果表明:Nd2O3的掺杂并没有改变低温烧结的BST基陶瓷的物相结构,仍为单一钙钛矿结构。随着Nd2O3掺杂量的增... 采用固相法,研究了Nd2O3掺杂量对ZBS玻璃添加的Ba0.65Sr0.35TiO3(BST)基低温烧结的陶瓷的物相组成、显微结构及介电性能的影响。结果表明:Nd2O3的掺杂并没有改变低温烧结的BST基陶瓷的物相结构,仍为单一钙钛矿结构。随着Nd2O3掺杂量的增大,BST基陶瓷的介电常数先增大然后减小,介质损耗先减小然后增大。当Nd2O3添加质量分数为1.5%,烧结温度为975℃时,BST基陶瓷的综合性能较好,此时相对介电常数为667,介质损耗为0.01,在–30^+85℃容温变化率为–35.2%~14.8%。 展开更多
关键词 低温烧结 Nd2O3掺杂 钛酸锶钡 电容器陶瓷 稀土 介电性能
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Bi_3NbZrO_9掺杂对BST电容器陶瓷介电性能的影响 被引量:2
13
作者 吕淑珍 徐锭成 +1 位作者 徐海洋 黄新友 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2015年第4期1041-1046,共6页
采用传统固相烧结法,利用X-射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)等方法系统研究了Bi3NbZrO9掺杂量对(Ba,Sr)TiO3(bariumstrontiumtitanate,BST)基电容器陶瓷介电性能和微观结构的影响。结果表明:Bi3NbZrO9掺杂没有改变BST陶瓷... 采用传统固相烧结法,利用X-射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)等方法系统研究了Bi3NbZrO9掺杂量对(Ba,Sr)TiO3(bariumstrontiumtitanate,BST)基电容器陶瓷介电性能和微观结构的影响。结果表明:Bi3NbZrO9掺杂没有改变BST陶瓷主晶相,随着掺杂量的增加会出现一些杂相。Bi3NbZrO9掺杂BST陶瓷具有小的介质损耗值,对材料居里峰的移动和展宽效应明显。Bi3NbZrO9掺杂量为1wt%时,烧结温度为1280℃,BST陶瓷具有较佳的介电性能:介电常数(εt)=2325,介质损耗(tanδ)=0.0048,耐压强度(Eb)=7.8kV/mm(AC),-30~85%温度范围内,容温变化率(△C/C)为-12.9%~14.3%。 展开更多
关键词 电容器陶瓷 Bi3NbZrO9掺杂 钛酸钡锶 介电性能
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铌掺杂Ba(ZrxTi1-x)O3弛豫铁电陶瓷介电性质的研究 被引量:2
14
作者 马厂 杨丽 曹万强 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A02期788-790,共3页
采用传统的固相反应法制备了Ba(Zr0.25Ti0.75)03+xat%Nb2O5(x=0,0.05,0.1,0.15)弛豫铁电陶瓷,研究了Nb2O5加入量对Ba(Zr,Ti)03(BZT)基电容器陶瓷性能的影响,得到了Nb2O5影响其性能的规律。结果表明:当x=0.15时介... 采用传统的固相反应法制备了Ba(Zr0.25Ti0.75)03+xat%Nb2O5(x=0,0.05,0.1,0.15)弛豫铁电陶瓷,研究了Nb2O5加入量对Ba(Zr,Ti)03(BZT)基电容器陶瓷性能的影响,得到了Nb2O5影响其性能的规律。结果表明:当x=0.15时介电常数最大,当x=0.10时介电损耗最小;适量Nb2O5能使材料的介温曲线更加平缓,移峰作用明显。 展开更多
关键词 弛豫铁电体 电容器陶瓷 Ba(ZrxTi1-x)O3 介电常数
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CaTiSiO_5掺杂对钛酸钡锶陶瓷介电性能的影响 被引量:2
15
作者 吕淑珍 徐锭成 +1 位作者 郭淑婧 黄新友 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2015年第5期1339-1342,1347,共5页
采用传统固相烧结法,利用X-射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)等方法系统研究了CaTiSiO5掺杂量对(Ba,Sr)TiO3(barium strontium titanate,BST)基电容器陶瓷介电性能和微观结构的影响。结果表明:CaTiSiO5掺杂的BST陶瓷材料的介电... 采用传统固相烧结法,利用X-射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)等方法系统研究了CaTiSiO5掺杂量对(Ba,Sr)TiO3(barium strontium titanate,BST)基电容器陶瓷介电性能和微观结构的影响。结果表明:CaTiSiO5掺杂的BST陶瓷材料的介电损耗都比较小,但是对材料居里峰的移动和展宽效应都明显。随着CaTiSiO5掺杂量的增加,BST陶瓷的介电常数(εr)先增大然后减小,介电损耗(tanδ)先增大然后减小,变化不大,交流耐压强度(Eb)先增大然后减小,容温变化率先减小然后增大。当掺杂CaTiSiO5质量分数为0.8%时,BST陶瓷的综合介电性能较好:介电常数(εr)=2540,介电损耗(tanδ)=0.0036,耐压强度(Eb)=5.6 kV/mm(AC),在-30-85℃温度范围内,容温变化率为-18.9%-20.6%,容温特性符合Y5S特性。 展开更多
关键词 电容器陶瓷 CaTiSiO5掺杂 钛酸钡锶 介电性能
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(Ba,Sr)TiO_3基电容器陶瓷的制备及介电性能 被引量:2
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作者 王学荣 唐吉龙 《河北师范大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2009年第1期58-61,共4页
在对BaTiO3基电容器陶瓷掺杂改性的实验基础上就改善(Ba,Sr)TiO3电容器陶瓷介电性能做了大量实验研究.经测试结果分析表明,(Ba,Sr)TiO3基电容器陶瓷最佳烧结温度为1 350℃,由此温度烧结可获得最高介电常数为11 784及介电损耗为0.100的... 在对BaTiO3基电容器陶瓷掺杂改性的实验基础上就改善(Ba,Sr)TiO3电容器陶瓷介电性能做了大量实验研究.经测试结果分析表明,(Ba,Sr)TiO3基电容器陶瓷最佳烧结温度为1 350℃,由此温度烧结可获得最高介电常数为11 784及介电损耗为0.100的优质电容器陶瓷.结合陶瓷的显微结构SEM照片分析,探讨了添加Sr2+,Ca2+,Zr4+及稀土Dy3+离子对改善(Ba,Sr)TiO3基电容器陶瓷介电性能的机理. 展开更多
关键词 电容器陶瓷 介电性能 掺杂离子 (Ba Sr)TiO3
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CaSnO3掺杂BST基介电陶瓷介电性能的研究 被引量:1
17
作者 林榕 谢冬桔 +2 位作者 胡勇 赵明辉 黄新友 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2018年第12期42-46,共5页
采用传统固相法制备了CaSnO3掺杂(Ba0.71Sr0.29)TiO3(BST)介电陶瓷。研究了CaSnO3掺杂量对BST电容器介电陶瓷介电性能、物相组成和微观结构的影响。结果表明:随着CaSnO3掺杂量的增加,BST陶瓷的相对介电常数(εr)先减小后增大再又减小,... 采用传统固相法制备了CaSnO3掺杂(Ba0.71Sr0.29)TiO3(BST)介电陶瓷。研究了CaSnO3掺杂量对BST电容器介电陶瓷介电性能、物相组成和微观结构的影响。结果表明:随着CaSnO3掺杂量的增加,BST陶瓷的相对介电常数(εr)先减小后增大再又减小,介质损耗(tanδ)先减小然后增大,CaSnO3掺杂后的BST陶瓷仍为钙钛矿结构。当CaSnO3掺杂量为质量分数6.0%时,BST陶瓷的综合介电性能最好:εr为4963,tanδ为0.0069,ΔC/C为19.69%^-26.18%,容温特性符合Y5V特性。 展开更多
关键词 钛酸锶钡 电容器陶瓷 CaSnO3 掺杂 介电性能 陶瓷
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Y_2O_3掺杂超细(Ba,Sr)TiO_3基电容器陶瓷的研究 被引量:1
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作者 管浩 王路明 姜松 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期11-13,共3页
通过sol-gel法制得高纯、超细的Ba0.7Sr0.3TiO3粉体。以液相法掺杂MgO、ZnO、Bi2O3,和Y2O3等物质,得到平均粒径为50nm左右的混合粉体,制备出超细晶BST电容器陶瓷。分析了掺杂Y2O3对BST电容器陶瓷介电性能和显微结构的影响。结果表明:适... 通过sol-gel法制得高纯、超细的Ba0.7Sr0.3TiO3粉体。以液相法掺杂MgO、ZnO、Bi2O3,和Y2O3等物质,得到平均粒径为50nm左右的混合粉体,制备出超细晶BST电容器陶瓷。分析了掺杂Y2O3对BST电容器陶瓷介电性能和显微结构的影响。结果表明:适量的Y2O3掺杂能够明显改善陶瓷介电性能,当w(Y2O3)为0.75%,烧结温度为1200℃时,得到了εr为2538,tanδ为0.006,耐压强度为5.83×103V/mm的BST电容器陶瓷。 展开更多
关键词 无机非金属材料 电容器陶瓷 Ba0.7Sr0.3TiO3 SOL-GEL法 超细粉体 介电性能 掺杂
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改性SrTiO_3电容器陶瓷的研究
19
作者 史伟 秦自楷 《山东工业大学学报》 1991年第3期24-28,共5页
研究了一种以SrTiO_3为基的电容器陶瓷材料。通过对瓷料配方和制造工艺的改进,得到了在-25~85℃的温度范围内,介电常数ε大于2200,介电常数的温度稳定性较好的瓷料。该瓷料可用于设计制造彩电用中高压电容器。
关键词 电容器 陶瓷 SRTIO3 改性 高压
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掺Bi_2O_3/K_2O铌锌酸铅基陶瓷材料的介电性能
20
作者 岳振星 王晓莉 +1 位作者 张良莹 姚熹 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 1997年第2期135-138,共4页
研究了(Pb_(0.95-2x)Ba_(0.05)Bi_xK_x)[(Zn_(1/3)Nb_(2/3)_(0.87)Ti_(0.13)]O_3陶瓷的介电性能。结果表明,随着x的增加,材料的介电温谱逐渐展宽,最大介电常数降低,最大介电常数对应的温度移向低温,相变扩散因子增大,频率弥散因子在x=0... 研究了(Pb_(0.95-2x)Ba_(0.05)Bi_xK_x)[(Zn_(1/3)Nb_(2/3)_(0.87)Ti_(0.13)]O_3陶瓷的介电性能。结果表明,随着x的增加,材料的介电温谱逐渐展宽,最大介电常数降低,最大介电常数对应的温度移向低温,相变扩散因子增大,频率弥散因子在x=0.15时出现最大值;当x=0.15时,得到了ε_(20)℃=2110,介质损耗tanδ=0.77%,电容温度系数在-55℃~+125℃之间落在-14%~-24%范围内的温度稳定陶瓷材料,认为Bi_2O_3和K_2O使材料纳米结构不均匀是介电温谱宽化的原因。 展开更多
关键词 铌锌酸铅 弛豫型 铁电体 介电性能 电容器陶瓷
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