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氮化镓微米晶须及纳米线的制备与研究 被引量:4
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作者 周江峰 王建朝 +3 位作者 李昌义 潘华勇 冯孙齐 俞大鹏 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 2002年第1期11-13,共3页
报道了利用CVD方法大量制备超纯氮化镓微米晶须及纳米线的最新结果.利用镍、铟及其化合物等做催化剂,将金属镓放置在氨气氛中1000℃左右进行反应,结果在衬底上获得了大量的氮化镓微米晶须,及纳米线.许多晶须还通过自组装形成了非常奇特... 报道了利用CVD方法大量制备超纯氮化镓微米晶须及纳米线的最新结果.利用镍、铟及其化合物等做催化剂,将金属镓放置在氨气氛中1000℃左右进行反应,结果在衬底上获得了大量的氮化镓微米晶须,及纳米线.许多晶须还通过自组装形成了非常奇特的如梯子状的形貌.研究还发现,大部分氮化镓微米晶须的择优生长方向为<0001>方向(c轴方向).X射线衍射谱揭示,反应产物为非常纯的氮化镓晶体,而低温光致发光谱分析则发现,氮化镓微米晶须在520nm处有一个杂质发光峰.这一研究结果有助于了解氮化镓晶体的生长机理,并可望应用于微米、纳米蓝光发光二极管等器件. 展开更多
关键词 氮化镓 微米晶体 半导体纳米线 蓝光发光二极管 生长机理 半导体化合物
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2014年诺贝尔物理学奖解读 被引量:1
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作者 沈波 于彤军 葛惟昆 《科技导报》 CAS CSCD 北大核心 2015年第4期13-16,共4页
本文从半导体科学技术研究与诺贝尔物理学奖的渊源出发,详细解读了2014年诺贝尔物理学奖成果"高效Ga N基蓝光发光二极管"的研究背景、核心创新内容、科学意义和应用价值,分析了氮化物宽禁带半导体的发展趋势。文章从3位诺贝... 本文从半导体科学技术研究与诺贝尔物理学奖的渊源出发,详细解读了2014年诺贝尔物理学奖成果"高效Ga N基蓝光发光二极管"的研究背景、核心创新内容、科学意义和应用价值,分析了氮化物宽禁带半导体的发展趋势。文章从3位诺贝尔物理学奖获得者的研究历程、诺贝尔评奖委员会的评奖标准等视角,探讨了2014年的诺贝尔物理学奖对我国物理学科建设、如何看待应用物理研究与基础物理研究的关系以及对成果评价标准的启示和借鉴价值等问题。 展开更多
关键词 氮化物宽禁带半导体 蓝光发光二极管 发展趋势 启示
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