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准一维电子通道中声电电流的理论计算被引量：5: 1; 作者高宏雷李玲高洁《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第10期3504-3509,共6页; 表面声波在GaAs AlxGa1 -xAs异质结表面上沿由分裂门产生的准一维电子通道方向传播时 ,在通道中诱导产生声电电流 .采用WKB近似 ,计算了只有一个电子被量子阱俘获时的声电电流 ;并在此基础上 ,详细讨论了表面声波的频率和功率。; 关键词一维电子表面声波俘获量子阱理论计算电流异质结门电压通道; 原文传递

表面声波单电子输运器件中弱电流的测量被引量：3: 2; 作者赵建君张林 +2 位作者袁辉李玲高洁《中国测试技术》 CAS 2008年第1期1-4,共4页; 研究表面声波单电子输运(SAW/SET)器件中的量子化声电电流对于揭示表面声波驱动的单电子输运特性有重要意义,并且有可能应用于量子电流基准,从而把安培与基本电荷和频率联系起来。为此设计了一种高精度高智能测量系统用于测量表面声波... 展开更多; 关键词表面声波单电子输运声电电流小波去噪弱电流测量; 下载PDF 职称材料

准一维电子通道中声电电流的实验研究被引量：2: 3; 作者康建锋李玲 +1 位作者杨丽娟高洁《四川大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2005年第4期770-774,共5页; 在甚低温(0.236K)下,通过实验研究了叉指换能器的频率特性以及准一维电子通道中不同源漏电流与分裂门负电位的关系,获得了分裂门的钳断电压.经观察表面声波搬运电子通过准一维电子通道的声电电流发现,声电电流可随分裂门负偏压的变化而... 展开更多; 关键词叉指换能器表面声波分裂门声电电流; 下载PDF 职称材料

多量子点接触中静电势对电子输运的调制被引量：2: 4; 作者吴海强郭华忠《四川大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2014年第6期1223-1228,共6页; 本文对动态量子点驱动的通过三个量子点接触的电子输运的静电调制效应进行了研究.通过对栅极施加不同电压形成不同的量子点接触静电势,从而改变动态量子点的形状.随着栅极电压的改变,电子库中的费米能也会随之改变,同时,影响下一个量子... 展开更多; 关键词量子点量子点接触声电电流声表面波; 原文传递

二维电子气深度对一维电子通道中声电电流的影响被引量：2: 5; 作者盛钢高宏雷 +1 位作者李玲高洁《四川大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2004年第3期603-607,共5页; 表面声波(SAW)在GaAs/AlxGa1-xAs量子阱表面沿一维电子通道方向传播时,可诱导产生声电电流.由于GaAs/AlxGa1-xAs材料的压电效应,伴随SAW要产生一个压电运动电势.该压电势与异质结中二维电子气(2DEG)的深度有关.作者采用准经典(WKB)近似... 展开更多; 关键词声电电流二维电子气分裂门; 下载PDF 职称材料

表面声波在一维电子通道中诱导产生的声电电流被引量：1: 6; 作者高宏雷盛钢 +1 位作者李玲高洁《四川大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2004年第3期598-602,共5页; 表面声波(SAW)在GaAs/AlxGa1-xAs异质结表面上沿由分裂门产生的准一维电子通道方向传播时,在通道中可诱导产生声电电流.根据准经典(WKB)近似,计算出一维电子通道钳断情况下的量子化声电电流,并详细讨论了源漏偏压和库仑相互作用对声电... 展开更多; 关键词表面声波准一维电子通道量子阱声电电流; 下载PDF 职称材料

多量子点接触中声表面波驱动下的电子输运: 7; 作者吕倩华郭华忠《四川大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2013年第3期561-565,共5页; 本文研究了多量子点接触中声表面波驱动下的电子输运的声电电流特性.改变每个量子点接触的栅电压用以实现不同高度的静态势垒,从而调节声电电流.并用电子泵模型解释了不同势垒之间的耦合对于电流的影响,根据此模型得到的模拟结果与实验... 展开更多; 关键词声表面波量子点接触声电电流势垒; 原文传递

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