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基于不同TFT技术的AMOLED像素电路仿真分析
被引量：
10
1
作者
徐小丽
刘如
+1 位作者
郭小军
苏翼凯
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第4期565-568,共4页
非晶硅、非晶氧化铟镓锌、多晶硅薄膜晶体管是可用于设计AMOLED像素驱动电路的3种典型的薄膜晶体管(TFT)技术。文中基于3种TFT的模型,针对大尺寸、高分辨率的AMOLED,分别在典型的电压式驱动和电流式驱动像素电路进行了建模仿真,并对仿...
非晶硅、非晶氧化铟镓锌、多晶硅薄膜晶体管是可用于设计AMOLED像素驱动电路的3种典型的薄膜晶体管(TFT)技术。文中基于3种TFT的模型,针对大尺寸、高分辨率的AMOLED,分别在典型的电压式驱动和电流式驱动像素电路进行了建模仿真,并对仿真结果做了分析和比较。该研究方法为像素电路的设计提供了一定理论依据。
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关键词
AM
o
LED
非晶硅
非晶氧化铟镓锌
多晶硅
薄膜晶体管
下载PDF
职称材料
题名
基于不同TFT技术的AMOLED像素电路仿真分析
被引量：
10
1
作者
徐小丽
刘如
郭小军
苏翼凯
机构
上海交通大学电子信息与电气工程学院
出处
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第4期565-568,共4页
基金
国家自然科学基金(No.60906039)
文摘
非晶硅、非晶氧化铟镓锌、多晶硅薄膜晶体管是可用于设计AMOLED像素驱动电路的3种典型的薄膜晶体管(TFT)技术。文中基于3种TFT的模型,针对大尺寸、高分辨率的AMOLED,分别在典型的电压式驱动和电流式驱动像素电路进行了建模仿真,并对仿真结果做了分析和比较。该研究方法为像素电路的设计提供了一定理论依据。
关键词
AM
o
LED
非晶硅
非晶氧化铟镓锌
多晶硅
薄膜晶体管
Keywords
AM
o
LED
amorphous
silic
o
n
amorphous
In-
ga
-
zn
o
p
o
ly
silic
o
n
thin
film
transist
o
r
分类号
TN321.5 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于不同TFT技术的AMOLED像素电路仿真分析
徐小丽
刘如
郭小军
苏翼凯
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2010
10
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