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硼掺杂金刚石薄膜电极降解青霉素G钠废水机制 被引量:7
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作者 曲有鹏 吕江维 +1 位作者 冯玉杰 张杰 《哈尔滨工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第6期119-125,共7页
针对抗生素废水中青霉素类物质难于生化降解的问题,采用直流等离子体化学气相沉积方法制备硼掺杂金刚石(boron-doped diamond, BDD)薄膜电极,以典型的青霉素G钠为目标污染物,对BDD电极降解青霉素的规律及降解历程进行研究.结果表明,不... 针对抗生素废水中青霉素类物质难于生化降解的问题,采用直流等离子体化学气相沉积方法制备硼掺杂金刚石(boron-doped diamond, BDD)薄膜电极,以典型的青霉素G钠为目标污染物,对BDD电极降解青霉素的规律及降解历程进行研究.结果表明,不同质量浓度的青霉素G钠在电极上均能够被完全降解,发生电化学燃烧.青霉素G钠和化学需氧量(chemical oxygen demand, COD)的降解符合一级反应动力学,电流密度从10 mA/cm^2提高到20 mA/cm^2时,青霉素G钠和COD的反应速率常数分别增加了51.3%和29.1%.BDD电极上青霉素G钠的降解主要受液相传质过程控制,电流效率(current efficiency,EC)与青霉素G钠的质量浓度和电流密度有关.得到了青霉素G钠在BDD电极上的降解历程,主要的中间产物有青霉酸、异构青霉酸、青霉烯酸和青霉噻唑酸. 展开更多
关键词 硼掺杂金刚石 电催化电极 电化学降解 抗生素废水 青霉素
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直流电弧等离子体喷射CVD硼掺杂金刚石薄膜的制备及电化学性能研究 被引量:4
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作者 张聪聪 戴玮 +3 位作者 朱宁 尹振超 吴小国 曲长庆 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第5期1205-1210,共6页
采用直流电弧等离子体喷射CVD(Chemical Vapor Deposition)法在硅(100)衬底上制备了(111)占优的掺硼金刚石(BDD)薄膜,研究了压强对薄膜生长的影响,在压强为5500 Pa时得到了(100)占优的金刚石薄膜,并用SEM、XRD及拉曼光谱分析了薄膜的表... 采用直流电弧等离子体喷射CVD(Chemical Vapor Deposition)法在硅(100)衬底上制备了(111)占优的掺硼金刚石(BDD)薄膜,研究了压强对薄膜生长的影响,在压强为5500 Pa时得到了(100)占优的金刚石薄膜,并用SEM、XRD及拉曼光谱分析了薄膜的表面形貌、晶体结构、薄膜品质。测试结果表明,掺硼金刚石膜具有较好的成膜质量。霍尔测试表明BDD的电阻率为0.0095Ω.cm,载流子浓度为1.1×1020cm-3;研究了BDD薄膜电极在硫酸钠空白底液、铁氰化钾/亚铁氰化钾溶液和多巴胺溶液中的循环伏安曲线(CVs),发现该金刚石薄膜电极在硫酸钠中具有较宽的电化学窗口(约为4 V)、接近零的背景电流和良好的可逆性,利用BDD电极检测多巴胺溶液,具有明显的氧化还原峰值和较好的稳定性。结果表明利用该方法制备的BDD电极在电化学检测方面具有明显的优势。 展开更多
关键词 直流电弧等离子喷射CVD 硼掺杂金刚石(bdd) 循环伏安法 多巴胺
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基于炭气凝胶修饰BDD电极的叔丁基对苯二酚的检测 被引量:3
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作者 卫敏 曾高英 +1 位作者 郭帅超 陆启玉 《中国食品添加剂》 CAS 北大核心 2013年第1期214-218,共5页
利用炭气凝胶(CAs)修饰硼掺杂金刚石(BDD)电极对抗氧化剂叔丁基对苯二酚(TBHQ)进行检测。首先研究了裸BDD电极和CAs修饰BDD电极在5mM[Fe(CN)6]3-(含0.1M KCl)溶液中的循环伏安行为。与裸BDD电极相比,在CAs修饰BDD电极上,5mM[Fe(CN)6]3-... 利用炭气凝胶(CAs)修饰硼掺杂金刚石(BDD)电极对抗氧化剂叔丁基对苯二酚(TBHQ)进行检测。首先研究了裸BDD电极和CAs修饰BDD电极在5mM[Fe(CN)6]3-(含0.1M KCl)溶液中的循环伏安行为。与裸BDD电极相比,在CAs修饰BDD电极上,5mM[Fe(CN)6]3-的氧化峰电流提高了118.14%,△Ep降低了0.197V,说明CAs具有较高的电催化活性,可以促进电极表面的电子转移,加快反应速率。1×10-4M TBHQ在不同电极上的差分脉冲伏安结果表明,经CAs修饰后,氧化峰电流从0.53μA增加到11.79μA,峰电位从0.56V负移到0.273V。研究了不同缓冲液和修饰量对电极响应的影响,实验得出最佳缓冲液为0.1M高氯酸(含10%乙醇),最佳修饰量为10μL。在最优条件下,TBHQ的氧化峰电流与其浓度在5-150μM范围内呈线性关系,线性方程为Ip=0.1419c+3.1597(R2=0.995),检出限为0.15μM。采用本方法测定实际样品大豆油中TBHQ的含量,回收率为98.05%-109.48%。 展开更多
关键词 炭气凝胶 bdd 叔丁基对苯二酚 差分脉冲伏安
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电催化-生物电化学耦合系统处理青霉素废水的机制 被引量:3
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作者 曲有鹏 吕江维 +2 位作者 董跃 冯玉杰 张杰 《环境科学》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第5期2378-2384,共7页
抗生素生产过程中产生大量含有残存抗生素的生产废水,传统的污水生物处理技术难以有效地处理此类高浓度抗生素废水.针对此问题,采用电催化-生物电化学耦合系统来处理含有典型的β-内酰胺类抗生素青霉素的废水,利用硼掺杂金刚石(boron-do... 抗生素生产过程中产生大量含有残存抗生素的生产废水,传统的污水生物处理技术难以有效地处理此类高浓度抗生素废水.针对此问题,采用电催化-生物电化学耦合系统来处理含有典型的β-内酰胺类抗生素青霉素的废水,利用硼掺杂金刚石(boron-doped diamond,BDD)电催化电极对青霉素废水进行预处理,其出水进入生物电化学系统(bioelectrochemical system,BES)进行后处理.研究发现,经电催化系统预处理后青霉素的去除率为89%,出水进入BES后可以稳定运行,该出水中又有79%的青霉素被BES去除,获得最大功率密度为(1 124±28) mW·m^(-2),与直接进青霉素原始废水的BES反应器相比提高了473%.经过电催化-生物电化学两级耦合系统处理后青霉素的总去除率达到98%.对BES反应器阳极生物量和生物相分析结果表明,青霉素对阳极混合菌群生物量和变形菌门微生物(主要产电菌)有一定的抑制作用,且会降低形成阳极生物膜的主要微生物不动杆菌属Acinetobacter和具有产电功能芽孢杆菌属Bacillus在反应器中含量,这是影响反应器产电性能和处理效果的主要原因.青霉素废水经电催化降解后,浓度明显降低,有效缓解了青霉素对BES的抑制作用,提高废水的可生化性,因此电催化-生物电化学耦合系统是一种高效低能耗处理抗生素废水的新工艺. 展开更多
关键词 电催化 生物电化学系统(BES) 硼掺杂金刚石(bdd) 微生物燃料电池(MFC) 青霉素
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Cl-、NH4+、CO32-离子和天然有机物对掺硼金刚石电极电解制备过硫酸盐的影响 被引量:3
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作者 孙智宇 张峰 崔建国 《环境化学》 CAS CSCD 北大核心 2020年第10期2878-2886,共9页
文章考察了水中几种常见的离子Cl-、NH4+、CO32-和天然有机物(NOM)对掺硼金刚石(BDD)阳极电解硫酸钠生成过硫酸盐(S2O82-)的影响,以及硫酸钠作为阳极背景电解液时,不同添加物可能在电解氧化过程中的变化.结果表明,Cl-对过硫酸盐的生成... 文章考察了水中几种常见的离子Cl-、NH4+、CO32-和天然有机物(NOM)对掺硼金刚石(BDD)阳极电解硫酸钠生成过硫酸盐(S2O82-)的影响,以及硫酸钠作为阳极背景电解液时,不同添加物可能在电解氧化过程中的变化.结果表明,Cl-对过硫酸盐的生成在电解的前10 min内有抑制作用,但之后过硫酸盐的合成速率更快;在硫酸钠背景电解质中,次氯酸/次氯酸盐和氯酸盐的生成量明显增加,与之相比,高氯酸盐的增加量并不明显.硫酸钠阳极液中添加NH4+可以抑制析氧副反应,使过硫酸盐的生成浓度增加;电解中NH4+的浓度下降了17.6%,可能是被氧化成N2逸出.CO32-对过硫酸盐生成的影响并不明显.NOM的存在可以减少过硫酸盐的合成量;NOM在硫酸盐阳极液中的降解与直接电解均符合一级反应动力学,硫酸盐的存在增加了NOM降解的表观反应速率. 展开更多
关键词 掺硼金刚石(bdd) 过硫酸盐 电化学合成 离子 天然有机物(NOM)
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响应曲面法优化新型电化学系统深度处理垃圾渗滤液生化出水 被引量:2
6
作者 李虹雨 王可 +1 位作者 邢璇 夏建新 《环境化学》 CAS CSCD 北大核心 2018年第4期713-719,共7页
在以掺硼金刚石膜(boron-doped diamond,BDD)电极为阳极,碳毡材料为阴极的传统二维电化学系统中,在阴阳极板间引入感应铁电极,构建新型电化学系统,将系统用于垃圾渗滤液生化出水的深度处理研究.利用Box-Behnken(BBD)模型的响应曲面法(re... 在以掺硼金刚石膜(boron-doped diamond,BDD)电极为阳极,碳毡材料为阴极的传统二维电化学系统中,在阴阳极板间引入感应铁电极,构建新型电化学系统,将系统用于垃圾渗滤液生化出水的深度处理研究.利用Box-Behnken(BBD)模型的响应曲面法(response surface methodology,RSM),考察电流密度、电解时间、p H值对出水COD及氨氮去除率的交互作用影响,并建立相关数学模型.结果表明,影响因子显著性顺序依次为:电解时间>电流密度>p H,模型回归性好,预测最大COD去除率为79.5%,氨氮去除率为97.8%,最佳实验条件为:电流密度0.1 A·cm-2,电解时间8.86 h,p H 10.86,实测结果为COD去除率78.0%,与预测值相比偏差为1.8%,氨氮去除率为94.2%,与预测值偏差为3.7%.由此可知,经响应曲面法优化后的实验方案可保证新型电化学系统处理垃圾渗滤液研究达到良好处理效果. 展开更多
关键词 响应曲面法 电化学氧化 bdd阳极 感应铁电极 垃圾渗滤液
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温度对n-ZnO/p-diamond薄膜异质结器件制备和电学性质的影响
7
作者 吴成泽 王丽莹 +3 位作者 王启亮 成绍恒 汪剑波 李红东 《超硬材料工程》 CAS 2017年第1期1-6,共6页
采用反应磁控溅射法在p型硼掺杂金刚石(BDD)薄膜衬底上制备了非有意掺杂n型氧化锌(ZnO)薄膜。利用XRD、SEM、I-V特性曲线对n-ZnO/p-BDD薄膜复合结构进行表征分析。n-ZnO多晶膜沉积在p-BDD膜上形成了具有良好整流特性的异质结。在空气中... 采用反应磁控溅射法在p型硼掺杂金刚石(BDD)薄膜衬底上制备了非有意掺杂n型氧化锌(ZnO)薄膜。利用XRD、SEM、I-V特性曲线对n-ZnO/p-BDD薄膜复合结构进行表征分析。n-ZnO多晶膜沉积在p-BDD膜上形成了具有良好整流特性的异质结。在空气中对异质结进行退火处理,研究了退火(400℃,700℃)对异质结性质的影响。实验表明,较高退火温度处理,可获得多取向的ZnO膜,晶粒尺寸增大,n-ZnO/p-BDD异质结开启电压减小。不同温度下的电学性质测量结果证明该异质结适合在高温环境下工作。 展开更多
关键词 氧化锌薄膜 硼掺杂金刚石 异质结 电学性质 高温处理
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青霉素在硼掺杂金刚石薄膜电极上的电化学行为研究
8
作者 曲有鹏 吕江维 +1 位作者 冯玉杰 张杰 《应用化工》 CAS CSCD 北大核心 2020年第8期1888-1891,1898,共5页
采用直流等离子体化学气相沉积法制备了硼掺杂金刚石(BDD)薄膜电极。利用循环伏安法(CV)和电化学交流阻抗谱(EIS)研究青霉素在BDD电极上的电化学过程,并利用等效电路对相关的电极动力学参数进行了拟合。研究表明,青霉素G钠在电极上的电... 采用直流等离子体化学气相沉积法制备了硼掺杂金刚石(BDD)薄膜电极。利用循环伏安法(CV)和电化学交流阻抗谱(EIS)研究青霉素在BDD电极上的电化学过程,并利用等效电路对相关的电极动力学参数进行了拟合。研究表明,青霉素G钠在电极上的电化学氧化过程为不可逆过程,氧化峰电位为2.2 V,没有还原峰出现,电极表面有中间产物的吸附,但在高于水分解电压下氧化能够恢复原来的活性。当电极电位在开路电位(OCP)至1.5 V时,电极过程由电荷传递过程和传质扩散过程共同控制,即电化学极化与浓差极化同时存在;当电极电位在1.8~2.5 V时,电极过程由电荷传递过程控制。 展开更多
关键词 硼掺杂金刚石 循环伏安 电化学阻抗谱 电化学行为 青霉素
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表面活性剂增敏掺硼金刚石电极检测四溴双酚A
9
作者 龚顺 高成耀 +2 位作者 佟建华 边超 夏善红 《传感器与微系统》 CSCD 2020年第7期5-7,共3页
采用热丝化学气相沉积法(HFCVD)制备了掺硼金刚石(BDD)电极,将其用于检测四溴双酚A(TBBPA)。表面活性剂CTAB对检测过程具有良好的增敏效果,经优化后选取其浓度为10μmol/L。响应峰电流与四溴双酚A浓度在20~500nmol/L的范围内呈现非常好... 采用热丝化学气相沉积法(HFCVD)制备了掺硼金刚石(BDD)电极,将其用于检测四溴双酚A(TBBPA)。表面活性剂CTAB对检测过程具有良好的增敏效果,经优化后选取其浓度为10μmol/L。响应峰电流与四溴双酚A浓度在20~500nmol/L的范围内呈现非常好的线性关系,相关系数为0.9950,检测下限为4nmol/L。检测过程呈现良好的重复性。 展开更多
关键词 掺硼金刚石 四溴双酚A 表面活性剂
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BDD电极在难降解废水处理中的应用研究进展 被引量:12
10
作者 石艳玲 姚迎迎 黄思远 《工业水处理》 CSCD 北大核心 2017年第11期11-16,共6页
介绍了BDD电极的电化学特性、氧化机理及制备技术。重点总结了BDD电极在酚类、染料、农药、医药等难降解模拟废水和垃圾渗滤液、印染、制药、城镇污水处理厂出水等实际废水中的应用研究进展。提出开发大面积BDD电极制备技术,提高电极电... 介绍了BDD电极的电化学特性、氧化机理及制备技术。重点总结了BDD电极在酚类、染料、农药、医药等难降解模拟废水和垃圾渗滤液、印染、制药、城镇污水处理厂出水等实际废水中的应用研究进展。提出开发大面积BDD电极制备技术,提高电极电催化性能和稳定性,增强基底附着力,开发组合工艺技术是未来BDD电极实现工业化应用的研究方向。 展开更多
关键词 掺硼金刚石(bdd)电极 电化学高级氧化法 难降解废水
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高掺杂Si/BDD薄膜电极的制备及电化学性能 被引量:5
11
作者 陈朋 满卫东 +3 位作者 吕继磊 朱金凤 董维 汪建华 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第3期286-292,共7页
近年来,掺硼金刚石(BDD)膜因具备独特的优异性能而作为电极材料已经受到很大的关注。本文通过MPCVD法在高掺杂硅衬底上生长掺硼金刚石膜,并用四探针、扫描电镜、激光拉曼和电化学工作站对其进行了检测,发现所制备的掺硼金刚石膜电导率... 近年来,掺硼金刚石(BDD)膜因具备独特的优异性能而作为电极材料已经受到很大的关注。本文通过MPCVD法在高掺杂硅衬底上生长掺硼金刚石膜,并用四探针、扫描电镜、激光拉曼和电化学工作站对其进行了检测,发现所制备的掺硼金刚石膜电导率达10-2Ω.cm,同时发现金刚石膜质量因硼原子的掺入而有所下降,采用循环伏安法研究其电化学性质。结果表明,与Pt电极相比(1.8V和-1×10-3~3×10-4A),BDD电极具有很宽的电化学窗口(2.8~3.2V),较低的背景电流(-3×10-6~2×10-6A);选用高掺杂的硅作基底使导线从导电基底接入,能够为Si/BDD电极提供更多工作面积从而节约制备成本;在铁氰化钾电解液中,表面所进行的电化学反应具有较好的准可逆性,并且电极表面具有较好的稳定性。对有机物苯酚的催化氧化检测发现:与Pt电极相比,BDD电极氧化能力强,且氧化产物简单彻底,因此可以作为一种理想的电极材料。 展开更多
关键词 化学气相沉积 掺硼金刚石(bdd)膜 电化学性能 循环伏安法
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修饰掺硼金刚石电极循环伏安法检测尿酸 被引量:5
12
作者 陈凯玉 朱宁 +3 位作者 戴玮 张聪聪 尹振超 吴小国 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第5期1026-1031,共6页
用直流等离子体喷射化学气相沉积(CVD)法制备掺硼金刚石(BDD)薄膜电极。通过扫描电镜(SEM)观察到薄膜表面分布均匀致密;霍尔测试仪检测薄膜的电阻率为0.023Ω.cm,载流子浓度为6.423×1019 cm-3;循环伏安法(CVa)测得其电极电势窗为3.... 用直流等离子体喷射化学气相沉积(CVD)法制备掺硼金刚石(BDD)薄膜电极。通过扫描电镜(SEM)观察到薄膜表面分布均匀致密;霍尔测试仪检测薄膜的电阻率为0.023Ω.cm,载流子浓度为6.423×1019 cm-3;循环伏安法(CVa)测得其电极电势窗为3.4V;分析了浓度为10μmol/L的尿酸(UA)溶液在BDD电极表面的电化学响应,表明扫描速率的平方根与氧化峰电流呈线性关系。通过对比茜素黄、牛磺酸和L-半胱氨酸3种物质对BDD电极进行修饰,表明由L-半胱氨酸修饰BDD电极的电催化氧化能力最强;在浓度为1×10-7~1×10-4 mol/L范围内,浓度的对数与氧化峰电流呈线性关系,且检测限为1×10-8 mol/L。实验结果表明,20倍浓度的葡萄糖和抗坏血酸对UA的检测不构成影响。 展开更多
关键词 掺硼金刚石(bdd)薄膜电极 循环伏安法(CVa) 尿酸(UA) 电催化氧化
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掺硼金刚石膜电极除菌除农药性能及机理探讨
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作者 杨书园 蔡颖婷 +5 位作者 黄超 余叶贝 王珺菽 伍洋涛 卜令君 周石庆 《中国给水排水》 CAS CSCD 北大核心 2023年第13期103-108,共6页
针对家庭中果蔬残留的农药和细菌问题,采用掺硼金刚石(BDD)膜电极降解目标污染物敌草隆、异丙威,并对金黄色葡萄球菌的去除效果进行探索。结果表明:BDD膜电极能有效去除水中的敌草隆、异丙威和金黄色葡萄球菌,降解(或灭活)率分别为99%、... 针对家庭中果蔬残留的农药和细菌问题,采用掺硼金刚石(BDD)膜电极降解目标污染物敌草隆、异丙威,并对金黄色葡萄球菌的去除效果进行探索。结果表明:BDD膜电极能有效去除水中的敌草隆、异丙威和金黄色葡萄球菌,降解(或灭活)率分别为99%、87%和99.9%。水中的电解质(氯离子、硫酸根、碳酸氢根)可以通过影响活性成分(臭氧、羟基自由基等)的产率,在不同程度上抑制污染物的降解。通过对降解产物进行分析,推测芳香环羟基化为目标污染物的主要降解路径,且敌草隆和异丙威的急性毒性在BDD体系降解过程中逐渐降低。适用于龙头末端的BDD膜电极装置可以有效保障用户的用水安全。 展开更多
关键词 掺硼金刚石(bdd) 膜电极 果蔬残留农药 细菌 臭氧 急性毒性
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碳薄膜电极材料在电分析化学中的应用 被引量:4
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作者 郏建波 《化学进展》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2007年第11期1800-1805,共6页
由于具有一系列的优点,碳材料被广泛应用于电分析化学。新型碳电极材料的开发及其性质研究对电分析化学的发展起着重要的推动作用。最近报道了一些制备新型碳薄膜电极材料的方法,因为制备方法不同,这些碳薄膜材料的电化学性质如电位窗... 由于具有一系列的优点,碳材料被广泛应用于电分析化学。新型碳电极材料的开发及其性质研究对电分析化学的发展起着重要的推动作用。最近报道了一些制备新型碳薄膜电极材料的方法,因为制备方法不同,这些碳薄膜材料的电化学性质如电位窗、稳定性、导电性也存在显著的差异。目前电位窗宽、背景电流低、稳定性高、表面不易被电极产物钝化的碳薄膜电极材料的研究非常活跃。本文综述了采用不同方法制备的一些碳薄膜电极材料如硼掺杂的金刚石薄膜、无定形碳和纳米晶体碳薄膜材料等在电分析化学中应用。 展开更多
关键词 碳薄膜 硼掺杂的金刚石薄膜 电子回旋加速共振碳薄膜 电位窗 稳定性
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流动注射-电化学氧化法测定水体化学需氧量 被引量:4
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作者 王金良 只金芳 《分析试验室》 CAS CSCD 北大核心 2010年第10期5-8,共4页
采用硼掺杂金刚石(Boron-doped diamond,BDD)薄膜电极为工作电极,利用流动注射分析方法测定水体化学需氧量(COD),根据水样中有机物组分在工作电极表面氧化消耗的电量(Qoxidation)测定样品的COD值。考察了一些基本参数包括载液、工作电... 采用硼掺杂金刚石(Boron-doped diamond,BDD)薄膜电极为工作电极,利用流动注射分析方法测定水体化学需氧量(COD),根据水样中有机物组分在工作电极表面氧化消耗的电量(Qoxidation)测定样品的COD值。考察了一些基本参数包括载液、工作电位、流速对检测信号的影响并选定了最佳检测条件。在最佳检测条件下,本法检测COD的线性范围为2.5~120 mg/L,检出限为1 mg/L。用该法测定化工厂和食品厂废水的COD值,相对标准偏差和回收率分别在2.4%~4.8%和96%~106%之间,且检测结果与国家标准方法(CODcr法)有良好的一致性。 展开更多
关键词 硼掺杂金刚石薄膜电极 流动注射分析 化学需氧量
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掺硼金刚石薄膜电极的制备及电化学特性 被引量:3
16
作者 王帅 檀柏梅 +2 位作者 高宝红 张男男 安卫静 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第5期378-381,共4页
通过热丝化学气相沉积(HFCVD)技术,在钽衬底上制备了p型掺硼金刚石(BDD)薄膜电极。利用原子力显微镜(AFM)分析丙酮体积分数对BDD电极的表面形貌和成膜质量的影响,利用循环伏安法(CV)分析BDD电极在不同种类、不同浓度电解液中的电化学特... 通过热丝化学气相沉积(HFCVD)技术,在钽衬底上制备了p型掺硼金刚石(BDD)薄膜电极。利用原子力显微镜(AFM)分析丙酮体积分数对BDD电极的表面形貌和成膜质量的影响,利用循环伏安法(CV)分析BDD电极在不同种类、不同浓度电解液中的电化学特性。结果表明,当丙酮体积分数为1.5%时,金刚石薄膜表现出优异的附着力,并且BDD电极具有稳定的电化学特性。采用制备的BDD电极,在不同浓度的KCl和KH2PO4电解液中使用,得出电势窗口均在3.4 V以上。 展开更多
关键词 掺硼金钢石(bdd)薄膜电极 热丝化学气相淀积(HFCVD) 循环伏安法(CV) 丙酮体积分数 电化学窗口
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基于硼掺杂金刚石电极的酚生物传感器的研究 被引量:3
17
作者 高娜 吴婧 +1 位作者 沈国励 俞汝勤 《化学传感器》 CAS 2005年第1期11-15,共5页
该文研究了以硼掺杂金刚石为基底电极的酪氨酸酶传感器。该酶传感器对酚的催化作用强于以玻碳为基底电极的酪氨酸酶传感器。在浓度为1.0×10^(-8)~1.0×10.^(-5)mol/L 的范围内传感器对邻苯二酚的响应具有良好的线性关系,检测... 该文研究了以硼掺杂金刚石为基底电极的酪氨酸酶传感器。该酶传感器对酚的催化作用强于以玻碳为基底电极的酪氨酸酶传感器。在浓度为1.0×10^(-8)~1.0×10.^(-5)mol/L 的范围内传感器对邻苯二酚的响应具有良好的线性关系,检测下限为5.2×10^(-9)mol/L。酶电极的 Michaelis~Metent 常数(K_m^(app))为33.65μmol/L。酶电极对苯酚和对甲苯酚也有良好的响应,线性范围分别为:5.0×10^(-8)~2.0×10^(-5)~mol/L、5.0×10^(-8)~5.0×10^(-6)~mol/L。酶传感器有较好的稳定性和重现性。 展开更多
关键词 金刚石 对甲苯酚 酶传感器 邻苯二酚 硼掺杂 重现性 研究 酶电极 下限 基底
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大尺寸石墨基BDD涂层电极的MPCVD法沉积 被引量:2
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作者 陈卓 熊鹰 +2 位作者 王兵 杨森 王国欣 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第7期828-835,共8页
针对具有工业化应用前景的大尺寸掺硼金刚石(BDD)电极难于用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术制备的问题,通过以热等静压(HIP)石墨片取代传统的硅基体,结合预涂覆金属过渡层及采用适于大面积生长的高功率碟形腔型MPCVD装置,沉积生... 针对具有工业化应用前景的大尺寸掺硼金刚石(BDD)电极难于用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术制备的问题,通过以热等静压(HIP)石墨片取代传统的硅基体,结合预涂覆金属过渡层及采用适于大面积生长的高功率碟形腔型MPCVD装置,沉积生长直径达100 mm的石墨基掺硼金刚石(BDD)涂层电极。BDD薄膜沉积前,使用热化学气相沉积(TCVD)工艺在石墨基体表面预镀覆金属铌作为过渡层,以避免金刚石沉积阶段石墨基体剧烈氢刻蚀,提高金刚石形核率并增强膜材致密完整性;MPCVD沉积BDD工艺条件为CH_(4)浓度3%、乙硼烷掺杂源浓度B/C为7500×10^(-6)、微波功率7.5 kW、沉积气压10.5 kPa、基体温度860℃、生长时间10 h。通过场发射扫描电子显微镜(FESEM)、拉曼光谱(Raman)、X射线衍射(XRD)等技术对所制备薄膜进行表征,SEM表征表明在直径100 mm石墨基片上生长的BDD厚度达13μm,晶粒尺寸约10μm,且为典型的柱状晶结构;拉曼光谱中仅存在金刚石和与硼掺杂相关的特征峰,而XRD图谱揭示所制备样品为纯净的金刚石相。同时不同区域的SEM和Raman检测结果显示BDD在整个直径100 mm的区域内覆盖完整,且有较好的均匀性和一致性。循环伏安扫描曲线结果显示该石墨基BDD具有较大电势窗口(2.8 V),保持较高的电化学反应活性和较好的稳定性。本文研究表明采用合适的基材和预处理技术,可通过MPCVD方法获得大尺寸高质量的BDD涂层电极。 展开更多
关键词 石墨基体 过渡层 微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法 大面积 掺硼金刚石(bdd)薄膜
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电压和电极间距对BDD电极电化学氧化效率的影响 被引量:2
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作者 程川 高宝红 +3 位作者 张男男 杨志欣 孙铭斌 檀柏梅 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2014年第12期803-806,共4页
掺硼金刚石(BDD)薄膜电极具有很宽的电势窗口、很小的背景电流、很高的电化学稳定性、其电化学响应在很长时间内保持稳定以及耐腐蚀等优点。采用热丝化学气相沉积(HF—CvD)方法制备掺硼金刚石薄膜,并用金相显微镜、原子力显微镜(... 掺硼金刚石(BDD)薄膜电极具有很宽的电势窗口、很小的背景电流、很高的电化学稳定性、其电化学响应在很长时间内保持稳定以及耐腐蚀等优点。采用热丝化学气相沉积(HF—CvD)方法制备掺硼金刚石薄膜,并用金相显微镜、原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)这三种测试方式进行表征。BDD薄膜电极在电解过程中消耗很多能量。从提高氧化效率来降低能耗的角度出发,研究了电压及电极间距对BDD薄膜电极电化学氧化效率的影响。通过实验得出电压在5~13V时电化学氧化效率会随着电压的升高而升高;电极间距在0.5~4cm时电化学氧化效率随着电极间距的增大而降低。 展开更多
关键词 掺硼金刚石(bdd)薄膜电极 电化学 氧化效率 电解电压 电极间距
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An Electrochemical Cleaning Technique for Removal of Surface Contamination before Texturization of Silicon Solar Cells
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作者 ZHANG Jianxin LIU Yuling +2 位作者 TAN Baimei NIU Xinhuan GAO Baohong 《Semiconductor Photonics and Technology》 CAS 2010年第1期13-17,共5页
In order to decrease the consumption of reagents and silicon during removal of surface contamination before silicon texturing in solar cell manufacturing industry, a new low-cost surface treatment approach of electroc... In order to decrease the consumption of reagents and silicon during removal of surface contamination before silicon texturing in solar cell manufacturing industry, a new low-cost surface treatment approach of electrochemical cleaning technique(ECT) is reported. In this technique, a powerful oxidizing electrolyte was obtained from the electrochemical reaction on Boron-doped Diamond(BDD) electrodes, and applied during removal of surface contaminations on silicon wafer surfaces. The slightly polished monocrystalline silicon surfaces after cleaning were compared with the ones of primal silicon wafers. The measurement results show that ECT is quite efficient in removing NaCl and organic contaminants. After cleaning, the contrast test was conducted for the textured silicon wafers with/without pre-treatment(polish) separately. The results show that the size of pyramids on the surface without traditional polishing process is homogeneous and smaller than 4μm, and the average surface reflectance is much lower in the wavelength range from 400nm to 800nm. Therefore, the new technique can save silicon material, and effectively avoid optical losses for improving photoconversion effect of solar cells. 展开更多
关键词 electrochemical cleaning surface contamination solar cell TEXTURIZATION boron-doped diamond(bdd) electrodes
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