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GSMBE InGaP/GaAs材料大面积均匀性研究
被引量：
2
1
作者
李爱珍
李华
+3 位作者
李存才
胡建
唐雄心
齐鸣
《稀有金属》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第3期569-571,共3页
报道了气态源分子束外延 (GSMBE)技术生长的Φ5 0mm ,Φ75mmInGaP/GaAs材料的晶体完整性 ,组分均匀性和表面缺陷密度。用PhilipsX Pert′s四晶衍射仪沿Φ5 0mm ,Φ75mmInGaP/GaAs样品的x轴和y轴以 5mm间隔测量ω/2θ双晶摇摆曲线 ,获得...
报道了气态源分子束外延 (GSMBE)技术生长的Φ5 0mm ,Φ75mmInGaP/GaAs材料的晶体完整性 ,组分均匀性和表面缺陷密度。用PhilipsX Pert′s四晶衍射仪沿Φ5 0mm ,Φ75mmInGaP/GaAs样品的x轴和y轴以 5mm间隔测量ω/2θ双晶摇摆曲线 ,获得沿x轴和y轴方向的晶格失配度分布和组分涨落分布。结果表明 ,用GSMBE生长的Φ5 0mm和Φ75mmIn0 .4 9Ga0 .51 P与GaAs衬底的失配度分别为 1× 10 - 4和 1× 10 - 5,组分波动Φ5 0mm沿x轴和y轴分别为± 0 .1%和± 0 .2 % ,Φ75mm <± 1%。表面缺陷密度在 1× 10～ 1× 10 2 cm- 2 。
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关键词
ingap
均匀性
气态源分子束外延
x
射线双晶衍射
ingap
/
gaas
下载PDF
职称材料
题名
GSMBE InGaP/GaAs材料大面积均匀性研究
被引量：
2
1
作者
李爱珍
李华
李存才
胡建
唐雄心
齐鸣
机构
中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室
出处
《稀有金属》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第3期569-571,共3页
基金
中国科学院重大基础项目和 973项目 (KY 95 1 B1 70 6
G2 0 0 0 0 683 0 4
文摘
报道了气态源分子束外延 (GSMBE)技术生长的Φ5 0mm ,Φ75mmInGaP/GaAs材料的晶体完整性 ,组分均匀性和表面缺陷密度。用PhilipsX Pert′s四晶衍射仪沿Φ5 0mm ,Φ75mmInGaP/GaAs样品的x轴和y轴以 5mm间隔测量ω/2θ双晶摇摆曲线 ,获得沿x轴和y轴方向的晶格失配度分布和组分涨落分布。结果表明 ,用GSMBE生长的Φ5 0mm和Φ75mmIn0 .4 9Ga0 .51 P与GaAs衬底的失配度分别为 1× 10 - 4和 1× 10 - 5,组分波动Φ5 0mm沿x轴和y轴分别为± 0 .1%和± 0 .2 % ,Φ75mm <± 1%。表面缺陷密度在 1× 10～ 1× 10 2 cm- 2 。
关键词
ingap
均匀性
气态源分子束外延
x
射线双晶衍射
ingap
/
gaas
Keywords
uniformities
GSMBE
x
-
ray
diffraction
ingap
/
gaas
分类号
TN405.984 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
GSMBE InGaP/GaAs材料大面积均匀性研究
李爱珍
李华
李存才
胡建
唐雄心
齐鸣
《稀有金属》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004
2
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职称材料
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