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ZnAl_2O_4缓冲层对ZnO外延层晶体质量的影响
被引量：
2
1
作者
何金孝
段垚
+3 位作者
王晓峰
崔军朋
曾一平
李晋闽
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第7期1334-1337,共4页
首次报道了通过引入ZnAl2O4缓冲层,以金属源化学气相外延法(MVPE)生长的ZnO晶体质量明显提高.ZnAl2O4缓冲层是通过对溶胶-凝胶法制备的ZnO薄膜进行高温退火而得到的.用双晶X射线衍射仪(DCXRD)对样品进行了θ-2θ和摇摆曲线测量,在ZnAl2O...
首次报道了通过引入ZnAl2O4缓冲层,以金属源化学气相外延法(MVPE)生长的ZnO晶体质量明显提高.ZnAl2O4缓冲层是通过对溶胶-凝胶法制备的ZnO薄膜进行高温退火而得到的.用双晶X射线衍射仪(DCXRD)对样品进行了θ-2θ和摇摆曲线测量,在ZnAl2O4缓冲层上生长的ZnO厚膜具有高度的择优取向性和良好的晶体质量(摇摆曲线半高宽为342″).用电子扫描显微镜(SEM)观察样品横截面,并测得样品厚度约为10μm.
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关键词
Zn
o
单晶厚膜
MVPE
znal
2
o
4
缓冲层
溶胶-凝胶法
Zn
o
-Al
2
o
3固溶体
DCXRD
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职称材料
题名
ZnAl_2O_4缓冲层对ZnO外延层晶体质量的影响
被引量：
2
1
作者
何金孝
段垚
王晓峰
崔军朋
曾一平
李晋闽
机构
中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第7期1334-1337,共4页
文摘
首次报道了通过引入ZnAl2O4缓冲层,以金属源化学气相外延法(MVPE)生长的ZnO晶体质量明显提高.ZnAl2O4缓冲层是通过对溶胶-凝胶法制备的ZnO薄膜进行高温退火而得到的.用双晶X射线衍射仪(DCXRD)对样品进行了θ-2θ和摇摆曲线测量,在ZnAl2O4缓冲层上生长的ZnO厚膜具有高度的择优取向性和良好的晶体质量(摇摆曲线半高宽为342″).用电子扫描显微镜(SEM)观察样品横截面,并测得样品厚度约为10μm.
关键词
Zn
o
单晶厚膜
MVPE
znal
2
o
4
缓冲层
溶胶-凝胶法
Zn
o
-Al
2
o
3固溶体
DCXRD
Keywords
Zn
o
crystal
thick
film
MVPE
znal
2
o
4
buffer
layer
s
o
l-gel
pr
o
cess
Zn
o
-Al
2
o
3
s
o
lid
s
o
luti
o
n
DCXRD
分类号
TN304.05 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
ZnAl_2O_4缓冲层对ZnO外延层晶体质量的影响
何金孝
段垚
王晓峰
崔军朋
曾一平
李晋闽
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
2
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职称材料
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