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题名新型同轴型混合碳纳米管填充的硅通孔
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作者
王兴君
史凌峰
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机构
西安电子科技大学电路CAD所
陕西国防工业职业技术学院电子信息学院
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第4期294-301,共8页
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基金
重点大学基础研究基金资助项目(JB140220)
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文摘
针对碳纳米管填充的硅通孔（TSV）的信号传输性能优化问题,提出一种新型的基于同轴型混合碳纳米管填充的硅通孔结构。在内外层管束交界处的耦合电容的基础上,提出新型TSV结构的可变参数等效电路模型,并基于TSV在三种不同应用层次上的尺寸参数,通过此电路模型分析新型TSV中的信号传输性能。分析结果表明,在0~40 GHz内与单一类型碳纳米管填充的TSV相比,所提出TSV结构具有更小的插入损耗与更短的上升时延,并随TSV的尺寸增大优势更加显著。最后,对所提出TSV结构进行时域眼图仿真,仿真结果表明其在高速集成电路中可以满足对信号完整性的要求。
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关键词
碳纳米管(CNT)
硅通孔(TSV)
可变参数电路模型
信号传输性能
信号完整性
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Keywords
carbon nanotube（CNT）
though-silicon vias（TSV）
alterable parameter circuit model
signal transmission performance
signal integrity
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分类号
TN405.97
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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