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液晶光阀用ZnSSe薄膜的光电特性研究(英文) 被引量：1
1
作者 沈大可 韩高荣 +2 位作者 杜丕一 ZHANG X.X. SOU I.K. 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2002年第4期335-340,共6页
用分子束外延法(MBE),在铟锡氧化物(ITO)导电玻璃衬底上生长了ZnSSe薄膜,详细研究了薄膜的光电特性。通过控制反应时的生长参数,制备出了符合紫外液晶光阀设计要求的光导层薄膜。室温下,该薄膜光谱响应截止边的响应度为0.01A/W,紫外/可... 用分子束外延法(MBE),在铟锡氧化物(ITO)导电玻璃衬底上生长了ZnSSe薄膜,详细研究了薄膜的光电特性。通过控制反应时的生长参数,制备出了符合紫外液晶光阀设计要求的光导层薄膜。室温下,该薄膜光谱响应截止边的响应度为0.01A/W,紫外/可见光响应对比度大于103。薄膜的暗电阻率随薄膜晶粒增大而减小,在衬底温度为2900C时,所获得的ZnSSe薄膜具有4.3×1011Ω·cm的暗电阻率。频率从40Hz到4000Hz的交流特性测试,也证实该薄膜符合器件紫外成像的工作要求。 展开更多
关键词 分子束外延 znsse薄膜 光电特性 液晶光阀
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