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串联电容式RF MEMS开关设计与制造研究
被引量：
3
1
作者
侯智昊
刘泽文
+2 位作者
胡光伟
刘理天
李志坚
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第4期660-663,共4页
介绍了一种串联电容式RF MEMS开关的设计与制造。所设计的串联电容式RF MEMS开关利用薄膜淀积中产生的内应力使MEMS桥膜向上发生翘曲,从而提高所设计的开关的隔离度,克服了串联电容式RF MEMS开关通常只有在1GHz以下才能获得较高隔离度...
介绍了一种串联电容式RF MEMS开关的设计与制造。所设计的串联电容式RF MEMS开关利用薄膜淀积中产生的内应力使MEMS桥膜向上发生翘曲,从而提高所设计的开关的隔离度,克服了串联电容式RF MEMS开关通常只有在1GHz以下才能获得较高隔离度的缺点。其工艺与并联电容式RF MEMS开关完全相同,解决了并联电容式RF MEMS开关不能应用于低频段（〈10GHz）的问题。其插入损耗为-0.88dB@3GHz,在6GHz以上,插入损耗为-0.5dB;隔离度为-33.5dB@900MHz、-24dB@3GH和-20dB@5GHz,适合于3-5GHz频段的应用。
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关键词
射频
微电子机械系统
串联电容式
rf
mems
开关
串联电容式
内应力
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职称材料
题名
串联电容式RF MEMS开关设计与制造研究
被引量：
3
1
作者
侯智昊
刘泽文
胡光伟
刘理天
李志坚
机构
清华大学微电子学研究所
出处
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第4期660-663,共4页
基金
国家自然科学基金资助(60576048)
北京市科委项目基金资助(GYYKW05070014)
文摘
介绍了一种串联电容式RF MEMS开关的设计与制造。所设计的串联电容式RF MEMS开关利用薄膜淀积中产生的内应力使MEMS桥膜向上发生翘曲,从而提高所设计的开关的隔离度,克服了串联电容式RF MEMS开关通常只有在1GHz以下才能获得较高隔离度的缺点。其工艺与并联电容式RF MEMS开关完全相同,解决了并联电容式RF MEMS开关不能应用于低频段（〈10GHz）的问题。其插入损耗为-0.88dB@3GHz,在6GHz以上,插入损耗为-0.5dB;隔离度为-33.5dB@900MHz、-24dB@3GH和-20dB@5GHz,适合于3-5GHz频段的应用。
关键词
射频
微电子机械系统
串联电容式
rf
mems
开关
串联电容式
内应力
Keywords
radio
frequency
mems
capacitive
series
rf
mems
switch
capacitive
series
residue
stress
分类号
TN385 [电子电信—物理电子学]
TN62
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
串联电容式RF MEMS开关设计与制造研究
侯智昊
刘泽文
胡光伟
刘理天
李志坚
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2008
3
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职称材料
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