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热交换法生长c面取向大尺寸蓝宝石晶体的研究
被引量:
3
1
作者
张雪平
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第3期584-587,共4页
本文使用热交换法直接生长c面取向,尺寸为170 mm×160 mm,重12 kg的蓝宝石晶体。晶体无色透明,内部无散射颗粒。沿c面(0001)方向的晶棒锥光图可观察到同心圆簇的干涉条纹,仅中心较小区域因内应力存在,干涉条纹发生扭曲。将抛光的...
本文使用热交换法直接生长c面取向,尺寸为170 mm×160 mm,重12 kg的蓝宝石晶体。晶体无色透明,内部无散射颗粒。沿c面(0001)方向的晶棒锥光图可观察到同心圆簇的干涉条纹,仅中心较小区域因内应力存在,干涉条纹发生扭曲。将抛光的晶片进行化学腐蚀后,通过金相显微镜检测位错腐蚀坑形貌图,结果显示,腐蚀坑呈三角形,平均位错密度较低,为1.98×103 Pits/cm2,X射线衍射半峰宽较小,晶体结构完整。
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关键词
蓝宝石晶体
热交换法
c
向生长
位错密度
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职称材料
题名
热交换法生长c面取向大尺寸蓝宝石晶体的研究
被引量:
3
1
作者
张雪平
机构
湖南大学物理与微电子科学学院
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第3期584-587,共4页
文摘
本文使用热交换法直接生长c面取向,尺寸为170 mm×160 mm,重12 kg的蓝宝石晶体。晶体无色透明,内部无散射颗粒。沿c面(0001)方向的晶棒锥光图可观察到同心圆簇的干涉条纹,仅中心较小区域因内应力存在,干涉条纹发生扭曲。将抛光的晶片进行化学腐蚀后,通过金相显微镜检测位错腐蚀坑形貌图,结果显示,腐蚀坑呈三角形,平均位错密度较低,为1.98×103 Pits/cm2,X射线衍射半峰宽较小,晶体结构完整。
关键词
蓝宝石晶体
热交换法
c
向生长
位错密度
Keywords
sapphire
c
rystal
heat-ex
c
hange
method
c
-
plane
growth
dislo
c
ation
density
分类号
O78 [理学—晶体学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
热交换法生长c面取向大尺寸蓝宝石晶体的研究
张雪平
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
3
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