期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到9篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
Mn和Cr共掺杂对GaAs居里温度的影响 被引量：4
1
作者 关玉琴 陈余 赵春旺 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第A01期94-96,共3页
定量分析Mn和Cr共掺杂时GaAs居里温度的特点,经过计算可得反铁磁性交换作用使得材料的居里温度降低,制备高居里温度的材料需要更高的掺杂浓度,增加了制备高居里温度材料的难度;而高的空穴浓度能有效地抑制反铁磁性交换作用对居里温度的... 定量分析Mn和Cr共掺杂时GaAs居里温度的特点,经过计算可得反铁磁性交换作用使得材料的居里温度降低,制备高居里温度的材料需要更高的掺杂浓度,增加了制备高居里温度材料的难度;而高的空穴浓度能有效地抑制反铁磁性交换作用对居里温度的影响。 展开更多
关键词 稀磁半导体材料 反铁磁性交换作用 居里温度 掺杂浓度 共掺杂
下载PDF
稀磁半导体材料居里温度的极值点 被引量：3
2
作者 陈余 关玉琴 赵春旺 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期702-705,共4页
以Zener模型为基础,考虑反铁磁性交换作用对DMS材料居里温度的影响,理论计算得到了居里温度关于掺杂浓度和反铁磁性交换作用的二元函数,对GaAs∶TM(Ga,TM)As(TM=Sc,Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni)的居里温度做了详细分析得到:n型半导体居里温度... 以Zener模型为基础,考虑反铁磁性交换作用对DMS材料居里温度的影响,理论计算得到了居里温度关于掺杂浓度和反铁磁性交换作用的二元函数,对GaAs∶TM(Ga,TM)As(TM=Sc,Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni)的居里温度做了详细分析得到:n型半导体居里温度有一个极大值,而p型掺杂是单调的递增。 展开更多
关键词 稀磁半导体 居里温度 掺杂浓度 反铁磁性交换作用
下载PDF
反铁磁性交换作用对p、n型掺杂的GaAs居里温度的影响 被引量：1
3
作者 关玉琴 陈余 赵春旺 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第A02期250-252,共3页
居里温度与载流子浓度反铁磁性交换作用有着密切联系,定量分析反铁磁性交换作用对p型及n型GaAs材料的居里温度的影响,计算证明,反铁磁性交换作用对p型和n型掺杂的GaAs居里温度的影响有着本质的区别。p型半导体材料的居里温度仅仅与反铁... 居里温度与载流子浓度反铁磁性交换作用有着密切联系,定量分析反铁磁性交换作用对p型及n型GaAs材料的居里温度的影响,计算证明,反铁磁性交换作用对p型和n型掺杂的GaAs居里温度的影响有着本质的区别。p型半导体材料的居里温度仅仅与反铁磁性交换作用有关,而与掺杂浓度无关;对n型半导体居里温度与反铁磁性交换作用和掺杂浓度都有关,而且高掺杂浓度下居里温度比低掺杂浓度下居里温度低。 展开更多
关键词 稀磁半导体材料 反铁磁性交换作用 居里温度 p、n型掺杂 掺杂浓度
下载PDF
反铁磁性交换作用对(Ga,TM)As居里温度的影响
4
作者 陈余 关玉琴 李继军 《磁性材料及器件》 CSCD 北大核心 2010年第6期25-28,共4页
基于Zener模型,详细分析了反铁磁性交换作用对(Ga,TM)As(TM=Sc,Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni)居里温度的影响,结果表明,反铁磁性交换作用对n型半导体居里温度的影响程度远远大于对p型半导体居里温度的影响,而且在考虑了反铁磁性交换作用后,除了(... 基于Zener模型,详细分析了反铁磁性交换作用对(Ga,TM)As(TM=Sc,Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni)居里温度的影响,结果表明,反铁磁性交换作用对n型半导体居里温度的影响程度远远大于对p型半导体居里温度的影响,而且在考虑了反铁磁性交换作用后,除了(Ga,Cr)As和(Ga,Mn)As以外都不可能实现室温铁磁性,(Ga,Cr)As和(Ga,Mn)As的掺杂浓度为13.1%和18%时可获得室温铁磁性,但是反铁磁性交换作用相对强弱增强到y=0.01时,任何掺杂浓度都不能实现室温铁磁性。 展开更多
关键词 稀磁半导体 居里温度 掺杂 反铁磁性交换作用
下载PDF
n型DMS材料居里温度的极值点
5
作者 陈余 关玉琴 迎春 《内蒙古工业大学学报（自然科学版）》 2011年第1期17-19,共3页
以Zener模型为基础,考虑反铁磁性交换作用对DMS材料居里温度的影响,理论计算证明:n型DMS材料的居里温度有一个极大值,此极大值点投影到xoy平面(掺杂浓度x与反铁磁性交换作用相对强弱y所在的坐标面)上的轨迹是一双曲线,此双曲线为由基质... 以Zener模型为基础,考虑反铁磁性交换作用对DMS材料居里温度的影响,理论计算证明:n型DMS材料的居里温度有一个极大值,此极大值点投影到xoy平面(掺杂浓度x与反铁磁性交换作用相对强弱y所在的坐标面)上的轨迹是一双曲线,此双曲线为由基质材料与掺杂的磁性杂质决定。 展开更多
关键词 稀磁半导体 居里温度极值点 掺杂浓度 反铁磁性交换作用
下载PDF
反铁磁性交换作用对稀磁半导体(DMS)居里温度的影响 被引量：7
6
作者 胡作启 陈飞 《磁性材料及器件》 CAS CSCD 2007年第4期21-24,共4页
DMS的居里温度与空穴载流子浓度有着极大的关系。基于局域空穴模型,本文定量地分析了反铁磁性交换作用对DMS居里温度的影响。结果表明反铁磁性交换作用对居里温度的影响与磁性离子浓度ni和空穴浓度nc的比值有着密切关系.当ni/nc>100... DMS的居里温度与空穴载流子浓度有着极大的关系。基于局域空穴模型,本文定量地分析了反铁磁性交换作用对DMS居里温度的影响。结果表明反铁磁性交换作用对居里温度的影响与磁性离子浓度ni和空穴浓度nc的比值有着密切关系.当ni/nc>10000 时,反铁磁性交换作用对居里温度的影响十分显著;当 ni/nc<10时,反铁磁性交换作用对居里温度的影响将会明显减弱,随着空穴浓度的增加,空穴对反铁磁性交换作用有强的抑制作用。 展开更多
关键词 稀磁半导体 居里温度 反铁磁性交换作用
下载PDF
新型稀磁半导体Cd_(1-x)Mn_xIn_2Te_4的光学和磁学性能 被引量：2
7
作者 安卫军 常永勤 +1 位作者 郭喜平 介万奇 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第10期1057-1061,共5页
采用垂直Bridgman法制备出了x =0 1、0 2 2和 0 4的Cd1-xMnxIn2 Te4 晶体 .采用红外透射光谱法研究了晶体的红外光学特性 .用超导量子磁强计测量了样品在温度范围 5～ 30 0K和磁场强度范围 0～ 5T内的磁化强度 .在中红外波段透过率... 采用垂直Bridgman法制备出了x =0 1、0 2 2和 0 4的Cd1-xMnxIn2 Te4 晶体 .采用红外透射光谱法研究了晶体的红外光学特性 .用超导量子磁强计测量了样品在温度范围 5～ 30 0K和磁场强度范围 0～ 5T内的磁化强度 .在中红外波段透过率曲线变化很小 .随着x的增加Cd1-xMnxIn2 Te4 的光学带隙移向高能端 .磁化率倒数 χ-1与温度T的关系曲线在高温区服从居里 万斯定律 ,在低温下x≥ 0 2 2时向下偏离该定律 .与具有相同Mn2 + 浓度的Cd1-xMnxTe晶体相比Cd1-xMnxIn2 Te4 晶体的交换积分常数较小 . 展开更多
关键词 稀磁半导体 Cd1-xMnxIn2Te4 红外透过度 磁化率 反铁磁交换作用 DMS
下载PDF
P型稀磁半导体材料的居里温度 被引量：2
8
作者 关玉琴 陈余 赵春旺 《粉末冶金材料科学与工程》 EI 2010年第5期521-524,共4页
稀磁半导体(DMS)材料日益受到科技界和工业界的关注。本文根据ZENER模型研究稀磁半导体材料的居里温度。计算结果证明:同种基质材料掺杂不同的金属元素,低价元素掺杂形成的DMS材料居里温度较高。在考虑反铁磁性交换作用时,低价元素掺杂... 稀磁半导体(DMS)材料日益受到科技界和工业界的关注。本文根据ZENER模型研究稀磁半导体材料的居里温度。计算结果证明:同种基质材料掺杂不同的金属元素,低价元素掺杂形成的DMS材料居里温度较高。在考虑反铁磁性交换作用时,低价元素掺杂形成的DMS材料的居里温度与高价元素掺杂形成的DMS材料的居里温度的差别,比不考虑反铁磁性交换作用时居里温度的差别更为明显,且差别随反铁磁性交换作用相对强度的增加而增加。该研究结果可为获得具有高居里温度的DMS材料提供参考。 展开更多
关键词 稀磁半导体 居里温度 掺杂浓度 反铁磁性交换作用
下载PDF
高温超导体的电子结构、反铁磁交换和磁性超导机制 被引量：1
9
作者 韩汝珊 郭卫 《物理》 CAS 北大核心 2003年第10期673-677,共5页
高温超导体中电子的自旋和电荷一样重要 .文章对高温超导体的电子结构、磁性相互作用和关于单胞层La1.85Sr0 .15CuO4存在超导态的最新实验结果作了扼要的介绍 ,并指出 。
关键词 高温超导电性 电子结构 反铁磁交换 电子自旋态 自旋耦合 BCS理论 磁通测量 自旋配对 电子相图
原文传递
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部