期刊文献+
共找到2篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
Nb^(5+)掺杂与热处理对TiO_2基材料气敏特性的影响 被引量:2
1
作者 裴素华 孙海波 +2 位作者 王强 孙振翠 石礼伟 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期943-947,共5页
TiO2是响应三甲胺(TMA)气体最佳的金属氧化物半导体材料,为保持TiO2基TMA旁热式气敏器件具有较高灵敏度和较低空气阻值(Ra),相应降低器件加热功率RH,本文通过N2气氛高温退火、高价Nb5+掺杂和长时间烧结等方法,提高TiO2基敏感材料电导率... TiO2是响应三甲胺(TMA)气体最佳的金属氧化物半导体材料,为保持TiO2基TMA旁热式气敏器件具有较高灵敏度和较低空气阻值(Ra),相应降低器件加热功率RH,本文通过N2气氛高温退火、高价Nb5+掺杂和长时间烧结等方法,提高TiO2基敏感材料电导率获得成功。实验与理论证明:降低氧分压可增强TiO2自身半导化程度;掺入10%左右Nb2O5,Nb5+替代Ti4+形成固溶体,可使TiO2得到最佳半导化效果;采用长时间的烧结处理,促使Ti3+转化为Ti4+,进一步提高材料电导率和器件稳定性,从而为制造低阻、高灵敏度、高选择性动物食品测鲜传感器开辟了一条新途径。 展开更多
关键词 TIO2 n2退火 nb^5+掺杂 长时效烧结
下载PDF
氮气中退火对ZnO薄膜结构与光学性能的影响 被引量:2
2
作者 杨兵初 高飞 刘晓艳 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期375-378,共4页
采用直流磁控溅射法制备了ZnO薄膜,并将样品在氮气中进行了退火。对样品的表面形貌、结构性能、发光特性、透射光谱分别进行了检测。结果表明:退火后,样品的结晶质量提高,光致发光峰增强,在可见光范围内的平均透过率也有所增加。计算表... 采用直流磁控溅射法制备了ZnO薄膜,并将样品在氮气中进行了退火。对样品的表面形貌、结构性能、发光特性、透射光谱分别进行了检测。结果表明:退火后,样品的结晶质量提高,光致发光峰增强,在可见光范围内的平均透过率也有所增加。计算表明:退火后ZnO薄膜的禁带宽度略有减小。这可能是氮掺入ZnO薄膜后,N2p与O2p形成杂化轨道,二者能带部分重叠,从而使价带变宽、禁带变窄。 展开更多
关键词 直流磁控溅射 ZnO薄膜 氮气中退火
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部