期刊导航
期刊开放获取
cqvip
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
2
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
Nb^(5+)掺杂与热处理对TiO_2基材料气敏特性的影响
被引量:
2
1
作者
裴素华
孙海波
+2 位作者
王强
孙振翠
石礼伟
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第4期943-947,共5页
TiO2是响应三甲胺(TMA)气体最佳的金属氧化物半导体材料,为保持TiO2基TMA旁热式气敏器件具有较高灵敏度和较低空气阻值(Ra),相应降低器件加热功率RH,本文通过N2气氛高温退火、高价Nb5+掺杂和长时间烧结等方法,提高TiO2基敏感材料电导率...
TiO2是响应三甲胺(TMA)气体最佳的金属氧化物半导体材料,为保持TiO2基TMA旁热式气敏器件具有较高灵敏度和较低空气阻值(Ra),相应降低器件加热功率RH,本文通过N2气氛高温退火、高价Nb5+掺杂和长时间烧结等方法,提高TiO2基敏感材料电导率获得成功。实验与理论证明:降低氧分压可增强TiO2自身半导化程度;掺入10%左右Nb2O5,Nb5+替代Ti4+形成固溶体,可使TiO2得到最佳半导化效果;采用长时间的烧结处理,促使Ti3+转化为Ti4+,进一步提高材料电导率和器件稳定性,从而为制造低阻、高灵敏度、高选择性动物食品测鲜传感器开辟了一条新途径。
展开更多
关键词
TIO
2
n
2
退火
n
b^5+掺杂
长时效烧结
下载PDF
职称材料
氮气中退火对ZnO薄膜结构与光学性能的影响
被引量:
2
2
作者
杨兵初
高飞
刘晓艳
《半导体光电》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第3期375-378,共4页
采用直流磁控溅射法制备了ZnO薄膜,并将样品在氮气中进行了退火。对样品的表面形貌、结构性能、发光特性、透射光谱分别进行了检测。结果表明:退火后,样品的结晶质量提高,光致发光峰增强,在可见光范围内的平均透过率也有所增加。计算表...
采用直流磁控溅射法制备了ZnO薄膜,并将样品在氮气中进行了退火。对样品的表面形貌、结构性能、发光特性、透射光谱分别进行了检测。结果表明:退火后,样品的结晶质量提高,光致发光峰增强,在可见光范围内的平均透过率也有所增加。计算表明:退火后ZnO薄膜的禁带宽度略有减小。这可能是氮掺入ZnO薄膜后,N2p与O2p形成杂化轨道,二者能带部分重叠,从而使价带变宽、禁带变窄。
展开更多
关键词
直流磁控溅射
Z
n
O薄膜
氮气中退火
下载PDF
职称材料
题名
Nb^(5+)掺杂与热处理对TiO_2基材料气敏特性的影响
被引量:
2
1
作者
裴素华
孙海波
王强
孙振翠
石礼伟
机构
山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所
出处
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第4期943-947,共5页
文摘
TiO2是响应三甲胺(TMA)气体最佳的金属氧化物半导体材料,为保持TiO2基TMA旁热式气敏器件具有较高灵敏度和较低空气阻值(Ra),相应降低器件加热功率RH,本文通过N2气氛高温退火、高价Nb5+掺杂和长时间烧结等方法,提高TiO2基敏感材料电导率获得成功。实验与理论证明:降低氧分压可增强TiO2自身半导化程度;掺入10%左右Nb2O5,Nb5+替代Ti4+形成固溶体,可使TiO2得到最佳半导化效果;采用长时间的烧结处理,促使Ti3+转化为Ti4+,进一步提高材料电导率和器件稳定性,从而为制造低阻、高灵敏度、高选择性动物食品测鲜传感器开辟了一条新途径。
关键词
TIO
2
n
2
退火
n
b^5+掺杂
长时效烧结
Keywords
TiO
2
annealing
i
n
n
-
2
dopi
n
g
with
n
b5+
lo
n
g-time
si
n
teri
n
g
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
氮气中退火对ZnO薄膜结构与光学性能的影响
被引量:
2
2
作者
杨兵初
高飞
刘晓艳
机构
中南大学物理科学与技术学院
出处
《半导体光电》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第3期375-378,共4页
文摘
采用直流磁控溅射法制备了ZnO薄膜,并将样品在氮气中进行了退火。对样品的表面形貌、结构性能、发光特性、透射光谱分别进行了检测。结果表明:退火后,样品的结晶质量提高,光致发光峰增强,在可见光范围内的平均透过率也有所增加。计算表明:退火后ZnO薄膜的禁带宽度略有减小。这可能是氮掺入ZnO薄膜后,N2p与O2p形成杂化轨道,二者能带部分重叠,从而使价带变宽、禁带变窄。
关键词
直流磁控溅射
Z
n
O薄膜
氮气中退火
Keywords
DC
reactive
mag
n
etro
n
sputteri
n
g
Z
n
O
thi
n
film
annealing
i
n
n
2
分类号
O484.4 [理学—固体物理]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Nb^(5+)掺杂与热处理对TiO_2基材料气敏特性的影响
裴素华
孙海波
王强
孙振翠
石礼伟
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004
2
下载PDF
职称材料
2
氮气中退火对ZnO薄膜结构与光学性能的影响
杨兵初
高飞
刘晓艳
《半导体光电》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
2
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部