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AlN薄膜腔声谐振器的制备及性能研究 被引量：1
1
作者 胡宽 顾豪爽 +3 位作者 张凯 胡光 吴小鹏 熊娟 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A02期735-737,共3页
采用体硅微细加工工艺制备了基于AlN压电材料的薄膜腔声谐振器，研究了器件结构中谐振区形状和面积对谐振器性能的影响。以X射线衍射仪、扫描电镜表征了AlN压电薄膜的结构及形貌，高频网络分析仪表征谐振器频率特性。测试结果表明，谐... 采用体硅微细加工工艺制备了基于AlN压电材料的薄膜腔声谐振器，研究了器件结构中谐振区形状和面积对谐振器性能的影响。以X射线衍射仪、扫描电镜表征了AlN压电薄膜的结构及形貌，高频网络分析仪表征谐振器频率特性。测试结果表明，谐振器所用AlN压电薄膜具有C轴择优取向及良好的柱状晶结构；器件频率特性良好，谐振频率达1．759GHz，机电耦合系数3．75％，品质因数79．5。通过研究不同谐振区形状、面积谐振器的性能，明确了结构因素对器件频率特性的影响，分析了其中的机制。 展开更多
关键词 薄膜腔声谐振器 氮化铝压电薄膜 频率特性
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