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题名低噪声、低功耗微电容读出ASIC设计
被引量：1
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作者
任臣
杨拥军
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机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第4期268-273,284,共7页
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文摘
针对差分电容式微电子机械系统(MEMS)加速度计,设计了一种低噪声、低功耗微电容读出专用集成电路(ASIC)。电路采用开关电容结构,使用相关双采样(CDS)技术降低电容-电压(C-V)转化电路的低频噪声和偏移电压。通过优化MEMS表头噪声匹配、互补金属氧化物半导体(CMOS)开关和低噪声运算放大器来降低频带内的混叠热噪声。采用电源开关模块和门控时钟技术来降低电路功耗,同时集成自检测电路和温度传感器。采用混合CMOS工艺进行流片加工,测试结果表明,优化后ASIC的电容分辨率为槡1.203 aF/Hz,系统分辨率为0.168 mg(量程2 g),芯片功耗约为2 mW。同时,该ASIC还具有很好的上电特性和稳定性。
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关键词
微电子机械系统(MEMS)
电容-电压
低噪声
低功耗
专用集成电路(asic)
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Keywords
micro-electromechanical systems （MEMS）
C-V
low noise
low power
applica-tion specific integrated circuit （asic）
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分类号
TN492
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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