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题名抛光垫使用寿命对铜CMP平均去除速率一致性的影响
被引量：1
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作者
江自超
刘玉岭
王辰伟
张凯
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机构
河北工业大学电子信息工程学院
天津市电子材料与器件重点实验室
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出处
《微纳电子技术》
北大核心
2017年第10期715-719,共5页
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基金
国家中长期科技发展规划重大专项资助项目(2009ZX02308)
集成电路碱性抛光液与清洗液的研发资助项目(2016ZX02301003-004-007)
+2 种基金
河北省自然科学基金青年基金资助项目(F2015202267)
天津市自然科学基金资助项目(16JCYBJC16100)
河北工业大学优秀青年科技创新基金资助项目(2015007)
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文摘
针对抛光垫的使用寿命对铜膜平均去除速率一致性的影响进行研究,同时采用实时表面形貌控制(RTPC)技术,对抛光过程中,铜膜表面形貌进行实时监控。实验结果表明:抛光垫的使用寿命对铜膜化学机械抛光(CMP)平均去除速率影响很大,使用前期(抛光垫使用时间Tt≤500 pcs),铜膜平均去除速率稳定,粗抛一致性良好(片内非均匀性(WIWNU)为3.37%),粗抛后剩余膜厚范围小于60 nm。使用后期(Tt>500 pcs),粗抛速率一致性较差,粗抛后剩余膜厚范围大于100 nm。抛光垫修整能有效恢复抛光垫表面状态,采用在线同步修整技术,可以延长抛光垫使用寿命到750 pcs以上。但是过长的修整时间不能保证铜膜良好的平均去除速率一致性,也会加大抛光垫磨损,降低使用寿命。
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关键词
抛光垫
使用寿命
实时表面形貌控制(RTPC)技术
平均去除速率一致性
同步在线修整
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Keywords
polishing pad
lifetime
real time profile control （RTPC） technology
average re-moval rate uniformity
online synchronous condition
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分类号
TN305.2
[电子电信—物理电子学]
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