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非晶InGaZnO薄膜成分配比对透明性和迁移率的影响 被引量：1
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作者 苏雪琼 王丽 +1 位作者 甘渝林 李宬汉 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第12期49-52,共4页
利用固相反应法制备了富铟含量在不同成分配比下的高质量InGaZnO陶瓷靶材,采用脉冲激光沉积法,在基片温度为20℃、氧压为1Pa条件下,在石英玻璃衬底上生长了非晶InGaZnO薄膜,并对薄膜进行X射线衍射、透射吸收光谱、拉曼光谱与霍尔效应测... 利用固相反应法制备了富铟含量在不同成分配比下的高质量InGaZnO陶瓷靶材,采用脉冲激光沉积法,在基片温度为20℃、氧压为1Pa条件下,在石英玻璃衬底上生长了非晶InGaZnO薄膜,并对薄膜进行X射线衍射、透射吸收光谱、拉曼光谱与霍尔效应测试。通过对InGaZnO薄膜的测试表征,在较低温度条件下,铟含量较高的薄膜样品保持了非晶结构、可见光的高透明性和高电子迁移率,InGaZnO薄膜有望应用于电子器件。 展开更多
关键词 透明氧化物半导体 非晶igzo薄膜 脉冲激光沉积 透明性 电子迁移率
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