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SnS_2纳米薄膜的制备及结构和光学特性 被引量:3
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作者 杨晶 李健 +1 位作者 白海平 卢建丽 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期83-86,128,共5页
采用真空热蒸发法,在玻璃衬底上制备纳米SnS2薄膜。研究不同Sn和S配比及不同热处理条件对薄膜性能的影响。实验给出采用Sn∶S=1∶1.5摩尔比混合粉末制备的薄膜,经T=430℃,t=40min氮气保护热处理可获得性能良好的SnS2纳米多晶薄膜。薄膜... 采用真空热蒸发法,在玻璃衬底上制备纳米SnS2薄膜。研究不同Sn和S配比及不同热处理条件对薄膜性能的影响。实验给出采用Sn∶S=1∶1.5摩尔比混合粉末制备的薄膜,经T=430℃,t=40min氮气保护热处理可获得性能良好的SnS2纳米多晶薄膜。薄膜呈n型、表面结构较致密,平均晶粒尺寸为77nm,直接光学带隙约为2.02eV。 展开更多
关键词 真空热蒸发 热处理 SnS2纳米薄膜 微结构 光学特性
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真空热蒸发生长CdX(X=S,Te)纳米线研究性实验 被引量:6
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作者 简基康 吴荣 +1 位作者 尚飞 邹华 《物理实验》 北大核心 2010年第8期1-4,8,共5页
将一维纳米结构的气—液—固生长机制与大学材料物理实验真空热蒸发镀膜结合,设计了生长半导体纳米线的研究性实验.利用金属铋或锡作为催化剂,真空热蒸发生长了CdS,CdTe等半导体纳米线.纳米线产物形貌均匀,并可实现选择性生长.
关键词 真空热蒸发镀膜 纳米线 气-液-固机制
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钕铁硼表面真空蒸镀Al膜的制备及其性能 被引量:6
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作者 刘家琴 曹玉杰 +4 位作者 张鹏杰 张浩 衣晓飞 陈静武 吴玉程 《材料热处理学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第3期159-166,共8页
为了提高烧结NdFeB磁体的耐腐蚀性能,采用真空蒸镀的方法在烧结NdFeB磁体表面沉积Al薄膜,并对工艺过程中的工艺参数进行优化。结果表明:真空室温度对Al薄膜的结构及耐腐蚀性能基本没有影响,但温度过高会导致Al薄膜表面岛状结构的增大,造... 为了提高烧结NdFeB磁体的耐腐蚀性能,采用真空蒸镀的方法在烧结NdFeB磁体表面沉积Al薄膜,并对工艺过程中的工艺参数进行优化。结果表明:真空室温度对Al薄膜的结构及耐腐蚀性能基本没有影响,但温度过高会导致Al薄膜表面岛状结构的增大,造成Al薄膜的厚度一致性难以控制;随着蒸发源温度的增加,Al薄膜的沉积速率逐渐增加,但是随着蒸镀时间的延长,Al薄膜的沉积效率逐渐降低,这是由于Al蒸发原子在基片上冷凝沉积的物理驱动力下降导致的。采用最佳工艺参数制备的厚度为8μm的Al薄膜,耐中性盐雾试验时间可达60 h,且Al镀层的涂覆对NdFeB磁体的磁性能基本没有影响。 展开更多
关键词 烧结钕铁硼 永磁材料 真空蒸镀 Al薄膜 耐腐蚀性能
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硅太阳电池用MgF2/ZnS双层减反射薄膜的制备及表征 被引量:4
4
作者 孙秀菊 李海玲 +4 位作者 励旭东 任丙彦 周春兰 赵雷 王文静 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第3期547-551,共5页
采用真空热蒸发技术,制备出了性能优良的MgF2/ZnS双层减反射薄膜。采用扫描电子显微镜、X射线衍射仪对薄膜的形貌以及结晶形态进行分析,采用椭圆偏振仪测试薄膜的折射系数及厚度,利用反射谱对双层减反射薄膜的减反射性能进行了表征。研... 采用真空热蒸发技术,制备出了性能优良的MgF2/ZnS双层减反射薄膜。采用扫描电子显微镜、X射线衍射仪对薄膜的形貌以及结晶形态进行分析,采用椭圆偏振仪测试薄膜的折射系数及厚度,利用反射谱对双层减反射薄膜的减反射性能进行了表征。研究表明:衬底温度为200℃时薄膜附着力、结晶态良好;蒸发速率影响薄膜的表面形态;MgF2/ZnS厚度为110 nm/35 nm时具有最佳减反射效果。 展开更多
关键词 ZNS薄膜 MgF2薄膜 减反射薄膜 真空热蒸发
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高软磁低电导率Fe-Fe_(3)N薄膜的N原子含量调控 被引量:1
5
作者 陈震 兰明迪 +3 位作者 李国建 孙尚 刘诗莹 王强 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第6期276-285,共10页
微电子器件具有广泛的应用前景,为了使微电子器件具有优良的高频特性,同时具有高饱和磁化强度、低矫顽力以及高电阻率软磁薄膜的研发成为其中的关键.本文采用射频原子源辅助真空热蒸发方法制备了不同N原子含量的Fe-Fe_(3)N软磁薄膜.高... 微电子器件具有广泛的应用前景,为了使微电子器件具有优良的高频特性,同时具有高饱和磁化强度、低矫顽力以及高电阻率软磁薄膜的研发成为其中的关键.本文采用射频原子源辅助真空热蒸发方法制备了不同N原子含量的Fe-Fe_(3)N软磁薄膜.高饱和磁化强度Fe_(3)N相含量和(102)取向度的增大,使薄膜的饱和磁化强度增大,相比于Fe薄膜,饱和磁化强度提高了55.2%,达到1705.6 emu/cm^(3)(1 emu/cm^(3)=10^(3)A/m).此外,Fe_(3)N(102)取向度的增大会产生较大的晶格错配,阻碍Fe和Fe_(3)N晶粒的生长,使薄膜晶粒尺寸降低,矫顽力(50.3 Oe(1 Oe=10^(3)/(4π)A/m))比Fe薄膜降低了68.6%.同时,较大的晶格错配也会促进载流子散射,提高了Fe-Fe_(3)N薄膜电阻率,使得其电阻率(8.80μΩ·m)比Fe薄膜增大了7倍.因此,本文为高饱和磁化强度、低矫顽力以及高电阻率软磁薄膜的研发提供了新方法. 展开更多
关键词 磁性薄膜 Fe-Fe_(3)N 真空热蒸发 射频原子源
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LiF-Sn复合修饰层改性石榴石/锂金属界面
6
作者 杨武 郑雪凡 +2 位作者 武玉琪 汤士军 龚正良 《电化学(中英文)》 CAS 北大核心 2023年第11期1-9,共9页
锂金属和固态电解质在能量密度和安全性能上有巨大的提升潜力,被视为全固态电池的重要组成部分。具有高锂离子电导率(约10^(–3)S·cm^(–1))和高剪切模量(55 GPa)的无机石榴石型固态电解质被认为是理想的固态电解质之一,然而锂枝... 锂金属和固态电解质在能量密度和安全性能上有巨大的提升潜力,被视为全固态电池的重要组成部分。具有高锂离子电导率(约10^(–3)S·cm^(–1))和高剪切模量(55 GPa)的无机石榴石型固态电解质被认为是理想的固态电解质之一,然而锂枝晶生长的问题依旧难以解决。在本文中,通过在石榴石表面蒸镀一层LiF-Sn复合修饰层,增加石榴石与锂金属的界面浸润性的同时构建了离子快速传输通道,阻挡了电子向石榴石体相的注入,有效地抑制了锂枝晶的生长。界面修饰层的存在使得界面阻抗由969Ω·cm^(2)降低至3.5Ω·cm^(2),对称电池的临界电流密度提升至1.3 mA·cm^(–2),对称电池在0.4 mA·cm^(–2)的电流密度下稳定循环200 h。 展开更多
关键词 LIF SN 真空热蒸镀 临界电流密度 长循环性能
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PVDF薄膜的低维化制备和结构研究 被引量:2
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作者 惠迎雪 樊慧庆 刘卫国 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期1-4,共4页
采用真空热蒸发技术在单晶硅基底上沉积PVDF薄膜,通过分析阻蒸温度对薄膜沉积速率和真空室气压变化的影响研究了PVDF镀膜过程,同时利用傅立叶变换衰减全反射红外光谱(ATR-FTIR)、X射线衍射(XRD)和差热分析(DSC)对薄膜的晶型结构进行了... 采用真空热蒸发技术在单晶硅基底上沉积PVDF薄膜,通过分析阻蒸温度对薄膜沉积速率和真空室气压变化的影响研究了PVDF镀膜过程,同时利用傅立叶变换衰减全反射红外光谱(ATR-FTIR)、X射线衍射(XRD)和差热分析(DSC)对薄膜的晶型结构进行了表征分析,结果发现,真空热蒸发技术可制备具有高度取向性的α晶相PVDF薄膜,且薄膜中不含C=C键。相比于PVDF树脂粉末,所得薄膜的结晶度明显增大而分子量显著减小,实现了PVDF薄膜的低维化制备。 展开更多
关键词 PVDF薄膜 取向生长 真空热蒸发 Α相 薄膜结构
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基于新型硅基化合物衍生物的有机电致发光器件 被引量:2
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作者 李青 于军胜 +3 位作者 李璐 蒋亚东 锁钒 占肖卫 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2008年第1期133-137,共5页
利用真空蒸镀方法,以两种新型硅基化合物同族衍生物材料BMPSiE(1,2-bis(1-methyl-2,3,4,5-tetraphenyl-1H-Silole-1-yl)ethane)和BMPThSi(1,1′-dimethyl-3,3′,4,4′-tetraphenyl-2,2′,5,5′-tetra(thiophen-2-yl)-1,1′-bi(1H-silol... 利用真空蒸镀方法,以两种新型硅基化合物同族衍生物材料BMPSiE(1,2-bis(1-methyl-2,3,4,5-tetraphenyl-1H-Silole-1-yl)ethane)和BMPThSi(1,1′-dimethyl-3,3′,4,4′-tetraphenyl-2,2′,5,5′-tetra(thiophen-2-yl)-1,1′-bi(1H-silole))为发光层,NPB(N,N′-diphenyl-N,N′-bis(3-methylphenyl)-1,1′-biphenyl-4,4′-diamine)和Alq3(tris(8-hydroxyquinolinolato)aluminum)分别为空穴和电子传输层,制备了结构简单的高亮度电致发光器件,表征了器件的光电性能,并通过器件的能级结构对器件的发光机理进行了讨论.结果表明,驱动电压为20V时,BMPSiE和BMPThSi的三层结构的器件最大亮度分别为9991.9和15261.5cd·m-2,流明效率分别为0.36和0.31lm·W-1.器件发光光谱谱峰位于483和495nm处,分别为BMPSiE和BMPThSi的特征光谱,CIE(国际发光照明委员会)色度图坐标为(0.202,0.337)和(0.246,0.419),且不随外加电压的改变而变化. 展开更多
关键词 有机电致发光器件 硅基化合物 真空蒸镀 能级结构 器件性能
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高亮度微腔有机电致发光器件 被引量:3
9
作者 孙三春 福田武司 +4 位作者 曹进 朱文清 蒋雪茵 张志林 魏斌 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期609-611,共3页
为了实现有机电致发光器件(OLED)发射光谱的窄化和高亮度,真空热蒸镀具有不同微腔结构的OLED(MOLED):玻璃衬底/分布式布拉格反射器(DBR)(1~4对的SiO2/Ta2O5层)/ITO/空穴传输层(HTL,α-NPD)/发光层(EML,Alq3:Rubrene或Alq3:Coumarin6)/... 为了实现有机电致发光器件(OLED)发射光谱的窄化和高亮度,真空热蒸镀具有不同微腔结构的OLED(MOLED):玻璃衬底/分布式布拉格反射器(DBR)(1~4对的SiO2/Ta2O5层)/ITO/空穴传输层(HTL,α-NPD)/发光层(EML,Alq3:Rubrene或Alq3:Coumarin6)/电子传输层(ERL,Alq3)LiF/Mg/Ag,其中沉积DBR结构采用电子束沉积法。实验表明:该MOLED的发射光谱半波长宽度(FWHM)随DBR层数的增加而减小至最小值10nm;并且在2层DBR时,掺杂Rubrene器件得到更大的电流效率,约20cd/A,最大亮度为2.6×105cd/m2。研究发现,蓝光MOLED能够对自发光产生吸收现象,降低了出光效率。 展开更多
关键词 有机电致发光二极管(OLED) 微腔结构 真空热蒸镀 电致发光(EL)光谱窄化
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基片温度对真空热蒸发的SnS薄膜性能的影响 被引量:1
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作者 贾宏杰 程树英 《微细加工技术》 2008年第4期32-34,共3页
利用真空热蒸发法在玻璃基片上制备SnS薄膜,在50℃~200℃之间,研究了基片温度对SnS薄膜的结构、形貌和光电性能的影响。结果表明,随着基片温度的升高,SnS薄膜的结晶度越好,薄膜变得更光滑,薄膜颗粒也增大了;薄膜的平均粗糙度从1... 利用真空热蒸发法在玻璃基片上制备SnS薄膜,在50℃~200℃之间,研究了基片温度对SnS薄膜的结构、形貌和光电性能的影响。结果表明,随着基片温度的升高,SnS薄膜的结晶度越好,薄膜变得更光滑,薄膜颗粒也增大了;薄膜的平均粗糙度从19.1nm减小到3.92nm,薄膜颗粒的平均粒径从108nm增大到150nm。而且随着基片温度的升高,SnS薄膜的栽流子浓度从7.118×10^13cm^-3提高到2.169×10^15cm^-3,而电阻率从641.8Ω·cm降低到206.2Ω·cm。但是基片温度对薄膜的物相结构和导电类型没有影响。在不同基片温度下,所制备的薄膜都是具有正交结构的多晶SnS,在(111)晶面上有很强的择优取向,其导电类型都为P型。 展开更多
关键词 SnS薄膜 真空热蒸发 性能 基片温度
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Fe^(3+)离子敏感Ge-Sb-Se-Fe系薄膜的真空热蒸发制备研究 被引量:1
11
作者 张海芳 杜丕一 +2 位作者 翁文剑 韩高荣 赵高凌 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期442-444,447,共4页
本文通过在低温下烧结靶材 ,利用电子束蒸发方法制备了Ge/Sb/Se/Fe比例可控的Fe3 + 离子敏感Ge Sb Se Fe系薄膜。用XRD和PHS 9V型酸度计研究薄膜的结构和性能。研究表明薄膜的Fe3 + 离子敏感性能为 (5 0 375± 4 12 5 )mV/十倍浓... 本文通过在低温下烧结靶材 ,利用电子束蒸发方法制备了Ge/Sb/Se/Fe比例可控的Fe3 + 离子敏感Ge Sb Se Fe系薄膜。用XRD和PHS 9V型酸度计研究薄膜的结构和性能。研究表明薄膜的Fe3 + 离子敏感性能为 (5 0 375± 4 12 5 )mV/十倍浓度 ,线性响应Fe3 + 浓度范围 (10 -2 ~ 10 -6)mol/L。 展开更多
关键词 离子 FE^3+ 薄膜 可控 结构和性能 线性响应 电子束蒸发 真空热蒸发 PHS 靶材
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铝膜沉积工艺对AIC法制备多晶硅薄膜的影响 被引量:2
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作者 陈海力 沈鸿烈 +2 位作者 唐正霞 杨超 江丰 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第14期43-46,共4页
采用真空热蒸发和磁控溅射两种方法沉积铝膜,通过对Glass/Si/SiO2/Al叠层结构进行铝诱导晶化(AIC)制备多晶硅薄膜。采用X射线衍射谱(XRD)、光学显微镜和拉曼光谱对样品进行分析,研究两种铝膜沉积工艺对AIC法制备多晶硅性能的影响。结果... 采用真空热蒸发和磁控溅射两种方法沉积铝膜,通过对Glass/Si/SiO2/Al叠层结构进行铝诱导晶化(AIC)制备多晶硅薄膜。采用X射线衍射谱(XRD)、光学显微镜和拉曼光谱对样品进行分析,研究两种铝膜沉积工艺对AIC法制备多晶硅性能的影响。结果表明,采用两种方法沉积的铝膜均能诱导出(111)高度择优取向的大晶粒尺寸(~100μm)的多晶硅薄膜,但与磁控溅射沉积相比,真空热蒸发沉积的铝膜诱导出的多晶硅薄膜应力更小、结晶质量更高,且晶化速率更快。 展开更多
关键词 铝诱导晶化 多晶硅薄膜 磁控溅射 真空热蒸发
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Effect of CuI Anode Buffer Layer on the Growth of Polymers Thin Films and on the Performances of Organic Solar Cells
13
作者 Pedro Pablo Zamora Fernando Raul Díaz +3 位作者 Maria Angelica del Valle Linda Cattin Guy Louarn Jean Christina Bernède 《Natural Resources》 2013年第1期123-133,共11页
Organic photovoltaic cells using polymer belonging to the aniline-heteroaryl family as electron donor have been achieved by thermal evaporation. We show that the properties of the polymer film, morphology, molecule or... Organic photovoltaic cells using polymer belonging to the aniline-heteroaryl family as electron donor have been achieved by thermal evaporation. We show that the properties of the polymer film, morphology, molecule order and conductivity depend strongly on the bottom anode buffer layer. While cells without anode buffer layer or with MoO3 or CuI anode buffer layer have been probed, we show that CuI allows improving strongly the cells efficiency through an improvement of the morphology and conductivity of the polymer film. This shows that although it is necessary a good band matching at the interface, this is not sufficient, because the templating effect of CuI on the polymer film is primordial for photovoltaic cells improvement. 展开更多
关键词 Organic Solar Cells vacuum thermal evaporation CONJUGATED POLYMERS Aniline-Heteroaryl POLYMERS
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有机小分子太阳能电池实验教学平台建设 被引量:1
14
作者 钟建 邓鸣 +2 位作者 于军胜 吴援明 黄江 《实验科学与技术》 2014年第6期134-136,171,共4页
采用真空热蒸镀方法制备有机小分子太阳能电池并测试其光电性能,使学生了解有机小分子太阳能电池的结构及制备工艺,熟悉Keithley半导体测试仪的使用方法,绘制器件的电流电压曲线,计算有机小分子太阳能电池的各项性能参数;通过对器件中... 采用真空热蒸镀方法制备有机小分子太阳能电池并测试其光电性能,使学生了解有机小分子太阳能电池的结构及制备工艺,熟悉Keithley半导体测试仪的使用方法,绘制器件的电流电压曲线,计算有机小分子太阳能电池的各项性能参数;通过对器件中每一层薄膜的制备和功能的分析,理解太阳能电池的结构和工作原理,并运用于工艺实验环节,着力提升学生的实践能力。 展开更多
关键词 有机小分子太阳能电池 实验教学平台建设 真空热蒸镀 实践能力
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硫氰酸银钾复合薄膜的制备及其电存储特性 被引量:1
15
作者 季欣 董元伟 徐伟 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2010年第1期230-236,共7页
采用真空热蒸镀法在银电极上蒸镀硫氰酸钾薄膜,并通过界面反应在银电极表面上形成AgK2(SCN)3复合薄膜.采用可见光谱、X射线光电子能谱(XPS)、激光拉曼光谱和X射线多晶衍射谱(XRD)对薄膜进行表征.研究发现,Al/AgK2(SCN)3/Ag器件具有稳定... 采用真空热蒸镀法在银电极上蒸镀硫氰酸钾薄膜,并通过界面反应在银电极表面上形成AgK2(SCN)3复合薄膜.采用可见光谱、X射线光电子能谱(XPS)、激光拉曼光谱和X射线多晶衍射谱(XRD)对薄膜进行表征.研究发现,Al/AgK2(SCN)3/Ag器件具有稳定的可逆电双稳特性,高、低电阻状态的电阻比高达106,并能实现连续"写-读-擦-读"操作.器件的可逆擦写特性归因于外电场作用下AgK2(SCN)3复合介质层内导电通道的形成-断裂;电流-电压曲线拟合显示,低电阻状态符合欧姆传输,而高电阻状态表现出空间电荷限制电流传输模式.在导电通道断裂的过程中,电离作用和焦耳热效应会共同起作用. 展开更多
关键词 电化学电离 电双稳态 导电通道 界面反应 真空热蒸发 焦耳热效应
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真空热沉积过程中有机薄膜生长的模拟研究 被引量:1
16
作者 胡琛 杨刚 +1 位作者 陈文彬 骆开均 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第A03期435-437,共3页
利用Monte Carlo方法对真空蒸发系统下的有机薄膜生长过程进行了模拟。在该系统模型中,Ns个点蒸发源均匀分布在半径为R的圆周上,基板相对蒸发源所在平面距离为d。利用该模型分析了膜厚分布以及点蒸发源个数Ns、蒸发源与基板的相对位置R... 利用Monte Carlo方法对真空蒸发系统下的有机薄膜生长过程进行了模拟。在该系统模型中,Ns个点蒸发源均匀分布在半径为R的圆周上,基板相对蒸发源所在平面距离为d。利用该模型分析了膜厚分布以及点蒸发源个数Ns、蒸发源与基板的相对位置R和d对薄膜厚度均匀性的影响,并通过实验对仿真结果进行了验证。结果显示,增加蒸发源个数、增大相对基板位置均可以有效提高薄膜的均匀性,测试发现薄膜样品的精度Max-Min均保持在5%左右。 展开更多
关键词 有机薄膜 均匀性 蒙特卡洛 真空蒸镀
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硬脂酸钠薄膜的制备及应用 被引量:1
17
作者 曹鸿 吴永刚 +4 位作者 张莉 焦宏飞 付联效 彭东功 郑秀萍 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期421-424,共4页
利用真空热蒸发的方法制备了厚度为0.28~0.40μm的硬脂酸钠薄膜,并用光学显微镜和傅里叶红外光谱仪对硬脂酸钠薄膜进行了观察和分析,发现硬脂酸钠薄膜的红外光谱和固体的光谱具有相似性。在空气环境中硬脂酸钠薄膜不易潮解,在选... 利用真空热蒸发的方法制备了厚度为0.28~0.40μm的硬脂酸钠薄膜,并用光学显微镜和傅里叶红外光谱仪对硬脂酸钠薄膜进行了观察和分析,发现硬脂酸钠薄膜的红外光谱和固体的光谱具有相似性。在空气环境中硬脂酸钠薄膜不易潮解,在选择的无水脱膜溶液中,容易脱出无明显针孔的自支撑Al膜。用俄歇电子能谱测试,未发现脱出的Al膜上有残留的硬脂酸钠脱膜剂。 展开更多
关键词 硬脂酸钠 脱膜剂 真空热蒸发 薄膜制备 傅里叶红外光谱
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石墨烯/PET保护膜的制备 被引量:1
18
作者 佟欣儒 赵卓 周艳文 《辽宁科技大学学报》 CAS 2018年第4期241-246,259,共7页
为了增加石墨烯的耐磨性,同时保证石墨烯本身的优良性能,研究采用磁控溅射和真空蒸镀两种方法,在双层石墨烯/PET上制备TiN、GaN和ZnO三种不同材料的保护膜,并对制备出的不同复合薄膜的性能进行研究。结果表明,制备的保护膜表面形貌均匀... 为了增加石墨烯的耐磨性,同时保证石墨烯本身的优良性能,研究采用磁控溅射和真空蒸镀两种方法,在双层石墨烯/PET上制备TiN、GaN和ZnO三种不同材料的保护膜,并对制备出的不同复合薄膜的性能进行研究。结果表明,制备的保护膜表面形貌均匀,三种材料均以非晶态存在于石墨烯表面。真空热蒸镀比较适合用来制备石墨烯保护膜,GaN比较适合用来做石墨烯的保护膜。 展开更多
关键词 石墨烯 复合薄膜 磁控溅射 真空蒸镀
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退火温度对真空热蒸发CdTe薄膜特性的影响
19
作者 刘绰 张雷 +1 位作者 马蕾 彭英才 《材料热处理学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第3期167-171,共5页
采用真空热蒸发方法,以高纯CdTe粉末为蒸发源,在石英和AZO玻璃上沉积了厚度约为485 nm的CdTe薄膜,随后在N2氛围中于250~400℃条件下进行后退火处理。利用X射线衍射仪、拉曼光谱仪、分光光度计和数字源表测量了不同退火温度条件下样品的... 采用真空热蒸发方法,以高纯CdTe粉末为蒸发源,在石英和AZO玻璃上沉积了厚度约为485 nm的CdTe薄膜,随后在N2氛围中于250~400℃条件下进行后退火处理。利用X射线衍射仪、拉曼光谱仪、分光光度计和数字源表测量了不同退火温度条件下样品的结构、光学和电学特性。结果表明,所制备的薄膜为立方闪锌矿结构,择优取向为<111>晶向,提高退火温度可以促进薄膜结晶;光学测量结果证实,随退火温度升高,薄膜样品的光学带隙由1.527 e V减小到1.496 e V;电流-电压测试表明,薄膜电导率随退火温度的增加,由0.97μS/cm增大至87.3μS/cm。 展开更多
关键词 真空热蒸发 CDTE薄膜 退火处理 结构特性
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兼容电磁屏蔽红外增透薄膜器件的研究
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作者 王建 徐均琪 +2 位作者 苏俊宏 李阳 师云云 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第10期95-104,共10页
利用光刻掩模和热蒸发沉积技术制备兼容电磁屏蔽红外窗口薄膜器件,实现3~5μm波段红外信号高效增透,且能屏蔽12~18 GHz频段的电磁波信号.通过光刻掩模和真空热蒸发沉积技术在双面抛光Si基底上制备满足要求的十字交叉对称金属网栅结构,... 利用光刻掩模和热蒸发沉积技术制备兼容电磁屏蔽红外窗口薄膜器件,实现3~5μm波段红外信号高效增透,且能屏蔽12~18 GHz频段的电磁波信号.通过光刻掩模和真空热蒸发沉积技术在双面抛光Si基底上制备满足要求的十字交叉对称金属网栅结构,通过离子束辅助电子束热蒸发沉积技术制备3~5μm波段高效增透的红外膜.为进一步改善金属网栅的透射率,在周期g为550μm,不同线宽的金属网栅薄膜上沉积红外增透膜.结果表明:通过真空式傅里叶变换红外光谱仪测试得红外膜样片在3~5μm的峰值透射率为99.8%,平均透射率为99.3%.矢量网络分析仪测试金属网栅12~18 GHz频段的电磁屏蔽效能,得到兼容电磁屏蔽红外窗口薄膜器件在12~18 GHz频段内总体电磁屏蔽效能优于27 dB,3~5μm红外波段的峰值透射率为86.3%,平均透射率为86.1%.金属网栅薄膜上镀制增透膜在保证电磁屏蔽效能不变(≥27 dB)的前提下,网栅光谱(透射率)提高了37.6%(网栅周期g为550μm,线宽2a为30μm).屏蔽效能的改善既可以通过调整网栅的周期和线宽,也可以选择电阻率较低的基底材料实现. 展开更多
关键词 电磁屏蔽 红外 真空热蒸发 金属网栅 减反膜 透射率 屏蔽效能
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