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硅烷法制备非晶硅粉的晶化研究 被引量：1
1
作者 朱成良 姚剑 +3 位作者 徐敏 杨红 马照军 姚奎鸿 《浙江理工大学学报（自然科学版）》 2008年第2期207-209,共3页
研究不同温度下硅烷分解所制备的非晶硅粉的晶化规律。对非晶硅粉采用不同的温度进行退火处理使其晶化,用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和紫外可见吸收谱(UV)进行分析。结果表明:当退火温度高于750℃,硅粉开始晶化;温度低于75... 研究不同温度下硅烷分解所制备的非晶硅粉的晶化规律。对非晶硅粉采用不同的温度进行退火处理使其晶化,用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和紫外可见吸收谱(UV)进行分析。结果表明:当退火温度高于750℃,硅粉开始晶化;温度低于750℃时,硅粉较难结晶。通过Scherrer公式计算,结合SEM和UV验证表明:750℃时,非晶硅粉晶化并不完全,退火后颗粒大小约为200nm。紫外可见光谱分析得到退火后光学带隙为1.5 eV左右。 展开更多
关键词 化学气相沉积 非晶硅粉 退火 晶化
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多晶硅无定型硅粉形成原因及控制 被引量：3
2
作者 宋张佐 《云南化工》 CAS 2019年第1期12-14,共3页
改良西门子法多晶硅生产过程中,若还原过程控制不当,会产生影响产品品质及系统运行的无定型硅粉。通过对还原过程温度控制、物料配比、二氯二氢硅含量、炉筒水温、尾气管结硅及换热情况等多方面因素研究,分析了无定型硅粉形成原因,提出... 改良西门子法多晶硅生产过程中,若还原过程控制不当,会产生影响产品品质及系统运行的无定型硅粉。通过对还原过程温度控制、物料配比、二氯二氢硅含量、炉筒水温、尾气管结硅及换热情况等多方面因素研究,分析了无定型硅粉形成原因,提出了相关控制措施。 展开更多
关键词 多晶硅 还原炉 无定型硅粉 雾化
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粉末非晶硅制备及其气体氢化和电化学储氢性能研究 被引量：2
3
作者 杨倩 罗永春 +2 位作者 张海民 尤超 杨淞婷 《金属功能材料》 CAS 2020年第2期44-52,共9页
以Li13Si4为原料采用化学去锂化法制备了具有层状结构的非晶硅(α-Si)粉体并对α-Si进行球磨改性,研究了改性前后α-Si在H2中的氢化行为以及氢化处理对α-Si电极在质子传导离子液体中的电化学储氢性能影响。研究结果表明,球磨能明显减小... 以Li13Si4为原料采用化学去锂化法制备了具有层状结构的非晶硅(α-Si)粉体并对α-Si进行球磨改性,研究了改性前后α-Si在H2中的氢化行为以及氢化处理对α-Si电极在质子传导离子液体中的电化学储氢性能影响。研究结果表明,球磨能明显减小α-Si粉体的颗粒尺寸,但易引入Fe和Cr金属杂质并形成Fe2Si与CrSi2。氢化时α-Si逐渐发生晶化,当氢化时间不少于8 h时,α-Si基本完全晶化,氢化后的SiHx结构由SiH、SiH2和SiH3三种成键模式组成。球磨改性有助于增加α-Si的初始吸氢量,随氢化时间延长,α-Si的吸氢量逐渐增大,其中经球磨和氢化2、5、8和58 h后的α-Si吸氢量分别达到(质量分数)0.38%、0.76%、0.91%和3.8%,其吸氢速率比较缓慢。α-Si电极在质子型离子液体中具有电化学吸放氢反应活性,但其放电容量偏低(42~163 mAh/g),其中球磨和氢化8 h的α-Si经20次充放电后具有最大放电容量163 mAh/g。球磨改性和适当的氢化处理(8 h)有利于提高α-Si电极的放电容量。 展开更多
关键词 粉体非晶硅 气体氢化行为 质子型离子液体电解质 电化学储氢性能
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PCVD法合成的无定形Si_3N_4纳米粉末和薄膜的红外特性比较
4
作者 陆忠乾 江东亮 谭寿洪 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第3期435-439,共5页
用等离子冷放电化学气相法（PCVD）合成的高纯、超细的无定形Si3N4粉末，储放了不同时间和在红外灯下烘烤短时间后，进行红外光谱的测定．发现合成的粉末刚暴露于空气中就产生了氧化，而后随着储放时问的延长，表面氧化愈来愈严重，Si－... 用等离子冷放电化学气相法（PCVD）合成的高纯、超细的无定形Si3N4粉末，储放了不同时间和在红外灯下烘烤短时间后，进行红外光谱的测定．发现合成的粉末刚暴露于空气中就产生了氧化，而后随着储放时问的延长，表面氧化愈来愈严重，Si－O键的吸收峰强度明显增强，而Si－N－Si键，Si-H键的吸收峰则愈来愈弱，直至仅有极小的吸收．而用低温PCVD法合成的无定形薄膜的特征吸收峰宽且强，与刚合成的粉末的红外谱有许多相同之处，但峰的形状，强度不随时间的变化而变化． 展开更多
关键词 氧化 红外光谱 氮化硅陶瓷 纳米粉末 PCVD法
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