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掺钇钨酸铅晶体缺陷的理论研究
被引量:
1
1
作者
刘峰松
顾牡
+2 位作者
姚明珍
梁玲
陈铭南
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第9期2274-2279,共6页
采用基于密度泛函理论的相对论性离散变分和嵌入团簇方法 ,计算了掺钇PbWO4 晶体中多种相关缺陷的电荷分布和不同团簇缺陷结合能 ,由能量最低原理发现 [2 (Y3+Pb) V″Pb]缺陷在各相关缺陷形式中最为稳定 .并运用过渡态方法计算了轨道...
采用基于密度泛函理论的相对论性离散变分和嵌入团簇方法 ,计算了掺钇PbWO4 晶体中多种相关缺陷的电荷分布和不同团簇缺陷结合能 ,由能量最低原理发现 [2 (Y3+Pb) V″Pb]缺陷在各相关缺陷形式中最为稳定 .并运用过渡态方法计算了轨道跃迁的激发能 ,算出掺Y后晶体中O2p→Y4d的跃迁能量为 3 9eV ,表明掺Y不会引起晶体中35 0nm和 4 2 0nm吸收 .从掺Y对PbWO4 晶体电子结构的影响来看 。
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关键词
掺钇钨酸铅晶体
晶体缺陷
过渡态方法
轨道跃迁
激发能
密度泛函
态密度分布
闪烁体
探测器
原文传递
掺钇钨酸铅晶体发光性能和微观缺陷的研究
被引量:
1
2
作者
梁玲
顾牡
+2 位作者
段勇
马晓辉
刘峰松
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第1期76-80,共5页
通过透射谱、X射线激发发射谱 (XSL)的测试 ,研究了Bridgman法生长的掺钇钨酸铅晶体的发光性能 ,并利用正电子湮没寿命谱 (PAT)和X光电子能谱 (XPS)实验手段 ,对掺钇钨酸铅晶体的微观缺陷进行研究。实验表明 ,钇掺杂能够提高钨酸铅晶体...
通过透射谱、X射线激发发射谱 (XSL)的测试 ,研究了Bridgman法生长的掺钇钨酸铅晶体的发光性能 ,并利用正电子湮没寿命谱 (PAT)和X光电子能谱 (XPS)实验手段 ,对掺钇钨酸铅晶体的微观缺陷进行研究。实验表明 ,钇掺杂能够提高钨酸铅晶体的发光快成分比例 ,并使得晶体中的正电子俘获中心浓度下降 ,低价氧浓度下降。提出掺钇钨酸铅晶体中钇的掺杂主要以Y3 + 占据VPb的形式存在。Y3 + 占据VPb可能是钨酸铅晶体吸收边得到改善的原因 ,而由于晶体内低价氧浓度的减少 ,作为绿光发光中心的 (WO3 +O-)基团的减少可能会使发光快成分比例有所增加。
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关键词
发光性能
掺钇
钨酸铅晶体
微观缺陷
正电子湮没寿命谱
X光电子能谱
下载PDF
职称材料
题名
掺钇钨酸铅晶体缺陷的理论研究
被引量:
1
1
作者
刘峰松
顾牡
姚明珍
梁玲
陈铭南
机构
同济大学物理系
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第9期2274-2279,共6页
基金
国家自然科学基金 (批准号 :197740 43 )
教育部高等学校优秀青年教师教学科研奖励计划(教人司 (2 0 0 2 )123 )
+2 种基金
上海市教育委员会重点学科研究项目
曙光计划(批准号:0 2SG19)
青年教师项目(批准号:0 1QN18)资助的课题~~
文摘
采用基于密度泛函理论的相对论性离散变分和嵌入团簇方法 ,计算了掺钇PbWO4 晶体中多种相关缺陷的电荷分布和不同团簇缺陷结合能 ,由能量最低原理发现 [2 (Y3+Pb) V″Pb]缺陷在各相关缺陷形式中最为稳定 .并运用过渡态方法计算了轨道跃迁的激发能 ,算出掺Y后晶体中O2p→Y4d的跃迁能量为 3 9eV ,表明掺Y不会引起晶体中35 0nm和 4 2 0nm吸收 .从掺Y对PbWO4 晶体电子结构的影响来看 。
关键词
掺钇钨酸铅晶体
晶体缺陷
过渡态方法
轨道跃迁
激发能
密度泛函
态密度分布
闪烁体
探测器
Keywords
PbWO4
crystal
densit
y
functional
theor
y
y
doped
crystal
densit
y
of
state
分类号
O77 [理学—晶体学]
原文传递
题名
掺钇钨酸铅晶体发光性能和微观缺陷的研究
被引量:
1
2
作者
梁玲
顾牡
段勇
马晓辉
刘峰松
机构
同济大学玻耳固体物理研究所
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第1期76-80,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目 ( 197740 43)
高等学校优秀青年教师教学科研奖励计划和教育部高等学校骨干教师资助计划项目
+2 种基金
上海市教育委员会重点学科研究项目
曙光计划项目 ( 02SG19)
青年教师项目 ( 0 1QN18)资助项目
文摘
通过透射谱、X射线激发发射谱 (XSL)的测试 ,研究了Bridgman法生长的掺钇钨酸铅晶体的发光性能 ,并利用正电子湮没寿命谱 (PAT)和X光电子能谱 (XPS)实验手段 ,对掺钇钨酸铅晶体的微观缺陷进行研究。实验表明 ,钇掺杂能够提高钨酸铅晶体的发光快成分比例 ,并使得晶体中的正电子俘获中心浓度下降 ,低价氧浓度下降。提出掺钇钨酸铅晶体中钇的掺杂主要以Y3 + 占据VPb的形式存在。Y3 + 占据VPb可能是钨酸铅晶体吸收边得到改善的原因 ,而由于晶体内低价氧浓度的减少 ,作为绿光发光中心的 (WO3 +O-)基团的减少可能会使发光快成分比例有所增加。
关键词
发光性能
掺钇
钨酸铅晶体
微观缺陷
正电子湮没寿命谱
X光电子能谱
Keywords
y
doped
PbWO
4
crystal
point
defects
positron
annihilation
lifetime
X-ra
y
photoelectron
spectrum
分类号
O734.3 [理学—晶体学]
O77
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
掺钇钨酸铅晶体缺陷的理论研究
刘峰松
顾牡
姚明珍
梁玲
陈铭南
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003
1
原文传递
2
掺钇钨酸铅晶体发光性能和微观缺陷的研究
梁玲
顾牡
段勇
马晓辉
刘峰松
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003
1
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职称材料
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参考文献
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