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二维正方点阵液态声子晶体的带隙计算 被引量:9
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作者 齐共金 杨盛良 +1 位作者 白书欣 赵恂 《国防科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期103-106,共4页
介绍了计算二维正方点阵液态声子晶体带隙的PWM法。在四氯化碳/水银复合体系中发现了完全带隙,当四氯化碳填充分数为约22%时带隙宽度达到最大值。研究了三种不同截面形状的填充物,其中,圆形截面填充物体系比方形截面及其45°旋转的... 介绍了计算二维正方点阵液态声子晶体带隙的PWM法。在四氯化碳/水银复合体系中发现了完全带隙,当四氯化碳填充分数为约22%时带隙宽度达到最大值。研究了三种不同截面形状的填充物,其中,圆形截面填充物体系比方形截面及其45°旋转的体系更有利于产生宽带隙。对圆形截面填充物体系,当填充分数为f=0 229时有最宽带隙ΔΩ=0 5497。将填充物和基体交换,即水银/四氯化化碳复合体系中,所得到的带隙宽度显著减小。 展开更多
关键词 液态声子晶体 带隙计算 PWM 二维正方点阵 声学功能复合材料 周期性结构
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基于Si掺杂增强光吸收提升Li_(2)SnO_(3)光催化降解四环素的研究 被引量:1
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作者 李园园 曾寒露 +4 位作者 蒲红争 蒋明珠 王仲明 杨怡萌 公祥南 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第3期206-212,共7页
在Li_(2)SnO_(3)中掺杂Si,研究了Si掺杂Li_(2)SnO_(3)对四环素的光催化降解性能。结果表明,对Li_(2)SnO_(3)进行等电子Si掺杂使其光学吸收带隙减小和光吸收系数增大,提高了对四环素的光催化降解效率。等电子Si掺杂Li_(2)SnO_(3)为纯相... 在Li_(2)SnO_(3)中掺杂Si,研究了Si掺杂Li_(2)SnO_(3)对四环素的光催化降解性能。结果表明,对Li_(2)SnO_(3)进行等电子Si掺杂使其光学吸收带隙减小和光吸收系数增大,提高了对四环素的光催化降解效率。等电子Si掺杂Li_(2)SnO_(3)为纯相不规则块状固体,随着Si掺杂量的增加其晶格参数呈减小的趋势。Si掺杂使样品的光催化性能显著提高。Si掺杂量为10%的样品,在紫外光照射25 min后光催化降解效率为75.8%,约为母体的2倍。Si掺杂Li_(2)SnO_(3)的光催化降解行为满足赝一级动力学模型,拟合速率常数为0.02464 min-1。在Si掺杂Li_(2)SnO_(3)的价带顶形成的Si-O键减少了光学吸收带隙,使其光吸收能力增强。Si掺杂Li_(2)SnO_(3)的光催化降解机制,属于空穴主导型。 展开更多
关键词 无机非金属材料 Si掺杂 光催化 能带计算 四环素
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Synthesis,Crystal Structure,and Optical Property of Zero-dimensional Quaternary Thioborate:Ba9B3GaS15 被引量:1
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作者 王金秋 刘鹏飞 +1 位作者 黎艳艳 吴立明 《Chinese Journal of Structural Chemistry》 SCIE CAS CSCD 2016年第12期1860-1867,共8页
A new zero-dimensional(0D) thioborate Ba_9B_3GaS_(15) has been discovered by conventional high-temperature solid-state reaction. The compound crystallizes in orthorhombic space group Pbca with a = 8.4759(8),b = ... A new zero-dimensional(0D) thioborate Ba_9B_3GaS_(15) has been discovered by conventional high-temperature solid-state reaction. The compound crystallizes in orthorhombic space group Pbca with a = 8.4759(8),b = 22.266(2),c = 31.426(3) ?,V = 5931(2) ?~3,Z = 8,Mr = 1819.11,Dc = 4.075 g/cm3,μ = 13.684 mm^(-1),F(000) = 6320,S = 1.034,(Δρ)max = 5.039,(Δρ)min = –5.409 e/?~3,the final R = 0.0362 and w R = 0.1053 for 19243 observed reflections with I 〉 2σ(I). The structure is constructed by discrete [BS_3]^(3–) trigonal planes and isolated [GaS_4]^(5–) tetrahedra with Ba^(2+) and isolated S^(2–) filled among them. The UV-Vis-near-IR spectrum reveals a wide band gap of 3.15 eV that agrees with the electronic structure calculation. 展开更多
关键词 thioborate high-temperature solid-state reaction crystal structure optical band gap electronic structure calculation
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