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硅中注氢热退火在晶体中产生的应力及其对晶体结构的影响
被引量：
1
1
作者
多新中
刘卫丽
+3 位作者
张苗
高剑侠
符晓荣
林成鲁
《核技术》
CAS
CSCD
北大核心
2000年第3期145-149,共5页
用Ｘ射线四晶衍射仪测量了不同温度下退火的注氢单晶硅的摇摆曲线，分析了不同温度退火后晶格内应力产生及消失的过程。并与离子背散射沟道分析进行了比较。结果表明，在４００℃左右，氢注入形成的氢复合体分解；形成氢分子，氢分子在...
用Ｘ射线四晶衍射仪测量了不同温度下退火的注氢单晶硅的摇摆曲线，分析了不同温度退火后晶格内应力产生及消失的过程。并与离子背散射沟道分析进行了比较。结果表明，在４００℃左右，氢注入形成的氢复合体分解；形成氢分子，氢分子在晶格中聚集，生成氢气，在高温下膨胀，引起晶格形变，并产生缺陷；当退火温度达到５００℃以后，氢气的膨胀已超过晶体的屈服强度，产生了大量的缺陷、位错，同时在硅晶体内形成气泡，并在硅晶体表面造成砂眼、剥离等现象。
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关键词
x
射线多晶衍射
背散射沟道分析
硅
氢离子注入
热退火
应力
晶体结构
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职称材料
题名
硅中注氢热退火在晶体中产生的应力及其对晶体结构的影响
被引量：
1
1
作者
多新中
刘卫丽
张苗
高剑侠
符晓荣
林成鲁
机构
中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室
出处
《核技术》
CAS
CSCD
北大核心
2000年第3期145-149,共5页
基金
国家自然科学基金!19775062
69976034
文摘
用Ｘ射线四晶衍射仪测量了不同温度下退火的注氢单晶硅的摇摆曲线，分析了不同温度退火后晶格内应力产生及消失的过程。并与离子背散射沟道分析进行了比较。结果表明，在４００℃左右，氢注入形成的氢复合体分解；形成氢分子，氢分子在晶格中聚集，生成氢气，在高温下膨胀，引起晶格形变，并产生缺陷；当退火温度达到５００℃以后，氢气的膨胀已超过晶体的屈服强度，产生了大量的缺陷、位错，同时在硅晶体内形成气泡，并在硅晶体表面造成砂眼、剥离等现象。
关键词
x
射线多晶衍射
背散射沟道分析
硅
氢离子注入
热退火
应力
晶体结构
Keywords
H^+-implantation
x
-
ray
multi
-
crystal
diffraction
Rutherford
backscattering
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
硅中注氢热退火在晶体中产生的应力及其对晶体结构的影响
多新中
刘卫丽
张苗
高剑侠
符晓荣
林成鲁
《核技术》
CAS
CSCD
北大核心
2000
1
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职称材料
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参考文献
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