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硅单晶研磨片残留损伤吸杂的研究
1
作者
栾兴伟
叶祖超
《上海有色金属》
CAS
2010年第2期82-83,共2页
研究了一种新的外吸杂方法,它不需要在硅片加工过程中特意引入另外的外吸杂工序,而是通过控制腐蚀工艺条件,将硅片正常研磨加工中形成的损伤层保留一定的厚度,从而使硅片具有外吸杂能力。
关键词
硅单晶
研磨片
吸杂
背损伤
损伤层厚度
下载PDF
职称材料
题名
硅单晶研磨片残留损伤吸杂的研究
1
作者
栾兴伟
叶祖超
机构
上海合晶硅材料有限公司
出处
《上海有色金属》
CAS
2010年第2期82-83,共2页
文摘
研究了一种新的外吸杂方法,它不需要在硅片加工过程中特意引入另外的外吸杂工序,而是通过控制腐蚀工艺条件,将硅片正常研磨加工中形成的损伤层保留一定的厚度,从而使硅片具有外吸杂能力。
关键词
硅单晶
研磨片
吸杂
背损伤
损伤层厚度
Keywords
single
crystal
silicon
polished
wafer
gettering
back
side
damage
thickness
of
damage
d
layer
分类号
TN305.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
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1
硅单晶研磨片残留损伤吸杂的研究
栾兴伟
叶祖超
《上海有色金属》
CAS
2010
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